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	<ipcEntry entryType="K" ipcLevel="C" kind="s" lang="ES" symbol="H" nocore="yes">
		<textBody>
			<title>
				<titlePart>
					<text> 
SECCION H <emdash/> 
 ELECTRICIDAD</text>
				</titlePart>
			</title>
		</textBody>
		<ipcEntry entryType="K" ipcLevel="C" kind="n" lang="EN" symbol="H" nocore="yes">
			<textBody>
				<note type="none">
					<noteParagraph>
						<text> 
Estas notas se refieren a los principios fundamentales y a las normas generales de utilización de la sección H.</text>
						<subnote indent="1" type="Roman">
							<noteParagraph>
								<text> 
La sección H <u> 
cubre</u> 
:</text>
								<subnote indent="2" type="alpha">
									<noteParagraph>
										<text> 
los elementos eléctricos básicos, que cubren todos los equipos eléctricos unitarios de aplicación general, la estructura mecánica de los aparatos y circuitos, incluyendo la incorporación de varios elementos básicos en los que son llamados "circuitos impresos", así como también, hasta cierto punto, la fabricación de estos elementos, cuando no está cubierta en otras partes;</text>
									</noteParagraph>
									<noteParagraph>
										<text> 
la generación de electricidad, que cubre la producción, conversión o distribución de electricidad junto con el control y mando del aparato correspondiente;</text>
									</noteParagraph>
									<noteParagraph>
										<text> 
la electricidad aplicada, <u> 
que cubre</u> 
:</text>
										<subnote indent="3" type="roman">
											<noteParagraph>
												<text> 
las técnicas de utilización de aplicación general, a saber: las de calefacción eléctrica y circuitos de alumbrado eléctrico;</text>
											</noteParagraph>
											<noteParagraph>
												<text> 
algunas técnicas de aplicación particular, tanto eléctricas como electrónicas en el sentido estricto, que no están cubiertas por otras secciones de la clasificación; estas técnicas incluyen:</text>
												<subnote indent="4" type="number">
													<noteParagraph>
														<text> 
las fuentes eléctricas de luz, comprendiendo los láseres;</text>
													</noteParagraph>
													<noteParagraph>
														<text> 
la técnica eléctrica de los rayos X;</text>
													</noteParagraph>
													<noteParagraph>
														<text> 
la técnica eléctrica del plasma y la generación y aceleración de partículas cargadas eléctricamente o de neutrones;</text>
													</noteParagraph>
												</subnote>
											</noteParagraph>
										</subnote>
									</noteParagraph>
									<noteParagraph>
										<text> 
los circuitos electrónicos básicos y su control;</text>
									</noteParagraph>
									<noteParagraph>
										<text> 
la técnica de las comunicaciones;</text>
									</noteParagraph>
									<noteParagraph>
										<text>la utilización de un<NBSP/><GREF GLOBAL="" REFID="MATERIAL">material</GREF> determinado para la fabricación de los artículos o elementos descritos. Debe hacerse referencia en estos casos a los párrafos<nbsp></nbsp> 
88 a <nbsp></nbsp> 
 90 de la Guía de utilización de la Clasificación.</text>
									</noteParagraph>
								</subnote>
							</noteParagraph>
							<noteParagraph>
								<text> 
En la presente sección se aplican las siguientes reglas generales:</text>
								<subnote indent="2" type="alpha">
									<noteParagraph>
										<text> 
Con las excepciones previstas en I (c) precedente, todo aspecto o parte eléctrico propio de una operación, proceso, aparato, objeto o artículo determinado, clasificado en una de las secciones de la Clasificación distintas de la sección H, está siempre clasificado en la subclase concerniente a esta operación, procedimiento, aparato, objeto o artículo. Cuando un aspecto de la clase tiene características comunes, que han podido ser descubiertas, concernientes a un conjunto de la misma naturaleza, en una subclase enteramente consagrada a las aplicaciones eléctricas generales para el conjunto considerado;</text>
									</noteParagraph>
									<noteParagraph>
										<text> 
Entre tales aplicaciones eléctricas, generales o particulares, conviene citar:</text>
										<subnote indent="3" type="roman">
											<noteParagraph>
												<text> 
los procedimientos y aparatos terapéuticos de <sref ref="A61"></sref> 
;</text>
											</noteParagraph>
											<noteParagraph>
												<text> 
los procedimientos y aparatos eléctricos utilizados en múltiples tratamientos de laboratorio o de la industria de las clases <sref ref="B01"></sref> 
 y <sref ref="B03"></sref> 
 y de la subclase <sref ref="B23K"></sref> 
;</text>
											</noteParagraph>
											<noteParagraph>
												<text> 
la alimentación, propulsión, iluminación eléctrica de vehículos en general y de vehículos especiales de la subsección "Transporte" de la sección B;</text>
											</noteParagraph>
											<noteParagraph>
												<text>los sistemas de encendido eléctrico propios de<NBSP/><GREF GLOBAL="" REFID="MOTOR">motores</GREF> de combustión interna de<sref ref="F02P"></sref> 
, de los aparatos de combustión en general de la subclase <sref ref="F23Q"></sref> 
;</text>
											</noteParagraph>
											<noteParagraph>
												<text> 
toda la parte eléctrica de la sección G, es decir, de los aparatos de medida, incluidos aquellos de variables eléctricas, de mando, de señalización y de cálculo. La electricidad que se trata en esta sección figura, en general, como medio intermediario y no como fin en sí mismo;</text>
											</noteParagraph>
										</subnote>
									</noteParagraph>
									<noteParagraph>
										<text> 
Todas las aplicaciones eléctricas, tanto generales como particulares, sobreentendiendo siempre que el aspecto "electricidad básica" se encuentra en la sección H (ver párrafo I (a)) en lo que concierne a "elementos básicos" que comprenden. Esta regla es asimismo válida para la electricidad aplicada, citada en I (c), que se encuentra en la misma sección H;</text>
									</noteParagraph>
								</subnote>
							</noteParagraph>
							<noteParagraph>
								<text> 
En la presente sección, existen los siguientes casos particulares:</text>
								<subnote indent="2" type="alpha">
									<noteParagraph>
										<text> 
Entre las aplicaciones generales cubiertas por secciones distintas a la H, debe hacerse notar que la calefacción eléctrica en general está cubierta por las subclases <sref ref="F24D"></sref> 
 ó <sref ref="F24H"></sref> 
 o por la clase <sref ref="F27"></sref> 
, y que la iluminación eléctrica en general está cubierta en parte por la clase <sref ref="F21"></sref> 
, si bien en la sección H (ver (c)) existen lugares en la subclase <sref ref="H05B"></sref> 
 que cubren los mismos objetos técnicos; </text>
									</noteParagraph>
									<noteParagraph>
										<text> 
En los dos casos anteriores, las subclases de la sección F que tratan las respectivas materias, esencialmente cubren, en primer lugar, todos los aspectos mecánicos de los aparatos o dispositivos, mientras que el aspecto eléctrico está cubierto por la subclase <sref ref="H05B"></sref> 
;</text>
									</noteParagraph>
									<noteParagraph>
										<text>Este aspecto mecánico, en lo que se refiere a la iluminación, debe ser comprendido como extensivo a la disposición<NBSP/><GREF GLOBAL="" REFID="MATERIAL">material</GREF> incluso de diversos elementos eléctricos, es decir, de la posición geométrica, o si se prefiere física, de sus elementos en su relación de unos con otros, que está cubierta por la subclase<sref ref="F21V"></sref> 
, quedando en H tanto los elementos en sí como los circuitos de principio. Lo mismo ocurre para el caso de fuentes eléctricas de luz, cuando son combinadas con fuentes de luz de diferente naturaleza. Estas están cubiertas por la subclase <sref ref="H05B"></sref> 
, en tanto que la disposición física que constituye la combinación está cubierta por las diferentes subclases de la clase <sref ref="F21"></sref> 
;</text>
									</noteParagraph>
									<noteParagraph>
										<text> 
En lo que se refiere a la calefacción no sólo los elementos eléctricos y diseños de circuitos, en sí, están cubiertos por la subclase <sref ref="H05B"></sref> 
, sino también los aspectos eléctricos de su disposición cuando se trata de los casos de aplicación general, entre los que se considera el caso de los hornos eléctricos. La disposición física de los elementos eléctricos en los hornos está cubierta por la sección F. Comparando el caso de los circuitos eléctricos de la soldadura, que están cubiertos por la subclase <sref ref="B23K"></sref> 
 propia de la soldadura se ve que el caso presente se sale de la regla general mencionada en el párrafo II anterior.</text>
									</noteParagraph>
								</subnote>
							</noteParagraph>
						</subnote>
					</noteParagraph>
				</note>
			</textBody>
		</ipcEntry>
		<ipcEntry entryType="K" ipcLevel="C" kind="c" lang="ES" symbol="H01" nocore="yes">
			<textBody>
				<title>
					<titlePart>
						<text> 
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS</text>
					</titlePart>
				</title>
			</textBody>
			<ipcEntry entryType="K" ipcLevel="C" kind="n" lang="ES" symbol="H01" nocore="yes">
				<textBody>
					<note type="number">
						<noteParagraph>
							<text> 
Los procedimientos que implican una sola técnica, p. ej. secado, revestimiento, que está prevista en otra parte están clasificados en la clase correspondiente a esta técnica.</text>
						</noteParagraph>
						<noteParagraph edition="20000101">
							<text> 
Es importante tener en cuenta las notas que siguen a los títulos de la clase <sref ref="B81"></sref> 
 y de la subclase <sref ref="B81B"></sref> 
 relativas a "dispositivos de microestructura" y "sistemas de microestructura".</text>
						</noteParagraph>
					</note>
				</textBody>
			</ipcEntry>
			<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="C" kind="u" lang="ES" symbol="H01L" definition="yes" nocore="yes">
				<textBody>
					<title>
						<titlePart>
							<text>DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES</text>
						</titlePart>
						<titlePart>
							<text>DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR</text>
							<entryReference>sistemas transportadores para obleas semiconductoras<sref ref="B65G0049070000"></sref>
							</entryReference>
							<entryReference>empleo de dispositivos semiconductores para medir<sref ref="G01"></sref>
							</entryReference>
							<entryReference>detalles de aparatos con sonda de barrido, en general<sref ref="G12B0021000000"></sref>
							</entryReference>
							<entryReference>resistencias en general<sref ref="H01C"></sref>
							</entryReference>
							<entryReference>imanes, inductancias, transformadores<sref ref="H01F"></sref>
							</entryReference>
							<entryReference>condensadores en general<sref ref="H01G"></sref>
							</entryReference>
							<entryReference>dispositivos electrolíticos<sref ref="H01G0009000000"></sref>
							</entryReference>
							<entryReference>pilas, acumuladores<sref ref="H01M"></sref>
							</entryReference>
							<entryReference>guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas<sref ref="H01P"></sref>
							</entryReference>
							<entryReference>conectadores de líneas, colectores de corriente<sref ref="H01R"></sref>
							</entryReference>
							<entryReference>dispositivos de emisión estimulada<sref ref="H01S"></sref>
							</entryReference>
							<entryReference>resonadores electromecánicos<sref ref="H03H"></sref>
							</entryReference>
							<entryReference>transductores electromecánicos para comunicaciones eléctricas<sref ref="H04R"></sref>
							</entryReference>
							<entryReference>fuentes de luz eléctrica en general<sref ref="H05B"></sref>
							</entryReference>
							<entryReference>circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos<sref ref="H05K"></sref>
							</entryReference>
							<entryReference>empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular,<u>ver</u>la subclase relativa a la aplicación</entryReference>
						</titlePart>
					</title>
				</textBody>
				<ipcEntry entryType="K" ipcLevel="C" kind="n" lang="ES" symbol="H01L" definition="yes" nocore="yes">
					<textBody>
						<note indent="0" type="number">
							<noteParagraph>
								<text>La presente subclase<u>cubre</u>:</text>
								<subnote indent="1" type="bullet">
									<noteParagraph edition="19740701">
										<text>los dispositivos eléctricos de estado sólido no cubiertos por otra subclase, así como sus detalles y comprende: los dispositivos semiconductores adaptados para la rectificación, la amplificación, la generación de oscilaciones o la conmutación; los dispositivos semiconductores sensibles a las radiaciones; los dispositivos eléctricos de estado sólido que utilizan efectos termoeléctricos, superconductores, piezoeléctricos, electroestrictivos, magnetoestrictivos, galvano-magnéticos o de resistencia negativa y los dispositivos de circuitos integrados;</text>
									</noteParagraph>
									<noteParagraph edition="19740701">
										<text>las fotorresistencias, las resistencias sensibles al campo magnético, las resistencias sensibles al campo eléctrico, los condensadores con barrera de potencial, las resistencias con barrera de potencial o de superficie, los diodos emisores de luz no coherente y los circuitos de película delgada o gruesa;</text>
									</noteParagraph>
									<noteParagraph edition="19740701">
										<text>los procedimientos y aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de dichos dispositivos, excepto en los casos en que dichos procedimientos no impliquen más que una sola etapa y se pueden clasificar en otro lugar.</text>
									</noteParagraph>
								</subnote>
							</noteParagraph>
							<noteParagraph>
								<text>En la presente subclase, las expresiones siguientes tienen el significado abajo indicado:</text>
								<subnote indent="1" type="bullet">
									<noteParagraph edition="20060101">
										<text>"oblea" significa una rodaja sustrato de material semiconductor o cristalino que puede ser modificado mediante la difusión de impurezas (dopado), implantación iónica o epitaxia y cuya superficie activa puede ser procesada para obtener matrices ("arrays") de componentes discretos o de circuitos integrados;</text>
									</noteParagraph>
									<noteParagraph>
										<text>" cuerpo de estado sólido" significa el cuerpo de un material en el interior del cual, o en su superficie, se producen los efectos físicos característicos del dispositivo. En los dispositivos termoeléctricos, esto incluye todos los materiales atravesados por corriente.</text>
									</noteParagraph>
								</subnote>
								<orphan edition="19740701" indent="1">
									<text>Las regiones en o sobre el cuerpo del dispositivo (distintos del cuerpo de estado sólido, en sí mismo) que eléctricamente ejercen una influencia sobre el cuerpo de estado sólido, están consideradas como "electrodos" tanto si tienen como si no tienen conexiones eléctricas externas. Un electrodo puede incluir varias partes, y el término incluye las regiones metálicas que ejercen una influencia sobre el cuerpo de estado sólido a través de una región aislante (p. ej. acoplamiento capacitivo), así como las distribuciones de acoplamiento inductivo con el cuerpo. La región dieléctrica en un dispositivo capacitivo se considerará como una parte del electrodo. En los dispositivos con varias partes, únicamente las que ejercen una influencia sobre el cuerpo de estado sólido en virtud de su forma, dimensiones, o de su disposición, o del material del que están formadas, están consideradas como parte del electrodo. Los otros elementos están considerados como "disposiciones para conducir la corriente eléctrica hacia o desde el cuerpo de estado sólido" o bien como "interconexiones entre los componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común", es decir los hilos de conexión;</text>
									<subnote indent="1" type="bullet">
										<noteParagraph edition="19740701">
											<text>" dispositivo" significa un elemento de circuito eléctrico; en el caso de que un elemento de circuito eléctrico sea uno de una pluralidad de elementos formados en o sobre un sustrato común, se designa por la expresión "componente";</text>
										</noteParagraph>
										<noteParagraph edition="19740701">
											<text>" dispositivo completo" es un dispositivo en su estado completamente ensamblado que puede o no necesitar un tratamiento ulterior, p. ej. electro-formación, antes de estar preparado para su empleo, pero que no requiere la adición de unidades estructurales adicionales;</text>
										</noteParagraph>
										<noteParagraph edition="19740701">
											<text>" parte" incluye a todos los elementos estructurales que se incluyen en un dispositivo completo;</text>
										</noteParagraph>
										<noteParagraph edition="19740701">
											<text>" contenedor" es un recinto que forma parte de un dispositivo completo, y se compone esencialmente de una construcción sólida en el interior de la cual el cuerpo del dispositivo está colocado o bien está formada alrededor del cuerpo, sin constituir una capa en contacto íntimo con éste. Un recinto consistente en una o varias capas formadas sobre el cuerpo y en contacto íntimo con él se designa por la expresión "encapsulado";</text>
										</noteParagraph>
										<noteParagraph edition="19740701">
											<text>" circuito integrado" es un dispositivo en que todos los componentes, p. ej. diodos, resistencias, están realizados sobre o en un sustrato común, y constituyen el dispositivo incluyendo las interconexiones entre los componentes;</text>
										</noteParagraph>
										<noteParagraph edition="19740701">
											<text>" ensamblado" de un dispositivo es el montaje del dispositivo a partir de sus componentes estructurales; comprende el llenado de los contenedores.</text>
										</noteParagraph>
									</subnote>
								</orphan>
							</noteParagraph>
							<noteParagraph edition="19950101">
								<text>En la presente subclase se clasificarán tanto el procedimiento o el aparato para la fabricación o el tratamiento de un dispositivo, como dicho dispositivo en sí mismo, siempre que ambos están descritos de manera suficiente para ser de interés.</text>
							</noteParagraph>
						</note>
					</textBody>
				</ipcEntry>
				<ipcEntry entryType="K" ipcLevel="C" kind="i" lang="ES" symbol="H01L" definition="yes" nocore="yes">
					<textBody>
						<index>
							<indexEntry>
								<text>DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES</text>
								<indexEntry>
									<text>Dispositivos adaptados para la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o la conmutación</text>
									<references>
										<sref ref="H01L0029000000"></sref>
									</references>
								</indexEntry>
								<indexEntry>
									<text>Dispositivos sensibles a las radiaciones o que las emiten</text>
									<references>
										<sref ref="H01L0031000000"></sref>,<sref ref="H01L0033000000"></sref>
									</references>
								</indexEntry>
							</indexEntry>
							<indexEntry>
								<text>DISPOSITIVOS DE ESTADO SOLIDO QUE UTILIZAN MATERIALES ORGANICOS</text>
								<references>
									<sref ref="H01L0051000000"></sref>
								</references>
							</indexEntry>
							<indexEntry>
								<text>OTROS DISPOSITIVOS DE ESTADO SOLIDO</text>
								<indexEntry>
									<text>Dispositivos termoeléctricos o termomagnéticos</text>
									<references>
										<sref ref="H01L0035000000"></sref>,<sref ref="H01L0037000000"></sref>
									</references>
								</indexEntry>
								<indexEntry>
									<text>Dispositivos superconductores o hiperconductores</text>
									<references>
										<sref ref="H01L0039000000"></sref>
									</references>
								</indexEntry>
								<indexEntry>
									<text>Dispositivos piezoeléctricos, electroestrictivos o magnetoestrictivos</text>
									<references>
										<sref ref="H01L0041000000"></sref>
									</references>
								</indexEntry>
								<indexEntry>
									<text>Dispositivos galvanomagnéticos</text>
									<references>
										<sref ref="H01L0043000000"></sref>
									</references>
								</indexEntry>
								<indexEntry>
									<text>Dispositivos sin barrera de potencial ni de superficie; dispositivos de resistencia negativa con efecto de volumen; dispositivos no previstos en otro lugar</text>
									<references>
										<sref ref="H01L0045000000"></sref>;<sref ref="H01L0047000000"></sref>;<sref ref="H01L0049000000"></sref>
									</references>
								</indexEntry>
							</indexEntry>
							<indexEntry>
								<text>CONJUNTOS DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES U OTROS DISPOSITIVOS DE ESTADO SOLIDO</text>
								<indexEntry>
									<text>Conjuntos de dispositivos individuales</text>
									<references>
										<sref ref="H01L0025000000"></sref>
									</references>
								</indexEntry>
								<indexEntry>
									<text>Circuitos integrados</text>
									<references>
										<sref ref="H01L0027000000"></sref>
									</references>
								</indexEntry>
							</indexEntry>
							<indexEntry>
								<text>DETALLES</text>
								<references>
									<sref ref="H01L0023000000"></sref>
								</references>
							</indexEntry>
							<indexEntry>
								<text>FABRICACION</text>
								<references>
									<sref ref="H01L0021000000"></sref>
								</references>
							</indexEntry>
						</index>
					</textBody>
				</ipcEntry>
				<ipcEntry edition="19740701,20060101" entryType="K" ipcLevel="C" kind="m" lang="EN" priorityOrder="150" symbol="H01L0021000000" trans_user="or" trans_status="s" trans_update="2008-10-29@17:32:48" definition="yes" nocore="yes">
					<textBody>
						<title>
							<titlePart>
								<text>Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas</text>
							</titlePart>
						</title>
					</textBody>
					<ipcEntry endSymbol="H01L0021670000" entryType="K" ipcLevel="C" kind="n" lang="ES" symbol="H01L0021020000" nocore="yes">
						<textBody>
							<note type="none">
								<noteParagraph edition="19740701">
									<text>Los grupos<sref ref="H01L0021700000"></sref>tienen prioridad sobre los grupos<mref endRef="H01L0021670000" endRefLevel="c" endRefType="/" ref="H01L0021020000" refLevel="c" refType="/"></mref>.</text>
								</noteParagraph>
							</note>
						</textBody>
					</ipcEntry>
					<ipcEntry edition="19740701,20060101" entryType="K" ipcLevel="C" kind="1" lang="ES" symbol="H01L0021020000" nocore="yes">
						<textBody>
							<title>
								<titlePart>
									<text>Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas</text>
								</titlePart>
							</title>
						</textBody>
						<ipcEntry edition="19900101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="2" lang="ES" symbol="H01L0021027000" nocore="yes">
							<textBody>
								<title>
									<titlePart>
										<text>Fabricación de máscaras sobre cuerpos semiconductores para tratamiento fotolitográfico ulterior, no prevista en el grupo<sref ref="H01L0021180000"></sref>ó<sref ref="H01L0021340000"></sref>
										</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
							<ipcEntry edition="19900101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="3" lang="ES" symbol="H01L0021033000" nocore="yes">
								<textBody>
									<title>
										<titlePart>
											<text>incluyendo capas inorgánicas</text>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
							</ipcEntry>
						</ipcEntry>
						<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="A" kind="2" lang="ES" symbol="H01L0021040000" nocore="yes">
							<textBody>
								<title>
									<titlePart>
										<text>los dispositivos presentan al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. una unión PN, una región de empobrecimiento, o una región de concentración de portadores de cargas</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
							<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="A" kind="3" lang="ES" symbol="H01L0021060000" nocore="yes">
								<textBody>
									<title>
										<titlePart>
											<text>los dispositivos tienen cuerpos semiconductores que incluyen selenio o teluro, en forma no combinada, no constituyendo impurezas para los cuerpos semiconductores de otros<NBSP/><GREF GLOBAL="" REFID="MATERIAL">materiales</GREF></text>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
								<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="A" kind="4" lang="ES" symbol="H01L0021080000" nocore="yes">
									<textBody>
										<title>
											<titlePart>
												<text>Preparación de la placa de soporte</text>
											</titlePart>
										</title>
									</textBody>
								</ipcEntry>
								<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="A" kind="4" lang="ES" symbol="H01L0021100000" nocore="yes">
									<textBody>
										<title>
											<titlePart>
												<text>Tratamiento preliminar del selenio o del teluro, aplicación sobre la placa de soporte, o tratamiento subsiguiente del conjunto</text>
											</titlePart>
										</title>
									</textBody>
									<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="A" kind="5" lang="ES" symbol="H01L0021103000" nocore="yes">
										<textBody>
											<title>
												<titlePart>
													<text>Conversión del selenio o del teluro al estado conductor</text>
												</titlePart>
											</title>
										</textBody>
									</ipcEntry>
									<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="A" kind="5" lang="ES" symbol="H01L0021105000" nocore="yes">
										<textBody>
											<title>
												<titlePart>
													<text>Tratamiento de la superficie de la capa de selenio o de teluro después de la conversión al estado conductor</text>
												</titlePart>
											</title>
										</textBody>
									</ipcEntry>
									<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="A" kind="5" lang="ES" symbol="H01L0021108000" nocore="yes">
										<textBody>
											<title>
												<titlePart>
													<text>Producción de capas aislantes discretas, es decir, barreras de superficie no activas</text>
												</titlePart>
											</title>
										</textBody>
									</ipcEntry>
								</ipcEntry>
								<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="A" kind="4" lang="ES" symbol="H01L0021120000" nocore="yes">
									<textBody>
										<title>
											<titlePart>
												<text>Aplicación de un electrodo a la superficie libre del selenio o del teluro, después de la aplicación del selenio o del teluro a la placa de soporte</text>
											</titlePart>
										</title>
									</textBody>
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								<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="A" kind="4" lang="ES" symbol="H01L0021140000" nocore="yes">
									<textBody>
										<title>
											<titlePart>
												<text>Tratamiento del dispositivo completo, p. ej. por electromoldeo para formar una barrera</text>
											</titlePart>
										</title>
									</textBody>
									<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="A" kind="5" lang="ES" symbol="H01L0021145000" nocore="yes">
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											<title>
												<titlePart>
													<text>Envejecimiento</text>
												</titlePart>
											</title>
										</textBody>
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									<title>
										<titlePart>
											<text>los dispositivos tienen cuerpos semiconductores que incluyen óxido cuproso o ioduro cuproso</text>
										</titlePart>
									</title>
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									<title>
										<titlePart>
											<text>los dispositivos tienen cuerpos semiconductores que incluyen elementos del cuarto grupo de la Tabla Periódica, o de compuestos A<sub>III</sub>B<sub>V</sub>con o sin impurezas, p. ej.<NBSP/><GREF GLOBAL="" REFID="MATERIAL">materiales</GREF> de dopado</text>
										</titlePart>
									</title>
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										<note type="none">
											<noteParagraph edition="20000101">
												<text>El presente grupo<u>cubre</u>igualmente los procedimientos y los aparatos que, utilizando la tecnología apropiada, están claramente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos cuyos cuerpos comprenden elementos del cuarto grupo del Sistema Periódico o compuestos A<sub>III</sub>B<sub>V</sub>incluso si el<NBSP/><GREF GLOBAL="" REFID="MATERIAL">material</GREF> utilizado no está explícitamente especificado</text>
											</noteParagraph>
										</note>
									</textBody>
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									<textBody>
										<title>
											<titlePart>
												<text>Depósito de<NBSP/><GREF GLOBAL="" REFID="MATERIAL">materiales</GREF> semiconductores sobre un sustrato, p. ej. crecimiento epitaxial</text>
											</titlePart>
										</title>
									</textBody>
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										<textBody>
											<title>
												<titlePart>
													<text>utilizando un depósito físico, p. ej. depósito en vacío, pulverización</text>
												</titlePart>
											</title>
										</textBody>
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										<textBody>
											<title>
												<titlePart>
													<text>utilizando la reducción o la descomposición de un compuesto gaseoso dando un condensado sólido, es decir, un depósito químico</text>
												</titlePart>
											</title>
										</textBody>
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										<textBody>
											<title>
												<titlePart>
													<text>utilizando un depósito líquido</text>
												</titlePart>
											</title>
										</textBody>
									</ipcEntry>
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								<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="A" kind="4" lang="ES" symbol="H01L0021220000" nocore="yes">
									<textBody>
										<title>
											<titlePart>
												<text>Difusión de impurezas, p. ej.<NBSP/><GREF GLOBAL="" REFID="MATERIAL">materiales</GREF> de dopado,<NBSP/><GREF GLOBAL="" REFID="MATERIAL">materiales</GREF> para electrodos, en el interior o fuera del cuerpo semiconductor, o entre las regiones semiconductoras</text>
											</titlePart>
											<titlePart>
												<text>Redistribución de las impurezas, p. ej. sin introducción o sin eliminación de dopante suplementario</text>
											</titlePart>
										</title>
									</textBody>
									<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="A" kind="5" lang="ES" symbol="H01L0021223000" nocore="yes">
										<textBody>
											<title>
												<titlePart>
													<text>utilizando la difusión en o fuera de un sólido a partir de o en una fase gaseosa</text>
												</titlePart>
											</title>
										</textBody>
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									<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="A" kind="5" lang="ES" symbol="H01L0021225000" nocore="yes">
										<textBody>
											<title>
												<titlePart>
													<text>utilizando la difusión en o fuera de un sólido a partir de o en una fase sólida, p. ej. una capa de óxido dopada</text>
												</titlePart>
											</title>
										</textBody>
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										<textBody>
											<title>
												<titlePart>
													<text>utilizando la difusión en o fuera de un sólido, a partir de o en una fase líquida, p. ej. procesos de difusión de aleación</text>
												</titlePart>
											</title>
										</textBody>
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									<textBody>
										<title>
											<titlePart>
												<text>Formación de aleaciones de impurezas, p. ej.<NBSP/><GREF GLOBAL="" REFID="MATERIAL">materiales</GREF> de dopado,<NBSP/><GREF GLOBAL="" REFID="MATERIAL">materiales</GREF> para electrodos, con un cuerpo semiconductor</text>
											</titlePart>
										</title>
									</textBody>
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								<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="A" kind="4" lang="EN" symbol="H01L0021260000" definition="yes" nocore="yes">
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										<title>
											<titlePart>
												<text>Bombardeo con radiación ondulatoria o de partículas</text>
											</titlePart>
										</title>
									</textBody>
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										<textBody>
											<title>
												<titlePart>
													<text>para producir una reacción nuclear que transmute elementos químicos</text>
												</titlePart>
											</title>
										</textBody>
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											<title>
												<titlePart>
													<text>con radiaciones de alta energía</text>
													<entryReference>
														<sref ref="H01L0021261000"></sref>tiene prioridad</entryReference>
												</titlePart>
											</title>
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												<title>
													<titlePart>
														<text>produciendo una implantación de iones</text>
													</titlePart>
												</title>
											</textBody>
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												<textBody>
													<title>
														<titlePart>
															<text>utilizando máscaras</text>
														</titlePart>
													</title>
												</textBody>
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											<textBody>
												<title>
													<titlePart>
														<text>utilizando radiaciones electromagnéticas, p. ej. rayos láser</text>
													</titlePart>
												</title>
											</textBody>
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								<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="A" kind="4" lang="ES" symbol="H01L0021280000" nocore="yes">
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										<title>
											<titlePart>
												<text>Fabricación de electrodos sobre los cuerpos semiconductores por empleo de procesos o aparatos no cubiertos por los grupos<mref endRef="H01L0021268000" endRefLevel="c" endRefType="/" ref="H01L0021200000" refLevel="c" refType="/"></mref>
												</text>
											</titlePart>
										</title>
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									<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="A" kind="5" lang="ES" symbol="H01L0021283000" nocore="yes">
										<textBody>
											<title>
												<titlePart>
													<text>Depósito de<NBSP/><GREF GLOBAL="" REFID="MATERIAL">materiales</GREF> conductores o aislantes para los electrodos</text>
												</titlePart>
											</title>
										</textBody>
										<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="A" kind="6" lang="ES" symbol="H01L0021285000" nocore="yes">
											<textBody>
												<title>
													<titlePart>
														<text>a partir de un gas o vapor, p. ej. condensación</text>
													</titlePart>
												</title>
											</textBody>
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										<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="A" kind="6" lang="ES" symbol="H01L0021288000" nocore="yes">
											<textBody>
												<title>
													<titlePart>
														<text>a partir de un líquido, p. ej. depósito electrolítico</text>
													</titlePart>
												</title>
											</textBody>
										</ipcEntry>
									</ipcEntry>
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								<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="A" kind="4" lang="ES" symbol="H01L0021300000" nocore="yes">
									<textBody>
										<title>
											<titlePart>
												<text>Tratamiento de cuerpos semiconductores utilizando procesos o aparatos no cubiertos por los grupos<mref endRef="H01L0021260000" endRefLevel="c" endRefType="/" ref="H01L0021200000" refLevel="c" refType="/"></mref>
												</text>
												<entryReference>fabricación de electrodos sobre estos cuerpos<sref ref="H01L0021280000"></sref>
												</entryReference>
											</titlePart>
										</title>
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											<title>
												<titlePart>
													<text>para subdividir un cuerpo semiconductor en partes separadas, p. ej. realizando particiones</text>
													<entryReference>corte<sref ref="H01L0021304000"></sref>
													</entryReference>
												</titlePart>
											</title>
										</textBody>
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									<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="A" kind="5" lang="ES" symbol="H01L0021302000" nocore="yes">
										<textBody>
											<title>
												<titlePart>
													<text>para cambiar las características físicas de sus superficies o para cambiar su forma, p. ej. grabado, pulido, recortado</text>
												</titlePart>
											</title>
										</textBody>
										<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="A" kind="6" lang="ES" symbol="H01L0021304000" nocore="yes">
											<textBody>
												<title>
													<titlePart>
														<text>Tratamiento mecánico, p. ej. trituración, pulido, corte</text>
													</titlePart>
												</title>
											</textBody>
										</ipcEntry>
										<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="A" kind="6" lang="ES" symbol="H01L0021306000" nocore="yes">
											<textBody>
												<title>
													<titlePart>
														<text>Tratamiento químico o eléctrico, p. ej. grabación electrolítica</text>
														<entryReference>para formar capas aislantes<sref ref="H01L0021310000"></sref>
														</entryReference>
														<entryReference>postratamiento de capas aislantes<sref ref="H01L0021310500"></sref>
														</entryReference>
													</titlePart>
												</title>
											</textBody>
											<ipcEntry edition="19950101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="7" lang="ES" symbol="H01L0021306300" nocore="yes">
												<textBody>
													<title>
														<titlePart>
															<text>Grabado electrolítico</text>
														</titlePart>
													</title>
												</textBody>
											</ipcEntry>
											<ipcEntry edition="19950101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="7" lang="ES" symbol="H01L0021306500" nocore="yes">
												<textBody>
													<title>
														<titlePart>
															<text>Grabado por plasma</text>
														</titlePart>
														<titlePart>
															<text>Grabado mediante iones reactivos</text>
														</titlePart>
													</title>
												</textBody>
											</ipcEntry>
											<ipcEntry edition="19740701,19950101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="7" lang="ES" symbol="H01L0021308000" nocore="yes">
												<textBody>
													<title>
														<titlePart>
															<text>utilizando máscaras</text>
															<entryReference>
																<sref ref="H01L0021306300"></sref>,<sref ref="H01L0021306500"></sref>, tienen prioridad</entryReference>
														</titlePart>
													</title>
												</textBody>
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										</ipcEntry>
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										<textBody>
											<title>
												<titlePart>
													<text>para formar capas aislantes en superficie, p. ej. para enmascarar o utilizando técnicas fotolitográficas</text>
													<entryReference>capas de encapsulamiento<sref ref="H01L0021560000"></sref>
													</entryReference>
												</titlePart>
												<titlePart>
													<text>Postratamiento de estas capas</text>
												</titlePart>
												<titlePart>
													<text>Selección de<NBSP/><GREF GLOBAL="" REFID="MATERIAL">materiales</GREF> para estas capas</text>
												</titlePart>
											</title>
										</textBody>
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											<textBody>
												<title>
													<titlePart>
														<text>Postratamiento</text>
													</titlePart>
												</title>
											</textBody>
											<ipcEntry edition="19900101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="7" lang="ES" symbol="H01L0021311000" nocore="yes">
												<textBody>
													<title>
														<titlePart>
															<text>Grabado de las capas aislantes</text>
														</titlePart>
													</title>
												</textBody>
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											<ipcEntry edition="19900101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="7" lang="ES" symbol="H01L0021311500" nocore="yes">
												<textBody>
													<title>
														<titlePart>
															<text>Dopado de las capas aislantes</text>
														</titlePart>
													</title>
												</textBody>
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										</ipcEntry>
										<ipcEntry edition="19740701,19900101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="6" lang="ES" symbol="H01L0021312000" nocore="yes">
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												<title>
													<titlePart>
														<text>Capas orgánicas, p. ej. capa fotosensible</text>
														<entryReference>
															<sref ref="H01L0021310500"></sref>,<sref ref="H01L0021320000"></sref>tienen prioridad</entryReference>
													</titlePart>
												</title>
											</textBody>
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												<title>
													<titlePart>
														<text>Capas inorgánicas</text>
														<entryReference>
															<sref ref="H01L0021310500"></sref>,<sref ref="H01L0021320000"></sref>tienen prioridad</entryReference>
													</titlePart>
												</title>
											</textBody>
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												<textBody>
													<title>
														<titlePart>
															<text>compuestas de óxidos o de óxidos vítreos o de vidrios a base de óxido</text>
														</titlePart>
													</title>
												</textBody>
											</ipcEntry>
											<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="A" kind="7" lang="ES" symbol="H01L0021318000" nocore="yes">
												<textBody>
													<title>
														<titlePart>
															<text>compuestas de nitruros</text>
														</titlePart>
													</title>
												</textBody>
											</ipcEntry>
										</ipcEntry>
										<ipcEntry edition="19740701,19900101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="6" lang="ES" symbol="H01L0021320000" nocore="yes">
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												<title>
													<titlePart>
														<text>utilizando máscaras</text>
													</titlePart>
												</title>
											</textBody>
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										<ipcEntry edition="19900101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="6" lang="EN" symbol="H01L0021320500" definition="yes" nocore="yes">
											<textBody>
												<title>
													<titlePart>
														<text>Depósito de capas no aislantes, p. ej. conductoras o resistivas, sobre capas aislantes</text>
													</titlePart>
													<titlePart>
														<text>Postratamiento de esas capas</text>
														<entryReference>fabricación de electrodos<sref ref="H01L0021280000"></sref>
														</entryReference>
													</titlePart>
												</title>
											</textBody>
											<ipcEntry edition="19900101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="7" lang="ES" symbol="H01L0021321000" nocore="yes">
												<textBody>
													<title>
														<titlePart>
															<text>Postratamiento</text>
														</titlePart>
													</title>
												</textBody>
												<ipcEntry edition="19950101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="8" lang="ES" symbol="H01L0021321300" nocore="yes">
													<textBody>
														<title>
															<titlePart>
																<text>Grabado físico o químico de las capas, p. ej. para producir una capa con una configuración determinada a partir de una capa extendida predepositada</text>
															</titlePart>
														</title>
													</textBody>
												</ipcEntry>
												<ipcEntry edition="19900101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="8" lang="ES" symbol="H01L0021321500" nocore="yes">
													<textBody>
														<title>
															<titlePart>
																<text>Dopado de las capas</text>
															</titlePart>
														</title>
													</textBody>
												</ipcEntry>
											</ipcEntry>
										</ipcEntry>
									</ipcEntry>
									<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="A" kind="5" lang="ES" symbol="H01L0021322000" nocore="yes">
										<textBody>
											<title>
												<titlePart>
													<text>para modificar sus propiedades internas, p. ej. para producir defectos internos</text>
												</titlePart>
											</title>
										</textBody>
									</ipcEntry>
									<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="A" kind="5" lang="ES" symbol="H01L0021324000" nocore="yes">
										<textBody>
											<title>
												<titlePart>
													<text>Tratamiento térmico para modificar las propiedades de los cuerpos semiconductores, p. ej. recocido, sinterización</text>
													<entryReference>
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												</titlePart>
											</title>
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									<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="A" kind="5" lang="ES" symbol="H01L0021326000" nocore="yes">
										<textBody>
											<title>
												<titlePart>
													<text>Aplicación de corrientes o de campos eléctricos, p. ej. para electromoldeo</text>
													<entryReference>
														<mref endRef="H01L0021288000" endRefLevel="c" endRefType="/" ref="H01L0021200000" refLevel="c" refType="/"></mref>,<mref endRef="H01L0021324000" endRefLevel="c" endRefType="/" ref="H01L0021302000" refLevel="c" refType="/"></mref>tienen prioridad</entryReference>
												</titlePart>
											</title>
										</textBody>
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									<textBody>
										<title>
											<titlePart>
												<text>Procedimientos que comportan varias etapas para la fabricación de dispositivos de tipo bipolar, p. ej. diodos, transistores, tiristores</text>
											</titlePart>
										</title>
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									<ipcEntry edition="19900101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="5" lang="ES" symbol="H01L0021329000" nocore="yes">
										<textBody>
											<title>
												<titlePart>
													<text>teniendo los dispositivos uno o dos electrodos, p. ej. diodos</text>
												</titlePart>
											</title>
										</textBody>
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									<ipcEntry edition="19900101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="5" lang="ES" symbol="H01L0021330000" nocore="yes">
										<textBody>
											<title>
												<titlePart>
													<text>teniendo los dispositivos tres o más electrodos</text>
												</titlePart>
											</title>
										</textBody>
										<ipcEntry edition="19900101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="6" lang="ES" symbol="H01L0021331000" nocore="yes">
											<textBody>
												<title>
													<titlePart>
														<text>Transistores</text>
													</titlePart>
												</title>
											</textBody>
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											<textBody>
												<title>
													<titlePart>
														<text>Tiristores</text>
													</titlePart>
												</title>
											</textBody>
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											<titlePart>
												<text>Procedimientos que comportan varias etapas para la fabricación de dispositivos de tipo unipolar</text>
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												<titlePart>
													<text>Transistores de efecto de campo</text>
												</titlePart>
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													<titlePart>
														<text>con puerta aislada</text>
													</titlePart>
												</title>
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													<titlePart>
														<text>con unión PN</text>
													</titlePart>
												</title>
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													<titlePart>
														<text>con puerta Schottky</text>
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													<text>Dispositivos de transferencia de carga</text>
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											<text>los dispositivos tienen cuerpos semiconductores no cubiertos por los grupos<sref ref="H01L0021060000"></sref>,<sref ref="H01L0021160000"></sref>, y<sref ref="H01L0021180000"></sref>con o sin impurezas, p. ej.<NBSP/><GREF GLOBAL="" REFID="MATERIAL">material</GREF> de dopado</text>
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											<titlePart>
												<text>Depósito de<NBSP/><GREF GLOBAL="" REFID="MATERIAL">materiales</GREF> semiconductores sobre un sustrato, p. ej. crecimiento epitaxial</text>
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												<titlePart>
													<text>utilizando un depósito físico, p. ej. depósito bajo vacío, pulverización</text>
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												<titlePart>
													<text>utilizando la reducción o la descomposición de un compuesto gaseoso que dan un condensado sólido, es decir, un depósito químico</text>
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												<titlePart>
													<text>utilizando un depósito líquido</text>
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											<titlePart>
												<text>Difusión de impurezas, p. ej.<NBSP/><GREF GLOBAL="" REFID="MATERIAL">materiales</GREF> de dopado,<NBSP/><GREF GLOBAL="" REFID="MATERIAL">materiales</GREF> para electrodos, en o fuera del cuerpo semiconductor, o entre las regiones semiconductoras</text>
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											<title>
												<titlePart>
													<text>utilizando la difusión en o fuera de un sólido, a partir de o en una fase gaseosa</text>
												</titlePart>
											</title>
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											<title>
												<titlePart>
													<text>utilizando la difusión en o fuera de un sólido, a partir de o en una fase sólida, p. ej. una capa de óxido dopada</text>
												</titlePart>
											</title>
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											<title>
												<titlePart>
													<text>utilizando la difusión en o fuera de un sólido, a partir de o en una fase líquida, p. ej. procesos de difusión de aleación</text>
												</titlePart>
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										<title>
											<titlePart>
												<text>Formación de aleaciones de impurezas, p. ej. de los<NBSP/><GREF GLOBAL="" REFID="MATERIAL">materiales</GREF> de dopado, de los<NBSP/><GREF GLOBAL="" REFID="MATERIAL">materiales</GREF> para electrodos, con un cuerpo semiconductor</text>
											</titlePart>
										</title>
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												<text>Bombardeo por radiaciones</text>
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												<titlePart>
													<text>por radiaciones de energía elevada</text>
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													<titlePart>
														<text>que producen una implantación de iones</text>
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													<title>
														<titlePart>
															<text>utilizando máscaras</text>
														</titlePart>
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												<title>
													<titlePart>
														<text>utilizando radiaciones electromagnéticas, p. ej. rayos láser</text>
													</titlePart>
												</title>
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											<titlePart>
												<text>Fabricación de electrodos sobre los cuerpos semiconductores por empleo de procesos o aparatos no cubiertos por los grupos<mref endRef="H01L0021428000" endRefLevel="c" endRefType="/" ref="H01L0021360000" refLevel="c" refType="/"></mref>
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											<title>
												<titlePart>
													<text>Depósito de<NBSP/><GREF GLOBAL="" REFID="MATERIAL">materiales</GREF> conductores o aislantes para los electrodos</text>
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												<title>
													<titlePart>
														<text>a partir de un gas o vapor, p. ej. condensación</text>
													</titlePart>
												</title>
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												<title>
													<titlePart>
														<text>a partir de un líquido, p. ej. depósito electrolítico</text>
													</titlePart>
												</title>
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											<title>
												<titlePart>
													<text>que implican la aplicación de una presión, p. ej. soldadura por termocompresión</text>
													<entryReference>
														<sref ref="H01L0021607000"></sref>tiene prioridad</entryReference>
												</titlePart>
											</title>
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											<title>
												<titlePart>
													<text>que implican la aplicación de vibraciones mecánicas, p. ej. vibraciones ultrasónicas</text>
												</titlePart>
											</title>
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										<title>
											<titlePart>
												<text>Tratamiento de cuerpos semiconductores utilizando procesos o aparatos no cubiertos por los grupos<mref endRef="H01L0021428000" endRefLevel="c" endRefType="/" ref="H01L0021360000" refLevel="c" refType="/"></mref>
												</text>
												<entryReference>fabricación de electrodos sobre estos cuerpos<sref ref="H01L0021440000"></sref>
												</entryReference>
											</titlePart>
										</title>
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											<title>
												<titlePart>
													<text>para cambiar las características físicas o la forma de su superficie, p. ej. grabado, pulido, recortado</text>
												</titlePart>
											</title>
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												<title>
													<titlePart>
														<text>Tratamiento mecánico, p. ej. trituración, tratamiento por ultrasonidos</text>
													</titlePart>
												</title>
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												<title>
													<titlePart>
														<text>Tratamiento químico o eléctrico, p. ej. grabado electrolítico</text>
														<entryReference>para formar capas aislantes<sref ref="H01L0021469000"></sref>
														</entryReference>
													</titlePart>
												</title>
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													<title>
														<titlePart>
															<text>utilizando máscaras</text>
														</titlePart>
													</title>
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												<title>
													<titlePart>
														<text>para formar las capas aislantes sobre los cuerpos, p. ej. para enmascarar o que utilizan técnicas fotolitográficas</text>
														<entryReference>capas de encapsulación<sref ref="H01L0021560000"></sref>
														</entryReference>
													</titlePart>
													<titlePart>
														<text>Postratamiento de esas capas</text>
													</titlePart>
												</title>
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													<title>
														<titlePart>
															<text>Capas orgánicas, p. ej. capa fotosensible</text>
															<entryReference>
																<sref ref="H01L0021475000"></sref>,<sref ref="H01L0021475700"></sref>tienen prioridad</entryReference>
														</titlePart>
													</title>
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													<title>
														<titlePart>
															<text>Capas inorgánicas</text>
															<entryReference>
																<sref ref="H01L0021475000"></sref>,<sref ref="H01L0021475700"></sref>tienen prioridad</entryReference>
														</titlePart>
													</title>
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														<title>
															<titlePart>
																<text>compuestas de óxido, óxidos vítreos o de cristales a base de óxido</text>
															</titlePart>
														</title>
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													<title>
														<titlePart>
															<text>utilizando máscaras</text>
														</titlePart>
													</title>
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													<title>
														<titlePart>
															<text>Postratamiento</text>
														</titlePart>
													</title>
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												<title>
													<titlePart>
														<text>Depósito de capas no aislantes, p. ej. conductoras, resistivas sobre capas aislantes</text>
													</titlePart>
													<titlePart>
														<text>Postratamiento de esas capas</text>
														<entryReference>fabricación de electrodos<sref ref="H01L0021280000"></sref>
														</entryReference>
													</titlePart>
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											<title>
												<titlePart>
													<text>Tratamiento térmico para modificar las propiedades de los cuerpos semiconductores, p. ej. recocido, sinterización</text>
													<entryReference>
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											<title>
												<titlePart>
													<text>Aplicación de corrientes o de campos eléctricos, p. ej. para electromoldeo</text>
													<entryReference>
														<mref endRef="H01L0021449000" endRefLevel="c" endRefType="/" ref="H01L0021360000" refLevel="c" refType="/"></mref>,<mref endRef="H01L0021477000" endRefLevel="c" endRefType="/" ref="H01L0021461000" refLevel="c" refType="/"></mref>tienen prioridad</entryReference>
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									<title>
										<titlePart>
											<text>Fabricación o tratamiento de partes, p. ej. de contenedores, antes del ensamblado de los dispositivos, utilizando procedimientos no cubiertos por un único grupo de<mref endRef="H01L0021326000" ref="H01L0021060000"></mref>
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									<title>
										<titlePart>
											<text>Ensamblaje de dispositivos semiconductores utilizando procesos o aparatos no cubiertos por un único grupo de<mref endRef="H01L0021326000" endRefLevel="c" endRefType="/" ref="H01L0021060000" refLevel="c" refType="/"></mref>
											</text>
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										<title>
											<titlePart>
												<text>Montaje de cuerpos semiconductores en los contenedores</text>
											</titlePart>
										</title>
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										<title>
											<titlePart>
												<text>Rellenado de contenedores, p. ej. rellenado gaseoso</text>
											</titlePart>
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										<title>
											<titlePart>
												<text>Encapsulación, p. ej. capas de encapsulado, revestimientos</text>
											</titlePart>
										</title>
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										<title>
											<titlePart>
												<text>Montaje de los dispositivos semiconductores sobre los soportes</text>
											</titlePart>
										</title>
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									<textBody>
										<title>
											<titlePart>
												<text>Fijación de hilos de conexión o de otras piezas conductoras, para conducir la corriente hacia o desde el dispositivo durante su funcionamiento</text>
											</titlePart>
										</title>
									</textBody>
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											<title>
												<titlePart>
													<text>implicando la aplicación de una presión, p. ej. soldadura por termocompresión</text>
													<entryReference>
														<sref ref="H01L0021607000"></sref>tiene prioridad</entryReference>
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											</title>
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										<textBody>
											<title>
												<titlePart>
													<text>implicando la aplicación de vibraciones mecánicas, p. ej. vibraciones ultrasónicas</text>
												</titlePart>
											</title>
										</textBody>
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						<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="A" kind="2" lang="ES" symbol="H01L0021620000" nocore="yes">
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								<title>
									<titlePart>
										<text>los dispositivos no tienen barrera de potencial ni de superficie</text>
									</titlePart>
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							<title>
								<titlePart>
									<text>Fabricación o tratamiento de dispositivos de estado sólido diferentes de los dispositivos de semiconductores, o de sus partes constitutivas, por métodos no concebidos especialmente para uno de los dispositivos cubiertos por los grupos<mref endRef="H01L0051000000" endRefLevel="c" endRefType="/" ref="H01L0031000000" refLevel="c" refType="/"></mref>
									</text>
								</titlePart>
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							<title>
								<titlePart>
									<text>Ensayos o medidas durante la fabricación o tratamiento</text>
								</titlePart>
							</title>
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						<textBody>
							<title>
								<titlePart>
									<text>Aparatos especialmente adaptados para el manejo de dispositivos semiconductores o eléctricos de estado sólido durante su fabricación o tratamiento</text>
								</titlePart>
								<titlePart>
									<text>Aparatos especialmente adaptados para el manejo de obleas durante la fabricación o tratamiento de dispositivos o componentes semiconductores o eléctricos de estado sólido</text>
								</titlePart>
							</title>
						</textBody>
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								<title>
									<titlePart>
										<text>que utilizan portadores especialmente adaptados</text>
									</titlePart>
								</title>
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								<title>
									<titlePart>
										<text>para el transporte, p. ej. entre diferentes estaciones de trabajo</text>
									</titlePart>
								</title>
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								<title>
									<titlePart>
										<text>para el posicionado, orientación o alineación</text>
									</titlePart>
								</title>
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								<title>
									<titlePart>
										<text>para sostener o sujetar</text>
										<entryReference>para el posicionado, orientación o alineación<sref ref="H01L0021680000"></sref>
										</entryReference>
									</titlePart>
								</title>
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									<title>
										<titlePart>
											<text>que utilizan medios mecánicos, p. ej. mandiles, abrazaderas o pinzas</text>
										</titlePart>
									</title>
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							<title>
								<titlePart>
									<text>Fabricación o tratamiento de dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes de estado sólido o de circuitos integrados formados en o sobre un sustrato común, o de partes constitutivas específicas de éstos</text>
								</titlePart>
								<titlePart>
									<text>Fabricación de dispositivos de circuito integrado o de partes constitutivas específicas de éstos</text>
									<entryReference>fabricación de conjuntos de componentes eléctricos prefabricados<sref ref="H05K0003000000"></sref>,<sref ref="H05K0013000000"></sref>
									</entryReference>
								</titlePart>
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								<title>
									<titlePart>
										<text>Fabricación de partes constitutivas específicas de dispositivos definidos en el grupo<sref ref="H01L0021700000"></sref>
										</text>
										<entryReference>
											<sref ref="H01L0021280000"></sref>,<sref ref="H01L0021440000"></sref>,<sref ref="H01L0021480000"></sref>tienen prioridad</entryReference>
									</titlePart>
								</title>
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									<title>
										<titlePart>
											<text>Realización de regiones profundas de alta concentración de impurezas, p. ej. capas colectoras profundas, conexiones internas</text>
										</titlePart>
									</title>
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									<title>
										<titlePart>
											<text>Realización de regiones aislantes entre los componentes</text>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
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										<title>
											<titlePart>
												<text>Uniones PN</text>
											</titlePart>
										</title>
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										<title>
											<titlePart>
												<text>Regiones dieléctricas</text>
											</titlePart>
										</title>
									</textBody>
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										<title>
											<titlePart>
												<text>Regiones semiconductoras policristalinas</text>
											</titlePart>
										</title>
									</textBody>
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										<title>
											<titlePart>
												<text>Espacios de aire</text>
											</titlePart>
										</title>
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										<title>
											<titlePart>
												<text>por efecto de campo</text>
											</titlePart>
										</title>
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									<title>
										<titlePart>
											<text>Fijación de interconexiones que sirvan para conducir la corriente entre componentes separados en el interior de un dispositivo</text>
										</titlePart>
									</title>
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								<title>
									<titlePart>
										<text>Fabricación o tratamiento de dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes de estado sólido o circuitos integrados formados en o sobre un sustrato común</text>
									</titlePart>
								</title>
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									<title>
										<titlePart>
											<text>con una división ulterior del sustrato en una pluralidad de componentes individuales</text>
											<entryReference>corte para cambiar las características físicas de superficie o la forma de los cuerpos semiconductores<sref ref="H01L0021304000"></sref>
											</entryReference>
										</titlePart>
									</title>
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									<textBody>
										<title>
											<titlePart>
												<text>para producir dispositivos que consisten cada uno en un solo elemento de circuito</text>
												<entryReference>
													<sref ref="H01L0021820000"></sref>tiene prioridad</entryReference>
											</titlePart>
										</title>
									</textBody>
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										<textBody>
											<title>
												<titlePart>
													<text>siendo el sustrato un cuerpo semiconductor</text>
												</titlePart>
											</title>
										</textBody>
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										<textBody>
											<title>
												<titlePart>
													<text>siendo el substrato distinto de un cuerpo semiconductor, p. ej. un cuerpo aislante</text>
												</titlePart>
											</title>
										</textBody>
									</ipcEntry>
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										<title>
											<titlePart>
												<text>para producir dispositivos, p. ej. circuitos integrados que consisten cada uno en una pluralidad de componentes</text>
											</titlePart>
										</title>
									</textBody>
									<ipcEntry edition="19950101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="5" lang="ES" symbol="H01L0021822000" nocore="yes">
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											<title>
												<titlePart>
													<text>siendo el sustrato un semiconductor, utilizando tecnología de silicio</text>
													<entryReference>
														<sref ref="H01L0021825800"></sref>tiene prioridad</entryReference>
												</titlePart>
											</title>
										</textBody>
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											<textBody>
												<title>
													<titlePart>
														<text>Tecnología bipolar</text>
													</titlePart>
												</title>
											</textBody>
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												<textBody>
													<title>
														<titlePart>
															<text>que comprende una combinación de transistores verticales y laterales</text>
														</titlePart>
													</title>
												</textBody>
											</ipcEntry>
											<ipcEntry edition="19950101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="7" lang="ES" symbol="H01L0021822600" nocore="yes">
												<textBody>
													<title>
														<titlePart>
															<text>que comprende una lógica de transistores fusionados o una lógica de inyección integrada</text>
														</titlePart>
													</title>
												</textBody>
											</ipcEntry>
											<ipcEntry edition="19950101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="7" lang="ES" symbol="H01L0021822800" nocore="yes">
												<textBody>
													<title>
														<titlePart>
															<text>Dispositivos complementarios, p. ej. transistores complementarios</text>
														</titlePart>
													</title>
												</textBody>
											</ipcEntry>
											<ipcEntry edition="19950101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="7" lang="ES" symbol="H01L0021822900" nocore="yes">
												<textBody>
													<title>
														<titlePart>
															<text>Estructuras de memorias</text>
														</titlePart>
													</title>
												</textBody>
											</ipcEntry>
										</ipcEntry>
										<ipcEntry edition="19950101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="6" lang="ES" symbol="H01L0021823200" nocore="yes">
											<textBody>
												<title>
													<titlePart>
														<text>Tecnología de efecto de campo</text>
													</titlePart>
												</title>
											</textBody>
											<ipcEntry edition="19950101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="7" lang="ES" symbol="H01L0021823400" nocore="yes">
												<textBody>
													<title>
														<titlePart>
															<text>Tecnología MIS</text>
														</titlePart>
													</title>
												</textBody>
												<ipcEntry edition="19950101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="8" lang="ES" symbol="H01L0021823600" nocore="yes">
													<textBody>
														<title>
															<titlePart>
																<text>Combinación de transistores de enriquecimiento y transistores de empobrecimiento</text>
															</titlePart>
														</title>
													</textBody>
												</ipcEntry>
												<ipcEntry edition="19950101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="8" lang="ES" symbol="H01L0021823800" nocore="yes">
													<textBody>
														<title>
															<titlePart>
																<text>Transistores de efecto de campo complementarios, p. ej. CMOS</text>
															</titlePart>
														</title>
													</textBody>
												</ipcEntry>
												<ipcEntry edition="19950101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="8" lang="ES" symbol="H01L0021823900" nocore="yes">
													<textBody>
														<title>
															<titlePart>
																<text>Estructuras de memorias</text>
															</titlePart>
														</title>
													</textBody>
													<ipcEntry edition="19950101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="9" lang="ES" symbol="H01L0021824200" nocore="yes">
														<textBody>
															<title>
																<titlePart>
																	<text>Estructuras de memorias dinámicas de acceso aleatorio (DRAM)</text>
																</titlePart>
															</title>
														</textBody>
													</ipcEntry>
													<ipcEntry edition="19950101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="9" lang="ES" symbol="H01L0021824400" nocore="yes">
														<textBody>
															<title>
																<titlePart>
																	<text>Estructuras de memorias estáticas de acceso aleatorio (SRAM)</text>
																</titlePart>
															</title>
														</textBody>
													</ipcEntry>
													<ipcEntry edition="19950101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="9" lang="ES" symbol="H01L0021824600" nocore="yes">
														<textBody>
															<title>
																<titlePart>
																	<text>Estructuras de memorias de solo lectura (ROM)</text>
																</titlePart>
															</title>
														</textBody>
														<ipcEntry edition="19950101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="A" lang="ES" symbol="H01L0021824700" nocore="yes">
															<textBody>
																<title>
																	<titlePart>
																		<text>programables eléctricamente (EPROM)</text>
																	</titlePart>
																</title>
															</textBody>
														</ipcEntry>
													</ipcEntry>
												</ipcEntry>
											</ipcEntry>
										</ipcEntry>
										<ipcEntry edition="19950101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="6" lang="ES" symbol="H01L0021824800" nocore="yes">
											<textBody>
												<title>
													<titlePart>
														<text>Combinación de tecnología bipolar y tecnología de efecto de campo</text>
													</titlePart>
												</title>
											</textBody>
											<ipcEntry edition="19950101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="7" lang="ES" symbol="H01L0021824900" nocore="yes">
												<textBody>
													<title>
														<titlePart>
															<text>Tecnología bipolar y MOS</text>
														</titlePart>
													</title>
												</textBody>
											</ipcEntry>
										</ipcEntry>
									</ipcEntry>
									<ipcEntry edition="19950101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="5" lang="ES" symbol="H01L0021825200" nocore="yes">
										<textBody>
											<title>
												<titlePart>
													<text>siendo el sustrato un semiconductor, utilizando tecnología III-V</text>
													<entryReference>
														<sref ref="H01L0021825800"></sref>tiene prioridad</entryReference>
												</titlePart>
											</title>
										</textBody>
									</ipcEntry>
									<ipcEntry edition="19950101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="5" lang="ES" symbol="H01L0021825400" nocore="yes">
										<textBody>
											<title>
												<titlePart>
													<text>siendo el sustrato un semiconductor, utilizando tecnología II-IV</text>
													<entryReference>
														<sref ref="H01L0021825800"></sref>tiene prioridad</entryReference>
												</titlePart>
											</title>
										</textBody>
									</ipcEntry>
									<ipcEntry edition="19950101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="5" lang="ES" symbol="H01L0021825600" nocore="yes">
										<textBody>
											<title>
												<titlePart>
													<text>siendo el sustrato un semiconductor, utilizando tecnologías no cubiertas por uno de los grupos<sref ref="H01L0021822000"></sref>,<sref ref="H01L0021825200"></sref>ó<sref ref="H01L0021825400"></sref>
													</text>
													<entryReference>
														<sref ref="H01L0021825800"></sref>tiene prioridad</entryReference>
												</titlePart>
											</title>
										</textBody>
									</ipcEntry>
									<ipcEntry edition="19950101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="5" lang="ES" symbol="H01L0021825800" nocore="yes">
										<textBody>
											<title>
												<titlePart>
													<text>siendo el sustrato un semiconductor, utilizando una combinación de tecnologías cubiertas por los grupos<sref ref="H01L0021822000"></sref>,<sref ref="H01L0021825200"></sref>,<sref ref="H01L0021825400"></sref>ó<sref ref="H01L0021825600"></sref>
													</text>
												</titlePart>
											</title>
										</textBody>
									</ipcEntry>
									<ipcEntry edition="19740701,19950101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="5" lang="ES" symbol="H01L0021840000" nocore="yes">
										<textBody>
											<title>
												<titlePart>
													<text>siendo el sustrato diferente a un cuerpo semiconductor, p. ej. un cuerpo aislante</text>
												</titlePart>
											</title>
										</textBody>
										<ipcEntry edition="19740701,19950101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="6" lang="ES" symbol="H01L0021860000" nocore="yes">
											<textBody>
												<title>
													<titlePart>
														<text>siendo el cuerpo aislante de zafiro, p. ej. silicio sobre una estructura de zafiro, es decir, S.O.S.</text>
													</titlePart>
												</title>
											</textBody>
										</ipcEntry>
									</ipcEntry>
								</ipcEntry>
							</ipcEntry>
						</ipcEntry>
						<ipcEntry edition="19740701,19900101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="2" lang="EN" symbol="H01L0021980000" definition="yes" nocore="yes">
							<textBody>
								<title>
									<titlePart>
										<text>Ensamblaje de dispositivos que consisten en componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común</text>
									</titlePart>
									<titlePart>
										<text>Ensamblaje de dispositivos de circuito integrado</text>
										<entryReference>
											<sref ref="H01L0021500000"></sref>tiene prioridad</entryReference>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
						</ipcEntry>
					</ipcEntry>
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				<ipcEntry edition="19740701,19900101" entryType="K" ipcLevel="C" kind="m" lang="ES" priorityOrder="140" symbol="H01L0023000000" nocore="yes">
					<textBody>
						<title>
							<titlePart>
								<text>Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido</text>
								<entryReference>
									<sref ref="H01L0025000000"></sref>tiene prioridad</entryReference>
							</titlePart>
						</title>
					</textBody>
					<ipcEntry entryType="K" ipcLevel="C" kind="n" lang="ES" symbol="H01L0023000000" nocore="yes">
						<textBody>
							<note indent="1" type="none">
								<noteParagraph>
									<text>El presente grupo<u>no cubre</u>:</text>
									<subnote indent="1" type="bullet">
										<noteParagraph>
											<text>los detalles de cuerpos semiconductores o de electrodos de dispositivos previstos en el grupo<sref ref="H01L0029000000"></sref>, que quedan cubiertos por dicho grupo;</text>
										</noteParagraph>
										<noteParagraph>
											<text>los detalles particulares de esos dispositivos previstos en un solo grupo principal de los grupos<mref endRef="H01L0051000000" endRefLevel="c" endRefType="/" ref="H01L0031000000" refLevel="c" refType="/"></mref>, que quedan cubiertos por dichos grupos.</text>
										</noteParagraph>
									</subnote>
								</noteParagraph>
							</note>
						</textBody>
					</ipcEntry>
					<ipcEntry edition="19740701,19900101" entryType="K" ipcLevel="C" kind="1" lang="ES" symbol="H01L0023020000" nocore="yes">
						<textBody>
							<title>
								<titlePart>
									<text>Contenedores</text>
								</titlePart>
								<titlePart>
									<text>Sellado</text>
									<entryReference>
										<sref ref="H01L0023120000"></sref>,<sref ref="H01L0023340000"></sref>,<sref ref="H01L0023480000"></sref>,<sref ref="H01L0023552000"></sref>tienen prioridad</entryReference>
								</titlePart>
							</title>
						</textBody>
						<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="A" kind="2" lang="ES" symbol="H01L0023040000" nocore="yes">
							<textBody>
								<title>
									<titlePart>
										<text>caracterizados por la forma</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
							<ipcEntry edition="19900101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="3" lang="ES" symbol="H01L0023043000" nocore="yes">
								<textBody>
									<title>
										<titlePart>
											<text>siendo el contenedor una estructura vacía con una base conductora que sirve de soporte y al mismo tiempo de conexión eléctrica para el cuerpo semiconductor</text>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
								<ipcEntry edition="19900101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="4" lang="ES" symbol="H01L0023045000" nocore="yes">
									<textBody>
										<title>
											<titlePart>
												<text>teniendo las otras conexiones un paso aislado a través de la base</text>
											</titlePart>
										</title>
									</textBody>
								</ipcEntry>
								<ipcEntry edition="19900101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="4" lang="ES" symbol="H01L0023047000" nocore="yes">
									<textBody>
										<title>
											<titlePart>
												<text>siendo las otras conexiones paralelas a la base</text>
											</titlePart>
										</title>
									</textBody>
								</ipcEntry>
								<ipcEntry edition="19900101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="4" lang="ES" symbol="H01L0023049000" nocore="yes">
									<textBody>
										<title>
											<titlePart>
												<text>siendo las otras conexiones perpendiculares a la base</text>
											</titlePart>
										</title>
									</textBody>
								</ipcEntry>
								<ipcEntry edition="19900101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="4" lang="ES" symbol="H01L0023051000" nocore="yes">
									<textBody>
										<title>
											<titlePart>
												<text>estando constituida otra conexión por la cubierta paralela a la base, p. ej. de tipo "sandwich"</text>
											</titlePart>
										</title>
									</textBody>
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									<title>
										<titlePart>
											<text>siendo el contenedor una estructura vacía con una base aislante que sirve de soporte para el cuerpo semiconductor</text>
										</titlePart>
									</title>
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										<title>
											<titlePart>
												<text>teniendo las conexiones un paso a través de la base</text>
											</titlePart>
										</title>
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										<title>
											<titlePart>
												<text>siendo las conexiones paralelas a la base</text>
											</titlePart>
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									<titlePart>
										<text>caracterizados por el material del contenedor o por sus propiedades eléctricas</text>
									</titlePart>
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										<titlePart>
											<text>siendo el material un cuerpo eléctricamente aislante , p. ej. vidrio</text>
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									<titlePart>
										<text>caracterizados por el material o por la disposición de los sellados entre las partes, p. ej. entre la cubierta y la base o entre las conexiones y las paredes del contenedor</text>
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								<titlePart>
									<text>Soportes, p. ej. sustratos aislantes no amovibles</text>
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									<titlePart>
										<text>caracterizados por su forma</text>
									</titlePart>
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									<titlePart>
										<text>caracterizados por el material o por sus propiedades eléctricas</text>
									</titlePart>
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										<titlePart>
											<text>Sustratos en cerámica o en vidrio</text>
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								<titlePart>
									<text>Materiales de relleno o piezas auxiliares en el contenedor, p. ej. anillos de centrado</text>
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										<sref ref="H01L0023420000"></sref>,<sref ref="H01L0023552000"></sref>tienen prioridad</entryReference>
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									<titlePart>
										<text>Materiales de relleno caracterizados por el material o por sus propiedades físicas o químicas, o por su disposición en el interior del dispositivo completo</text>
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											<text>El grupo<sref ref="H01L0023260000"></sref>tiene prioridad sobre los grupos<mref endRef="H01L0023240000" endRefLevel="c" endRefType="/" ref="H01L0023200000" refLevel="c" refType="/"></mref>.<nbsp></nbsp>
											</text>
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										<titlePart>
											<text>gaseosos a la temperatura normal de funcionamiento del dispositivo</text>
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									<title>
										<titlePart>
											<text>líquidos a la temperatura normal de funcionamiento del dispositivo</text>
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										<titlePart>
											<text>sólidos o en estado de gel, a la temperatura normal del funcionamiento del dispositivo</text>
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										<titlePart>
											<text>incluyendo materiales destinados a absorber o a reaccionar con la humedad u otras sustancias indeseables</text>
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							<title>
								<titlePart>
									<text>Encapsulados, p. ej. capas de encapsulado, revestimientos</text>
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										<sref ref="H01L0023552000"></sref>tiene prioridad</entryReference>
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							</title>
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								<title>
									<titlePart>
										<text>caracterizados por el material</text>
									</titlePart>
								</title>
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								<title>
									<titlePart>
										<text>caracterizados por su disposición</text>
									</titlePart>
								</title>
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							<title>
								<titlePart>
									<text>Soportes para mantener el dispositivo completo durante su funcionamiento, es decir, elementos portantes amovibles</text>
									<entryReference>
										<sref ref="H01L0023400000"></sref>tiene prioridad</entryReference>
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							<title>
								<titlePart>
									<text>Disposiciones para la refrigeración, el calentamiento, la ventilación o la compensación de la temperatura</text>
								</titlePart>
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								<title>
									<titlePart>
										<text>Selección de materiales, o su forma, para facilitar la refrigeración o el calentamiento, p. ej. disipadores de calor</text>
									</titlePart>
								</title>
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									<title>
										<titlePart>
											<text>Refrigeración facilitada por la forma del dispositivo</text>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
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									<title>
										<titlePart>
											<text>Refrigeración facilitada por el empleo de materiales particulares para el dispositivo</text>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
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								<title>
									<titlePart>
										<text>Dispositivos de refrigeración que utilizan el efecto Peltier</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
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								<title>
									<titlePart>
										<text>Soportes o medios de fijación para los dispositivos de refrigeración o calentamiento amovibles</text>
									</titlePart>
								</title>
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								<title>
									<titlePart>
										<text>Elección o disposición de<NBSP/><GREF GLOBAL="" REFID="MATERIAL">materiales</GREF> de relleno o de piezas auxiliares en el contenedor para facilitar el calentamiento o la refrigeración</text>
									</titlePart>
								</title>
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									<title>
										<titlePart>
											<text>Refrigeración por cambio de estado, p. ej. uso de tubos caloríficos</text>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
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									<title>
										<titlePart>
											<text>Piezas auxiliares caracterizadas por su forma, p. ej. pistones</text>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
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								<title>
									<titlePart>
										<text>estando el dispositivo completo totalmente sumergido en un fluido diferente al aire</text>
										<entryReference>
											<sref ref="H01L0023427000"></sref>tiene prioridad</entryReference>
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								<title>
									<titlePart>
										<text>implicando la transferencia de calor por fluidos en circulación</text>
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											<sref ref="H01L0023420000"></sref>,<sref ref="H01L0023440000"></sref>tienen prioridad</entryReference>
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									<title>
										<titlePart>
											<text>por circulación de gas, p. ej. aire</text>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
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									<title>
										<titlePart>
											<text>por circulación de líquidos</text>
										</titlePart>
									</title>
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							<title>
								<titlePart>
									<text>Disposiciones para conducir la corriente eléctrica hacia o desde el cuerpo de estado sólido durante su funcionamiento, p. ej. hilos de conexión o bornes</text>
								</titlePart>
							</title>
						</textBody>
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							<textBody>
								<title>
									<titlePart>
										<text>formadas por capas conductoras inseparables del cuerpo semiconductor sobre el que han sido depositadas</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
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								<textBody>
									<title>
										<titlePart>
											<text>formadas por estructuras laminares que comprenden capas conductoras y aislantes, p. ej. contactos planares</text>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
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								<title>
									<titlePart>
										<text>formadas por estructuras soldadas</text>
									</titlePart>
								</title>
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							<ipcEntry edition="19900101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="3" lang="ES" symbol="H01L0023490000" nocore="yes">
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									<title>
										<titlePart>
											<text>del tipo alambres de conexión</text>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
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							<ipcEntry edition="19900101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="3" lang="ES" symbol="H01L0023492000" nocore="yes">
								<textBody>
									<title>
										<titlePart>
											<text>Bases o placas</text>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
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							<ipcEntry edition="19900101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="3" lang="ES" symbol="H01L0023495000" nocore="yes">
								<textBody>
									<title>
										<titlePart>
											<text>Bastidores conductores</text>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
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								<textBody>
									<title>
										<titlePart>
											<text>Conexiones eléctricas sobre sustratos aislantes</text>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
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								<title>
									<titlePart>
										<text>para dispositivos de circuito integrado</text>
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									</titlePart>
								</title>
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							<title>
								<titlePart>
									<text>Disposiciones para conducir la corriente eléctrica en el interior del dispositivo durante su funcionamiento, de un componente a otro</text>
								</titlePart>
							</title>
						</textBody>
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								<title>
									<titlePart>
										<text>que comprenden interconexiones externas formadas por una estructura multicapa de capas conductoras y aislantes inseparables del cuerpo semiconductor sobre el cual han sido depositadas</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
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								<textBody>
									<title>
										<titlePart>
											<text>con interconexiones modificables</text>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
							</ipcEntry>
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								<textBody>
									<title>
										<titlePart>
											<text>Configuración de la estructura de interconexión</text>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
							</ipcEntry>
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									<title>
										<titlePart>
											<text>caracterizadas por los materiales</text>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
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							<textBody>
								<title>
									<titlePart>
										<text>que comprenden interconexiones internas, p. ej. estructuras de interconexión enterradas</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
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							<textBody>
								<title>
									<titlePart>
										<text>estando la estructura de interconexión entre una pluralidad de chips semiconductores situada en el interior o encima de sustratos aislantes</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
						</ipcEntry>
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						<textBody>
							<title>
								<titlePart>
									<text>Marcas aplicadas sobre el dispositivo semiconductor, p. ej. marcas de referencia, esquemas de ensayo</text>
								</titlePart>
							</title>
						</textBody>
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						<textBody>
							<title>
								<titlePart>
									<text>Protección contra las radiaciones, p. ej. la luz</text>
								</titlePart>
							</title>
						</textBody>
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							<textBody>
								<title>
									<titlePart>
										<text>contra los rayos alfa</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
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						<textBody>
							<title>
								<titlePart>
									<text>Disposiciones eléctricas estructurales no previstas en otra parte para dispositivos semiconductores</text>
								</titlePart>
							</title>
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								<title>
									<titlePart>
										<text>Protección contra las cargas o las descargas electrostáticas, p. ej. pantallas Faraday</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
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							<textBody>
								<title>
									<titlePart>
										<text>Protección contra las sobretensiones o sobrecargas, p. ej. fusibles, shunts</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
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							<textBody>
								<title>
									<titlePart>
										<text>Disposiciones relativas a la impedancia</text>
									</titlePart>
								</title>
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									<title>
										<titlePart>
											<text>Adaptaciones para la alta frecuencia</text>
										</titlePart>
									</title>
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						<title>
							<titlePart>
								<text>Conjuntos consistentes en una pluralidad de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido</text>
								<entryReference>dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común<sref ref="H01L0027000000"></sref>
								</entryReference>
								<entryReference>conjuntos de células fotoeléctricas<sref ref="H01L0031042000"></sref>
								</entryReference>
							</titlePart>
						</title>
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							<title>
								<titlePart>
									<text>siendo todos los dispositivos de un tipo previsto en el mismo subgrupo de los grupos<mref endRef="H01L0051000000" endRefLevel="c" endRefType="/" ref="H01L0027000000" refLevel="c" refType="/"></mref>, p. ej. conjuntos de diodos rectificadores</text>
								</titlePart>
							</title>
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								<title>
									<titlePart>
										<text>los dispositivos no tienen contenedores separados</text>
									</titlePart>
								</title>
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								<textBody>
									<title>
										<titlePart>
											<text>siendo los dispositivos de un tipo previsto en el grupo<sref ref="H01L0027000000"></sref>
											</text>
										</titlePart>
									</title>
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									<title>
										<titlePart>
											<text>siendo los dispositivos de un tipo previsto en el grupo<sref ref="H01L0029000000"></sref>
											</text>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
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									<title>
										<titlePart>
											<text>siendo los dispositivos de un tipo previsto en el grupo<sref ref="H01L0033000000"></sref>
											</text>
										</titlePart>
									</title>
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								<title>
									<titlePart>
										<text>los dispositivos tienen contenedores separados</text>
									</titlePart>
								</title>
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									<title>
										<titlePart>
											<text>siendo los dispositivos de un tipo previsto en el grupo<sref ref="H01L0029000000"></sref>
											</text>
										</titlePart>
									</title>
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							<ipcEntry edition="19900101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="3" lang="ES" symbol="H01L0025130000" nocore="yes">
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									<title>
										<titlePart>
											<text>siendo los dispositivos de un tipo previsto en el grupo<sref ref="H01L0033000000"></sref>
											</text>
										</titlePart>
									</title>
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							<title>
								<titlePart>
									<text>siendo los dispositivos de los tipos cubiertos por varios de los grupos principales<mref endRef="H01L0051000000" endRefLevel="c" endRefType="/" ref="H01L0027000000" refLevel="c" refType="/"></mref>, p. ej. circuitos híbridos</text>
								</titlePart>
							</title>
						</textBody>
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							<title>
								<titlePart>
									<text>siendo los dispositivos de tipos previstos en varios subgrupos diferentes del mismo grupo principal de los grupos<mref endRef="H01L0051000000" endRefLevel="c" endRefType="/" ref="H01L0027000000" refLevel="c" refType="/"></mref>
									</text>
								</titlePart>
							</title>
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						<title>
							<titlePart>
								<text>Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común</text>
								<entryReference>detalles<sref ref="H01L0023000000"></sref>,<mref endRef="H01L0051000000" ref="H01L0029000000"></mref>
								</entryReference>
								<entryReference>conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales<sref ref="H01L0025000000"></sref>
								</entryReference>
							</titlePart>
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						<textBody>
							<note indent="1" type="none">
								<noteParagraph edition="19740701">
									<text>En los grupos<mref endRef="H01L0027280000" endRefLevel="c" endRefType="/" ref="H01L0027010000" refLevel="c" refType="/"></mref>, salvo indicación en contra, una invención se clasifica en el último lugar apropiado.</text>
								</noteParagraph>
							</note>
						</textBody>
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					<ipcEntry edition="19800101" entryType="K" ipcLevel="C" kind="1" lang="ES" symbol="H01L0027010000" nocore="yes">
						<textBody>
							<title>
								<titlePart>
									<text>que comprenden solamente elementos pasivos de película delgada o gruesa formados sobre un sustrato aislante común</text>
								</titlePart>
							</title>
						</textBody>
					</ipcEntry>
					<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="C" kind="1" lang="ES" symbol="H01L0027020000" nocore="yes">
						<textBody>
							<title>
								<titlePart>
									<text>incluyendo componentes semiconductores especialmente adaptados para rectificación, amplificación, generación de oscilaciones, conmutación y teniendo al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie.</text>
								</titlePart>
								<titlePart>
									<text>incluyendo elementos de circuito pasivos integrados con al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie</text>
								</titlePart>
							</title>
						</textBody>
						<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="C" kind="2" lang="ES" symbol="H01L0027040000" nocore="yes">
							<textBody>
								<title>
									<titlePart>
										<text>el sustrato común es un cuerpo semiconductor</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
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								<textBody>
									<title>
										<titlePart>
											<text>con una pluralidad de componentes individuales en una configuración no repetitiva</text>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
								<ipcEntry edition="19900101" entryType="K" ipcLevel="C" kind="4" lang="ES" symbol="H01L0027070000" nocore="yes">
									<textBody>
										<title>
											<titlePart>
												<text>teniendo los componentes una región activa en común</text>
											</titlePart>
										</title>
									</textBody>
								</ipcEntry>
							</ipcEntry>
							<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="C" kind="3" lang="ES" symbol="H01L0027080000" nocore="yes">
								<textBody>
									<title>
										<titlePart>
											<text>únicamente con componentes semiconductores de un solo tipo</text>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
								<ipcEntry edition="19900101" entryType="K" ipcLevel="C" kind="4" lang="ES" symbol="H01L0027082000" nocore="yes">
									<textBody>
										<title>
											<titlePart>
												<text>comprendiendo únicamente componentes bipolares</text>
											</titlePart>
										</title>
									</textBody>
								</ipcEntry>
								<ipcEntry edition="19900101" entryType="K" ipcLevel="C" kind="4" lang="ES" symbol="H01L0027085000" nocore="yes">
									<textBody>
										<title>
											<titlePart>
												<text>comprendiendo únicamente componentes de efecto de campo</text>
											</titlePart>
										</title>
									</textBody>
									<ipcEntry edition="19900101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="5" lang="ES" symbol="H01L0027088000" nocore="yes">
										<textBody>
											<title>
												<titlePart>
													<text>siendo los componentes transistores de efecto de campo de puerta aislada</text>
												</titlePart>
											</title>
										</textBody>
										<ipcEntry edition="19900101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="6" lang="ES" symbol="H01L0027092000" nocore="yes">
											<textBody>
												<title>
													<titlePart>
														<text>transistores de efecto de campo metal-aislante-semiconductor complementario</text>
													</titlePart>
												</title>
											</textBody>
										</ipcEntry>
									</ipcEntry>
									<ipcEntry edition="19900101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="5" lang="ES" symbol="H01L0027095000" nocore="yes">
										<textBody>
											<title>
												<titlePart>
													<text>siendo los componentes transistores de efecto de campo con puerta de barrera Schottky</text>
												</titlePart>
											</title>
										</textBody>
									</ipcEntry>
									<ipcEntry edition="19900101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="5" lang="ES" symbol="H01L0027098000" nocore="yes">
										<textBody>
											<title>
												<titlePart>
													<text>siendo los componentes transistores de efecto de campo con puerta de unión PN</text>
												</titlePart>
											</title>
										</textBody>
									</ipcEntry>
								</ipcEntry>
							</ipcEntry>
							<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="C" kind="3" lang="ES" symbol="H01L0027100000" nocore="yes">
								<textBody>
									<title>
										<titlePart>
											<text>con una pluralidad de componentes individuales en una configuración repetitiva</text>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
								<ipcEntry edition="19900101" entryType="K" ipcLevel="C" kind="4" lang="ES" symbol="H01L0027102000" nocore="yes">
									<textBody>
										<title>
											<titlePart>
												<text>comprendiendo componentes bipolares</text>
											</titlePart>
										</title>
									</textBody>
								</ipcEntry>
								<ipcEntry edition="19900101" entryType="K" ipcLevel="C" kind="4" lang="ES" symbol="H01L0027105000" nocore="yes">
									<textBody>
										<title>
											<titlePart>
												<text>comprendiendo componentes de efecto de campo</text>
											</titlePart>
										</title>
									</textBody>
									<ipcEntry edition="19900101" entryType="K" ipcLevel="C" kind="5" lang="ES" symbol="H01L0027108000" nocore="yes">
										<textBody>
											<title>
												<titlePart>
													<text>Estructuras de memorias dinámicas de acceso aleatorio</text>
												</titlePart>
											</title>
										</textBody>
									</ipcEntry>
									<ipcEntry edition="19900101" entryType="K" ipcLevel="C" kind="5" lang="ES" symbol="H01L0027110000" nocore="yes">
										<textBody>
											<title>
												<titlePart>
													<text>Estructuras de memorias estáticas de acceso aleatorio</text>
												</titlePart>
											</title>
										</textBody>
									</ipcEntry>
									<ipcEntry edition="19900101" entryType="K" ipcLevel="C" kind="5" lang="ES" symbol="H01L0027112000" nocore="yes">
										<textBody>
											<title>
												<titlePart>
													<text>Estructuras de memorias de solo lectura</text>
												</titlePart>
											</title>
										</textBody>
										<ipcEntry edition="19900101" entryType="K" ipcLevel="C" kind="6" lang="ES" symbol="H01L0027115000" nocore="yes">
											<textBody>
												<title>
													<titlePart>
														<text>Memorias de solo lectura programables eléctricamente (EPROM)</text>
													</titlePart>
												</title>
											</textBody>
										</ipcEntry>
									</ipcEntry>
								</ipcEntry>
								<ipcEntry edition="19900101" entryType="K" ipcLevel="C" kind="4" lang="ES" symbol="H01L0027118000" nocore="yes">
									<textBody>
										<title>
											<titlePart>
												<text>Circuitos integrados de capa matriz</text>
											</titlePart>
										</title>
									</textBody>
								</ipcEntry>
							</ipcEntry>
						</ipcEntry>
						<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="C" kind="2" lang="ES" symbol="H01L0027120000" nocore="yes">
							<textBody>
								<title>
									<titlePart>
										<text>el sustrato es diferente de un cuerpo semiconductor, p. ej. un cuerpo aislante</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
							<ipcEntry edition="19800101" entryType="K" ipcLevel="C" kind="3" lang="ES" symbol="H01L0027130000" nocore="yes">
								<textBody>
									<title>
										<titlePart>
											<text>combinado con componentes pasivos de película delgada o gruesa</text>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
							</ipcEntry>
						</ipcEntry>
					</ipcEntry>
					<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="C" kind="1" lang="ES" symbol="H01L0027140000" nocore="yes">
						<textBody>
							<title>
								<titlePart>
									<text>con componentes semiconductores sensibles a los rayos infrarrojos, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas o a la radiación corpuscular, y adaptados para convertir la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien como dispositivos de control de la energía eléctrica por tales radiaciones</text>
									<entryReference>componentes sensibles a las radiaciones asociados estructuralmente a una o varias fuentes de luz eléctrica<sref ref="H01L0031140000"></sref>
									</entryReference>
									<entryReference>dispositivos de acoplamiento de guías de luz con elementos opto-electrónicos<sref ref="G02B0006420000"></sref>
									</entryReference>
								</titlePart>
							</title>
						</textBody>
						<ipcEntry edition="19900101" entryType="K" ipcLevel="C" kind="2" lang="ES" symbol="H01L0027142000" nocore="yes">
							<textBody>
								<title>
									<titlePart>
										<text>Dispositivos de conversión de energía</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
						</ipcEntry>
						<ipcEntry edition="19900101" entryType="K" ipcLevel="C" kind="2" lang="ES" symbol="H01L0027144000" nocore="yes">
							<textBody>
								<title>
									<titlePart>
										<text>Dispositivos controlados por radiación</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
							<ipcEntry edition="19900101" entryType="K" ipcLevel="C" kind="3" lang="ES" symbol="H01L0027146000" nocore="yes">
								<textBody>
									<title>
										<titlePart>
											<text>Estructuras de captadores de imágenes</text>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
								<ipcEntry edition="19900101" entryType="K" ipcLevel="C" kind="4" lang="ES" symbol="H01L0027148000" nocore="yes">
									<textBody>
										<title>
											<titlePart>
												<text>Captadores de imágenes por acoplamiento de carga</text>
											</titlePart>
										</title>
									</textBody>
								</ipcEntry>
							</ipcEntry>
						</ipcEntry>
					</ipcEntry>
					<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="C" kind="1" lang="ES" symbol="H01L0027150000" nocore="yes">
						<textBody>
							<title>
								<titlePart>
									<text>con componentes semiconductores con al menos una barrera de potencial o de superficie, adaptados para la emisión de luz</text>
								</titlePart>
							</title>
						</textBody>
					</ipcEntry>
					<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="C" kind="1" lang="ES" symbol="H01L0027160000" nocore="yes">
						<textBody>
							<title>
								<titlePart>
									<text>con componentes termoeléctricos con o sin unión de<NBSP/><GREF GLOBAL="" REFID="MATERIAL">materiales</GREF> diferentes</text>
								</titlePart>
								<titlePart>
									<text>con componentes termomagnéticos</text>
									<entryReference>que utilizan el efecto Peltier únicamente para la refrigeración de dispositivos de semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido<sref ref="H01L0023380000"></sref>
									</entryReference>
								</titlePart>
							</title>
						</textBody>
					</ipcEntry>
					<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="C" kind="1" lang="ES" symbol="H01L0027180000" nocore="yes">
						<textBody>
							<title>
								<titlePart>
									<text>con componentes que presentan un efecto de superconductividad</text>
								</titlePart>
							</title>
						</textBody>
					</ipcEntry>
					<ipcEntry edition="19740701,20000101" entryType="K" ipcLevel="C" kind="1" lang="ES" symbol="H01L0027200000" nocore="yes">
						<textBody>
							<title>
								<titlePart>
									<text>con componentes piezoeléctricos</text>
								</titlePart>
								<titlePart>
									<text>con componentes electroestrictivos</text>
								</titlePart>
								<titlePart>
									<text>con componentes magnetoestrictivos</text>
								</titlePart>
							</title>
						</textBody>
					</ipcEntry>
					<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="C" kind="1" lang="ES" symbol="H01L0027220000" nocore="yes">
						<textBody>
							<title>
								<titlePart>
									<text>con componentes que utilizan los efectos galvanomagnéticos, p. ej. efecto Hall</text>
								</titlePart>
								<titlePart>
									<text>que utilizan los efectos de campos magnéticos análogos</text>
								</titlePart>
							</title>
						</textBody>
					</ipcEntry>
					<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="C" kind="1" lang="ES" symbol="H01L0027240000" nocore="yes">
						<textBody>
							<title>
								<titlePart>
									<text>con componentes de estado sólido para la rectificación, amplificación o conmutación, sin barrera de potencial ni de superficie</text>
								</titlePart>
							</title>
						</textBody>
					</ipcEntry>
					<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="C" kind="1" lang="ES" symbol="H01L0027260000" nocore="yes">
						<textBody>
							<title>
								<titlePart>
									<text>con componentes de resistencia negativa con efecto de volumen</text>
								</titlePart>
							</title>
						</textBody>
					</ipcEntry>
					<ipcEntry edition="20060101" entryType="K" ipcLevel="C" kind="1" lang="ES" symbol="H01L0027280000" nocore="yes">
						<textBody>
							<title>
								<titlePart>
									<text>con componentes que utilizan<NBSP/><GREF GLOBAL="" REFID="MATERIAL">materiales</GREF> orgánicos como la parte activa o que utilizan una combinación de<NBSP/><GREF GLOBAL="" REFID="MATERIAL">materiales</GREF> orgánicos con otros<NBSP/><GREF GLOBAL="" REFID="MATERIAL">materiales</GREF> como la parte activa</text>
								</titlePart>
							</title>
						</textBody>
						<ipcEntry edition="20060101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="2" lang="ES" symbol="H01L0027300000" nocore="yes">
							<textBody>
								<title>
									<titlePart>
										<text>con componentes especialmente adaptados para detectar radiación infrarroja, luz, radiación electromagnética de menor longitud de onda o radiación corpuscular</text>
									</titlePart>
									<titlePart>
										<text>con componentes especialmente adaptados bien para la conversión en energía eléctrica de la energía de dicha radiación o bien para el control de energía eléctrica mediante dicha radiación</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
						</ipcEntry>
						<ipcEntry edition="20060101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="2" lang="ES" symbol="H01L0027320000" nocore="yes">
							<textBody>
								<title>
									<titlePart>
										<text>con componentes especialmente adaptados para la emisión de luz, p. ej. monitores de pantalla plana que utilizan diodos emisores de luz orgánicos</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
						</ipcEntry>
					</ipcEntry>
				</ipcEntry>
				<ipcEntry edition="19740701,19950101" entryType="K" ipcLevel="C" kind="m" lang="EN" priorityOrder="120" symbol="H01L0029000000" trans_user="or" trans_status="s" trans_update="2008-10-30@16:47:35" definition="yes" nocore="yes">
					<textBody>
						<title>
							<titlePart>
								<text>Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie</text>
							</titlePart>
							<titlePart>
								<text>Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga</text>
							</titlePart>
							<titlePart>
								<text>Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos</text>
								<entryReference>
									<mref endRef="H01L0047000000" ref="H01L0031000000"></mref>,<sref ref="H01L0051050000"></sref>tienen prioridad</entryReference>
								<entryReference>otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos<sref ref="H01L0023000000"></sref>
								</entryReference>
								<entryReference>consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común<sref ref="H01L0027000000"></sref>
								</entryReference>
							</titlePart>
						</title>
					</textBody>
					<ipcEntry entryType="K" ipcLevel="C" kind="n" lang="ES" symbol="H01L0029000000" definition="yes" nocore="yes">
						<textBody>
							<note indent="1" type="none">
								<noteParagraph edition="19740701">
									<text>En el presente grupo principal, la clasificación se efectúa a la vez en<sref ref="H01L0029020000"></sref>,<sref ref="H01L0029400000"></sref>y en<sref ref="H01L0029660000"></sref>en la medida en que ambos conjuntos de grupos sean adecuados.</text>
								</noteParagraph>
							</note>
						</textBody>
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					<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="C" kind="1" lang="ES" symbol="H01L0029020000" nocore="yes">
						<textBody>
							<title>
								<titlePart>
									<text>Cuerpos semiconductores</text>
								</titlePart>
							</title>
						</textBody>
						<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="A" kind="2" lang="EN" symbol="H01L0029040000" nocore="yes">
							<textBody>
								<title>
									<titlePart>
										<text>caracterizados por su estructura cristalina, p. ej. policristalina, cúbica o con orientación especial en planos cristalinos</text>
										<entryReference>caracterizados por defectos físicos<sref ref="H01L0029300000"></sref>
										</entryReference>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
						</ipcEntry>
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							<textBody>
								<title>
									<titlePart>
										<text>caracterizados por su forma</text>
									</titlePart>
									<titlePart>
										<text>caracterizado por las formas, las dimensiones relativas o las disposiciones de las regiones semiconductoras</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
							<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="A" kind="3" lang="ES" symbol="H01L0029080000" nocore="yes">
								<textBody>
									<title>
										<titlePart>
											<text>con regiones semiconductoras conectadas a un electrodo que transporta la corriente a rectificar, a amplificar o conmutar, formando parte este electrodo de un dispositivo semiconductor que tiene tres electrodos o más</text>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
							</ipcEntry>
							<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="A" kind="3" lang="ES" symbol="H01L0029100000" nocore="yes">
								<textBody>
									<title>
										<titlePart>
											<text>con regiones semiconductoras conectadas a un electrodo que no transporta la corriente a rectificar, amplificar o conmutar, formando parte este electrodo de un dispositivo semiconductor que tiene tres electrodos o más</text>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
							</ipcEntry>
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						<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="A" kind="2" lang="ES" symbol="H01L0029120000" definition="yes" nocore="yes">
							<textBody>
								<title>
									<titlePart>
										<text>caracterizados por los<NBSP/><GREF GLOBAL="" REFID="MATERIAL">materiales</GREF> de los que están constituidos</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
							<ipcEntry edition="19950101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="3" lang="ES" symbol="H01L0029150000" nocore="yes">
								<textBody>
									<title>
										<titlePart>
											<text>Estructuras con variación de potencial periódica o casi periódica, p. ej. pozos cuánticos múltiples, superredes</text>
											<entryReference>sus aplicaciones en el control de la luz<sref ref="G02F0001017000"></sref>, su aplicación en los láseres de semiconductor<sref ref="H01S0005340000"></sref>
											</entryReference>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
							</ipcEntry>
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								<textBody>
									<note type="none">
										<noteParagraph edition="19950101">
											<text>El grupo<sref ref="H01L0029150000"></sref>tiene prioridad sobre los grupos<mref endRef="H01L0029260000" endRefLevel="c" endRefType="/" ref="H01L0029160000" refLevel="c" refType="/"></mref>.<nbsp></nbsp>
											</text>
										</noteParagraph>
									</note>
								</textBody>
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							<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="A" kind="3" lang="ES" symbol="H01L0029160000" nocore="yes">
								<textBody>
									<title>
										<titlePart>
											<text>incluyendo aparte de los<NBSP/><GREF GLOBAL="" REFID="MATERIAL">materiales</GREF> de dopado u otras impurezas, solamente elementos del cuarto grupo de la tabla periódica en forma no combinada</text>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
								<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="A" kind="4" lang="ES" symbol="H01L0029161000" nocore="yes">
									<textBody>
										<title>
											<titlePart>
												<text>con dos o más de los elementos previstos en<sref ref="H01L0029160000"></sref>
												</text>
											</titlePart>
										</title>
									</textBody>
									<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="A" kind="5" lang="ES" symbol="H01L0029165000" nocore="yes">
										<textBody>
											<title>
												<titlePart>
													<text>en diferentes regiones semiconductoras</text>
												</titlePart>
											</title>
										</textBody>
									</ipcEntry>
								</ipcEntry>
								<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="A" kind="4" lang="ES" symbol="H01L0029167000" nocore="yes">
									<textBody>
										<title>
											<titlePart>
												<text>caracterizados además por el<NBSP/><GREF GLOBAL="" REFID="MATERIAL">material</GREF> de dopado</text>
											</titlePart>
										</title>
									</textBody>
								</ipcEntry>
							</ipcEntry>
							<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="A" kind="3" lang="ES" symbol="H01L0029180000" nocore="yes">
								<textBody>
									<title>
										<titlePart>
											<text>Selenio o teluro únicamente, aparte de los<NBSP/><GREF GLOBAL="" REFID="MATERIAL">materiales</GREF> de dopado u otras impurezas</text>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
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								<textBody>
									<title>
										<titlePart>
											<text>con únicamente compuestos A<sub>III</sub>B<sub>V</sub>aparte de los<NBSP/><GREF GLOBAL="" REFID="MATERIAL">materiales</GREF> de dopado u otras impurezas</text>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
								<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="A" kind="4" lang="ES" symbol="H01L0029201000" nocore="yes">
									<textBody>
										<title>
											<titlePart>
												<text>con varios compuestos</text>
											</titlePart>
										</title>
									</textBody>
									<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="A" kind="5" lang="ES" symbol="H01L0029205000" nocore="yes">
										<textBody>
											<title>
												<titlePart>
													<text>en diferentes regiones semiconductoras</text>
												</titlePart>
											</title>
										</textBody>
									</ipcEntry>
								</ipcEntry>
								<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="A" kind="4" lang="ES" symbol="H01L0029207000" nocore="yes">
									<textBody>
										<title>
											<titlePart>
												<text>caracterizados además por el<NBSP/><GREF GLOBAL="" REFID="MATERIAL">material</GREF> de dopado</text>
											</titlePart>
										</title>
									</textBody>
								</ipcEntry>
							</ipcEntry>
							<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="A" kind="3" lang="ES" symbol="H01L0029220000" nocore="yes">
								<textBody>
									<title>
										<titlePart>
											<text>con únicamente compuestos A<sub>II</sub>B<sub>VI</sub>aparte de los<NBSP/><GREF GLOBAL="" REFID="MATERIAL">materiales</GREF> de dopado u otras impurezas</text>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
								<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="A" kind="4" lang="ES" symbol="H01L0029221000" nocore="yes">
									<textBody>
										<title>
											<titlePart>
												<text>con varios compuestos</text>
											</titlePart>
										</title>
									</textBody>
									<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="A" kind="5" lang="ES" symbol="H01L0029225000" nocore="yes">
										<textBody>
											<title>
												<titlePart>
													<text>en diferentes regiones semiconductoras</text>
												</titlePart>
											</title>
										</textBody>
									</ipcEntry>
								</ipcEntry>
								<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="A" kind="4" lang="ES" symbol="H01L0029227000" nocore="yes">
									<textBody>
										<title>
											<titlePart>
												<text>caracterizados además por el<NBSP/><GREF GLOBAL="" REFID="MATERIAL">material</GREF> de dopado</text>
											</titlePart>
										</title>
									</textBody>
								</ipcEntry>
							</ipcEntry>
							<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="A" kind="3" lang="EN" symbol="H01L0029240000" nocore="yes">
								<textBody>
									<title>
										<titlePart>
											<text>con únicamente<NBSP/><GREF GLOBAL="" REFID="MATERIAL">materiales</GREF> semiconductores inorgánicos, aparte de los<NBSP/><GREF GLOBAL="" REFID="MATERIAL">materiales</GREF> de dopado u otras impurezas, no previstos en los grupos<sref ref="H01L0029160000"></sref>,<sref ref="H01L0029180000"></sref>,<sref ref="H01L0029200000"></sref> o<sref ref="H01L0029220000"></sref>
											</text>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
							</ipcEntry>
							<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="A" kind="3" lang="ES" symbol="H01L0029260000" nocore="yes">
								<textBody>
									<title>
										<titlePart>
											<text>con elementos, aparte de los<NBSP/><GREF GLOBAL="" REFID="MATERIAL">materiales</GREF> de dopado u otras impurezas, cubiertos por varios de los grupos<sref ref="H01L0029160000"></sref>,<sref ref="H01L0029180000"></sref>,<sref ref="H01L0029200000"></sref>,<sref ref="H01L0029220000"></sref>,<sref ref="H01L0029240000"></sref>
											</text>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
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									<textBody>
										<title>
											<titlePart>
												<text>en diferentes regiones semiconductoras</text>
											</titlePart>
										</title>
									</textBody>
								</ipcEntry>
							</ipcEntry>
						</ipcEntry>
						<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="A" kind="2" lang="ES" symbol="H01L0029300000" nocore="yes">
							<textBody>
								<title>
									<titlePart>
										<text>caracterizados por defectos físicos</text>
									</titlePart>
									<titlePart>
										<text>que tienen superficies pulidas o rugosas</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
							<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="A" kind="3" lang="ES" symbol="H01L0029320000" nocore="yes">
								<textBody>
									<title>
										<titlePart>
											<text>los defectos están en el interior del cuerpo semiconductor</text>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
							</ipcEntry>
							<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="A" kind="3" lang="ES" symbol="H01L0029340000" nocore="yes">
								<textBody>
									<title>
										<titlePart>
											<text>los defectos están sobre la superficie</text>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
							</ipcEntry>
						</ipcEntry>
						<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="A" kind="2" lang="ES" symbol="H01L0029360000" nocore="yes">
							<textBody>
								<title>
									<titlePart>
										<text>caracterizados por la concentración o la distribución de impurezas</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
						</ipcEntry>
						<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="A" kind="2" lang="ES" symbol="H01L0029380000" nocore="yes">
							<textBody>
								<title>
									<titlePart>
										<text>caracterizados por las combinaciones de características cubiertas por varios de los grupos<sref ref="H01L0029040000"></sref>,<sref ref="H01L0029060000"></sref>,<sref ref="H01L0029120000"></sref>,<sref ref="H01L0029300000"></sref>,<sref ref="H01L0029360000"></sref>
										</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
						</ipcEntry>
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							<title>
								<titlePart>
									<text>Electrodos</text>
								</titlePart>
							</title>
						</textBody>
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							<textBody>
								<title>
									<titlePart>
										<text>caracterizados por su forma, dimensiones relativas o disposición relativa</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
							<ipcEntry edition="19950101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="3" lang="ES" symbol="H01L0029417000" nocore="yes">
								<textBody>
									<title>
										<titlePart>
											<text>que transportan la corriente a rectificar, amplificar o conmutar</text>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
							</ipcEntry>
							<ipcEntry edition="19950101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="3" lang="ES" symbol="H01L0029423000" nocore="yes">
								<textBody>
									<title>
										<titlePart>
											<text>que no transportan la corriente a rectificar, amplificar o conmutar</text>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
							</ipcEntry>
						</ipcEntry>
						<ipcEntry edition="19950101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="2" lang="ES" symbol="H01L0029430000" nocore="yes">
							<textBody>
								<title>
									<titlePart>
										<text>caracterizados por los<NBSP/><GREF GLOBAL="" REFID="MATERIAL">materiales</GREF> de que están formados</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
							<ipcEntry edition="19950101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="3" lang="ES" symbol="H01L0029450000" nocore="yes">
								<textBody>
									<title>
										<titlePart>
											<text>Electrodos de contacto óhmico</text>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
							</ipcEntry>
							<ipcEntry edition="19950101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="3" lang="ES" symbol="H01L0029470000" nocore="yes">
								<textBody>
									<title>
										<titlePart>
											<text>Electrodos de barrera Schottky</text>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
							</ipcEntry>
							<ipcEntry edition="19950101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="3" lang="ES" symbol="H01L0029490000" nocore="yes">
								<textBody>
									<title>
										<titlePart>
											<text>Electrodos del tipo metal-aislante-semiconductor</text>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
								<ipcEntry edition="19950101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="4" lang="ES" symbol="H01L0029510000" nocore="yes">
									<textBody>
										<title>
											<titlePart>
												<text><GREF GLOBAL="" REFID="MATERIAL">Materiales</GREF> aislantes asociados a estos electrodos</text>
											</titlePart>
										</title>
									</textBody>
								</ipcEntry>
							</ipcEntry>
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						<textBody>
							<title>
								<titlePart>
									<text>Tipos de dispositivos semiconductores</text>
								</titlePart>
							</title>
						</textBody>
						<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="A" kind="2" lang="ES" symbol="H01L0029680000" nocore="yes">
							<textBody>
								<title>
									<titlePart>
										<text>controlables únicamente por la corriente eléctrica suministrada, o la tensión eléctrica aplicada, a un electrodo que no transporta la corriente a rectificar, amplificar o conmutar</text>
										<entryReference>
											<sref ref="H01L0029960000"></sref>tiene prioridad</entryReference>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
							<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="A" kind="3" lang="ES" symbol="H01L0029700000" nocore="yes">
								<textBody>
									<title>
										<titlePart>
											<text>Dispositivos bipolares</text>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
								<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="A" kind="4" lang="ES" symbol="H01L0029720000" nocore="yes">
									<textBody>
										<title>
											<titlePart>
												<text>Dispositivos del tipo transistor, es decir, capaces de responder continuamente a las señales de control aplicadas</text>
											</titlePart>
										</title>
									</textBody>
									<ipcEntry edition="19900101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="5" lang="ES" symbol="H01L0029730000" nocore="yes">
										<textBody>
											<title>
												<titlePart>
													<text>Transistores bipolares de unión</text>
												</titlePart>
											</title>
										</textBody>
										<ipcEntry edition="19950101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="6" lang="ES" symbol="H01L0029732000" nocore="yes">
											<textBody>
												<title>
													<titlePart>
														<text>Transistores verticales</text>
													</titlePart>
												</title>
											</textBody>
										</ipcEntry>
										<ipcEntry edition="19950101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="6" lang="ES" symbol="H01L0029735000" nocore="yes">
											<textBody>
												<title>
													<titlePart>
														<text>Transistores laterales</text>
													</titlePart>
												</title>
											</textBody>
										</ipcEntry>
										<ipcEntry edition="19950101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="6" lang="ES" symbol="H01L0029737000" nocore="yes">
											<textBody>
												<title>
													<titlePart>
														<text>Transistores de heterounión</text>
													</titlePart>
												</title>
											</textBody>
										</ipcEntry>
									</ipcEntry>
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										<textBody>
											<title>
												<titlePart>
													<text>controlados por efecto de campo</text>
												</titlePart>
											</title>
										</textBody>
									</ipcEntry>
								</ipcEntry>
								<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="A" kind="4" lang="ES" symbol="H01L0029740000" nocore="yes">
									<textBody>
										<title>
											<titlePart>
												<text>Dispositivos de tipo tiristor, es decir, con funcionamiento por regeneración en cuatro zonas</text>
											</titlePart>
										</title>
									</textBody>
									<ipcEntry edition="19950101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="5" lang="ES" symbol="H01L0029744000" nocore="yes">
										<textBody>
											<title>
												<titlePart>
													<text>Dispositivos de corte por puerta</text>
												</titlePart>
											</title>
										</textBody>
										<ipcEntry edition="19950101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="6" lang="ES" symbol="H01L0029745000" nocore="yes">
											<textBody>
												<title>
													<titlePart>
														<text>con corte por efecto de campo</text>
													</titlePart>
												</title>
											</textBody>
										</ipcEntry>
									</ipcEntry>
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										<textBody>
											<title>
												<titlePart>
													<text>Dispositivos bidireccionales, p. ej. triacs</text>
												</titlePart>
											</title>
										</textBody>
									</ipcEntry>
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										<textBody>
											<title>
												<titlePart>
													<text>con encendido por efecto de campo</text>
												</titlePart>
											</title>
										</textBody>
									</ipcEntry>
								</ipcEntry>
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								<textBody>
									<title>
										<titlePart>
											<text>Dispositivos unipolares</text>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
								<ipcEntry edition="19950101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="4" lang="ES" symbol="H01L0029762000" nocore="yes">
									<textBody>
										<title>
											<titlePart>
												<text>Dispositivos de transferencia de carga</text>
											</titlePart>
										</title>
									</textBody>
									<ipcEntry edition="19950101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="5" lang="ES" symbol="H01L0029765000" nocore="yes">
										<textBody>
											<title>
												<titlePart>
													<text>Dispositivos de acoplamiento de carga</text>
												</titlePart>
											</title>
										</textBody>
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											<textBody>
												<title>
													<titlePart>
														<text>con efecto de campo producido por una puerta aislada</text>
													</titlePart>
												</title>
											</textBody>
										</ipcEntry>
									</ipcEntry>
								</ipcEntry>
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									<textBody>
										<title>
											<titlePart>
												<text>Transistores de efecto de campo</text>
											</titlePart>
										</title>
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											<title>
												<titlePart>
													<text>con un canal unidimensional de gas de portadores de carga, p. ej. FET de hilo cuántico</text>
												</titlePart>
											</title>
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												<titlePart>
													<text>con un canal bidimensional de gas de portadores de carga, p. ej. transistores de efecto de campo con alta movilidad electrónica (HEMT)</text>
												</titlePart>
											</title>
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												<titlePart>
													<text>estando producido el efecto de campo por una puerta aislada</text>
												</titlePart>
											</title>
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												<title>
													<titlePart>
														<text>Transistores de película delgada</text>
													</titlePart>
												</title>
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													<titlePart>
														<text>de puerta flotante</text>
													</titlePart>
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													<titlePart>
														<text>de aislante de puerta por almacenaje de cargas, p. ej. transistor de memoria MNOS</text>
													</titlePart>
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												<titlePart>
													<text>estando producido el efecto de campo por una puerta de unión PN u otra unión rectificadora</text>
												</titlePart>
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													<titlePart>
														<text>de unión PN</text>
													</titlePart>
												</title>
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														<text>puerta Schottky</text>
													</titlePart>
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								<title>
									<titlePart>
										<text>controlables por la variación del campo magnético aplicado al dispositivo</text>
										<entryReference>
											<sref ref="H01L0029960000"></sref>tiene prioridad</entryReference>
									</titlePart>
								</title>
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								<title>
									<titlePart>
										<text>controlables por la variación de una fuerza mecánica aplicada, p. ej. una presión</text>
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											<sref ref="H01L0029960000"></sref>tiene prioridad</entryReference>
									</titlePart>
								</title>
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								<title>
									<titlePart>
										<text>controlables por la variación de la corriente eléctrica suministrada, o únicamente de la tensión aplicada a uno o varios de los electrodos que transportan la corriente a rectificar, amplificar, hacer oscilar o conmutar</text>
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											<sref ref="H01L0029960000"></sref>tiene prioridad</entryReference>
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								</title>
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										<titlePart>
											<text>Resistencias de unión PN</text>
										</titlePart>
									</title>
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										<titlePart>
											<text>Diodos</text>
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											<titlePart>
												<text>Diodos de contacto de punta</text>
											</titlePart>
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										<title>
											<titlePart>
												<text>Diodos de tiempo de tránsito, p. ej. diodos, IMPATT, TRAPATT</text>
											</titlePart>
										</title>
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											<titlePart>
												<text>Diodos Zener</text>
											</titlePart>
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											<titlePart>
												<text>Diodos PIN</text>
											</titlePart>
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											<titlePart>
												<text>Diodos tiristor, p. ej. diodos Schockley, diodos de transición conductora (break-over diodes)</text>
											</titlePart>
										</title>
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											<titlePart>
												<text>Diodos Schottky</text>
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											<titlePart>
												<text>Diodos de efecto túnel</text>
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											<title>
												<titlePart>
													<text>Diodos Esaki</text>
												</titlePart>
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									<title>
										<titlePart>
											<text>Condensadores con barrera de potencial o barrera de superficie</text>
										</titlePart>
									</title>
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										<title>
											<titlePart>
												<text>Diodos con capacidad variable, p. ej. varactores</text>
											</titlePart>
										</title>
									</textBody>
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											<titlePart>
												<text>Dispositivos de metal-aislante-semiconductor, p. ej. MOS</text>
											</titlePart>
										</title>
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								<title>
									<titlePart>
										<text>de un tipo cubierto por al menos dos de los grupos<sref ref="H01L0029680000"></sref>,<sref ref="H01L0029820000"></sref>,<sref ref="H01L0029840000"></sref>or<sref ref="H01L0029860000"></sref>
										</text>
									</titlePart>
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						<title>
							<titlePart>
								<text>Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación</text>
							</titlePart>
							<titlePart>
								<text>Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas</text>
							</titlePart>
							<titlePart>
								<text>Sus detalles</text>
								<entryReference>
									<sref ref="H01L0051420000"></sref>tiene prioridad</entryReference>
								<entryReference>dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica<sref ref="H01L0027000000"></sref>
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							<title>
								<titlePart>
									<text>Detalles</text>
								</titlePart>
							</title>
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								<title>
									<titlePart>
										<text>Contenedores</text>
									</titlePart>
									<titlePart>
										<text>Encapsulados</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
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						<ipcEntry edition="19900101" entryType="K" ipcLevel="C" kind="2" lang="ES" symbol="H01L0031021600" nocore="yes">
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								<title>
									<titlePart>
										<text>Revestimientos</text>
									</titlePart>
								</title>
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								<title>
									<titlePart>
										<text>Electrodos</text>
									</titlePart>
								</title>
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								<title>
									<titlePart>
										<text>Elementos o disposiciones ópticas asociados al dispositivo</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
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								<title>
									<titlePart>
										<text>Texturas de superficie particulares</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
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						<ipcEntry edition="19900101" entryType="K" ipcLevel="C" kind="2" lang="ES" symbol="H01L0031024000" nocore="yes">
							<textBody>
								<title>
									<titlePart>
										<text>Disposiciones para la refrigeración, el calentamiento, la ventilación o la compensación de temperatura</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
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							<title>
								<titlePart>
									<text>caracterizados por sus cuerpos semiconductores</text>
								</titlePart>
							</title>
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								<title>
									<titlePart>
										<text>caracterizados por los<NBSP/><GREF GLOBAL="" REFID="MATERIAL">materiales</GREF></text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
							<ipcEntry edition="19900101" entryType="K" ipcLevel="C" kind="3" lang="ES" symbol="H01L0031026400" nocore="yes">
								<textBody>
									<title>
										<titlePart>
											<text><GREF GLOBAL="" REFID="MATERIAL">Materiales</GREF> inorgánicos</text>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
								<ipcEntry edition="19900101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="4" lang="ES" symbol="H01L0031027200" nocore="yes">
									<textBody>
										<title>
											<titlePart>
												<text>Selenio o teluro</text>
											</titlePart>
										</title>
									</textBody>
								</ipcEntry>
								<ipcEntry edition="19900101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="4" lang="ES" symbol="H01L0031028000" nocore="yes">
									<textBody>
										<title>
											<titlePart>
												<text>comprendiendo, aparte de los<NBSP/><GREF GLOBAL="" REFID="MATERIAL">materiales</GREF> de dopado u otras impurezas, únicamente elementos del grupo cuarto de la clasificación periódica</text>
											</titlePart>
										</title>
									</textBody>
									<ipcEntry edition="19900101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="5" lang="ES" symbol="H01L0031028800" nocore="yes">
										<textBody>
											<title>
												<titlePart>
													<text>caracterizados por el<NBSP/><GREF GLOBAL="" REFID="MATERIAL">material</GREF> de dopado</text>
												</titlePart>
											</title>
										</textBody>
									</ipcEntry>
								</ipcEntry>
								<ipcEntry edition="19900101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="4" lang="ES" symbol="H01L0031029600" nocore="yes">
									<textBody>
										<title>
											<titlePart>
												<text>comprendiendo, aparte de los<NBSP/><GREF GLOBAL="" REFID="MATERIAL">materiales</GREF> de dopado u otras impurezas, únicamente compuestos A<sub>II</sub>B<sub>VI</sub>p.ej. CdS, ZnS, HgCdTe</text>
											</titlePart>
										</title>
									</textBody>
								</ipcEntry>
								<ipcEntry edition="19900101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="4" lang="ES" symbol="H01L0031030400" nocore="yes">
									<textBody>
										<title>
											<titlePart>
												<text>comprendiendo, aparte de los<NBSP/><GREF GLOBAL="" REFID="MATERIAL">materiales</GREF> de dopado u otras impurezas, únicamente compuestos A<sub>III</sub>B<sub>V</sub>
												</text>
											</titlePart>
										</title>
									</textBody>
								</ipcEntry>
								<ipcEntry edition="19900101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="4" lang="ES" symbol="H01L0031031200" nocore="yes">
									<textBody>
										<title>
											<titlePart>
												<text>comprendiendo, aparte de los<NBSP/><GREF GLOBAL="" REFID="MATERIAL">materiales</GREF> de dopado u otras impurezas, únicamente compuestos A<sub>IV</sub>B<sub>IV</sub>por ejemplo SiC</text>
											</titlePart>
										</title>
									</textBody>
								</ipcEntry>
								<ipcEntry edition="19900101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="4" lang="ES" symbol="H01L0031032000" nocore="yes">
									<textBody>
										<title>
											<titlePart>
												<text>comprendiendo, aparte de los<NBSP/><GREF GLOBAL="" REFID="MATERIAL">materiales</GREF> de dopado u otras impurezas, únicamente compuestos no cubiertos por los grupos<mref endRef="H01L0031031200" endRefLevel="c" endRefType="/" ref="H01L0031027200" refLevel="c" refType="/"></mref>
												</text>
											</titlePart>
										</title>
									</textBody>
								</ipcEntry>
								<ipcEntry edition="19900101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="4" lang="ES" symbol="H01L0031032800" nocore="yes">
									<textBody>
										<title>
											<titlePart>
												<text>comprendiendo, aparte de los<NBSP/><GREF GLOBAL="" REFID="MATERIAL">materiales</GREF> de dopado u otras impurezas,<NBSP/><GREF GLOBAL="" REFID="MATERIAL">materiales</GREF> semiconductores cubiertos por varios de los grupos<mref endRef="H01L0031032000" endRefLevel="c" endRefType="/" ref="H01L0031027200" refLevel="c" refType="/"></mref>
												</text>
											</titlePart>
										</title>
									</textBody>
									<ipcEntry edition="19900101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="5" lang="ES" symbol="H01L0031033600" nocore="yes">
										<textBody>
											<title>
												<titlePart>
													<text>en regiones semiconductoras diferentes, p. ej. heterouniones Cu<sub>2</sub>X/CdX, siendo X un elemento del grupo sexto de la clasificación periódica</text>
												</titlePart>
											</title>
										</textBody>
									</ipcEntry>
								</ipcEntry>
							</ipcEntry>
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						<ipcEntry edition="19900101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="2" lang="ES" symbol="H01L0031035200" nocore="yes">
							<textBody>
								<title>
									<titlePart>
										<text>caracterizados por su forma o por las formas, dimensiones relativas o disposición de las regiones semiconductoras</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
						</ipcEntry>
						<ipcEntry edition="19900101" entryType="K" ipcLevel="C" kind="2" lang="ES" symbol="H01L0031036000" nocore="yes">
							<textBody>
								<title>
									<titlePart>
										<text>caracterizados por su estructura cristalina o por la orientación particular de los planos cristalinos</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
							<ipcEntry edition="19900101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="3" lang="ES" symbol="H01L0031036800" nocore="yes">
								<textBody>
									<title>
										<titlePart>
											<text>comprendiendo semiconductores policristalinos</text>
											<entryReference>
												<sref ref="H01L0031039200"></sref>tiene prioridad</entryReference>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
							</ipcEntry>
							<ipcEntry edition="19900101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="3" lang="ES" symbol="H01L0031037600" nocore="yes">
								<textBody>
									<title>
										<titlePart>
											<text>comprendiendo semiconductores amorfos</text>
											<entryReference>
												<sref ref="H01L0031039200"></sref>tiene prioridad</entryReference>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
							</ipcEntry>
							<ipcEntry edition="19900101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="3" lang="ES" symbol="H01L0031038400" nocore="yes">
								<textBody>
									<title>
										<titlePart>
											<text>comprendiendo otros<NBSP/><GREF GLOBAL="" REFID="MATERIAL">materiales</GREF> no cristalinos, p. ej. partículas semiconductoras incorporadas en un<NBSP/><GREF GLOBAL="" REFID="MATERIAL">material</GREF> aislante</text>
											<entryReference>
												<sref ref="H01L0031039200"></sref>tiene prioridad</entryReference>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
							</ipcEntry>
							<ipcEntry edition="19900101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="3" lang="ES" symbol="H01L0031039200" nocore="yes">
								<textBody>
									<title>
										<titlePart>
											<text>comprendiendo películas delgadas depositadas sobre sustratos metálicos o aislantes</text>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
							</ipcEntry>
						</ipcEntry>
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					<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="C" kind="1" lang="ES" symbol="H01L0031040000" nocore="yes">
						<textBody>
							<title>
								<titlePart>
									<text>adaptados como dispositivos de conversión</text>
								</titlePart>
							</title>
						</textBody>
						<ipcEntry edition="19900101" entryType="K" ipcLevel="C" kind="2" lang="ES" symbol="H01L0031042000" nocore="yes">
							<textBody>
								<title>
									<titlePart>
										<text>comprendiendo un panel o una matriz de células fotovoltaicas, p. ej. células solares</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
							<ipcEntry edition="19900101" entryType="K" ipcLevel="C" kind="3" lang="ES" symbol="H01L0031045000" nocore="yes">
								<textBody>
									<title>
										<titlePart>
											<text>escamoteables o plegables</text>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
							</ipcEntry>
							<ipcEntry edition="19900101" entryType="K" ipcLevel="C" kind="3" lang="ES" symbol="H01L0031048000" nocore="yes">
								<textBody>
									<title>
										<titlePart>
											<text>encapsulados o teniendo una caja</text>
										</titlePart>
									</title>
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									<title>
										<titlePart>
											<text>caracterizados por medios de interconexión particulares</text>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
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									<title>
										<titlePart>
											<text>con medios de refrigeración o medios reflectores o concentradores de luz</text>
										</titlePart>
									</title>
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										<title>
											<titlePart>
												<text>siendo absorbida la luz por el concentrador y reemitida con una longitud de onda diferente, p. ej. utilizando un<NBSP/><GREF GLOBAL="" REFID="MATERIAL">material</GREF> luminiscente</text>
											</titlePart>
										</title>
									</textBody>
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									<title>
										<titlePart>
											<text>comprendiendo medios para utilizar la energía térmica, p. ej. sistemas híbridos, o una fuente adicional de energía eléctrica</text>
										</titlePart>
									</title>
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								<title>
									<titlePart>
										<text>caracterizados por al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie</text>
									</titlePart>
								</title>
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									<title>
										<titlePart>
											<text>siendo las barreras de potencial únicamente del tipo metal-aislante-semiconductor</text>
										</titlePart>
									</title>
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										<titlePart>
											<text>siendo las barreras de potencial únicamente del tipo de banda prohibida gradual</text>
										</titlePart>
									</title>
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									<title>
										<titlePart>
											<text>siendo las barreras de potencial únicamente del tipo PN a homounión</text>
										</titlePart>
									</title>
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									<title>
										<titlePart>
											<text>siendo las barreras de potencial únicamente de tipo Schottky</text>
										</titlePart>
									</title>
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									<title>
										<titlePart>
											<text>siendo las barreras de potencial únicamente del tipo PN a heterounión</text>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
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									<title>
										<titlePart>
											<text>siendo las barreras de potencial únicamente del tipo PIN</text>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
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									<title>
										<titlePart>
											<text>comprendiendo barreras de potencial cubiertas por varios de los grupos<mref endRef="H01L0031075000" endRefLevel="c" endRefType="/" ref="H01L0031062000" refLevel="c" refType="/"></mref>
											</text>
										</titlePart>
									</title>
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								<titlePart>
									<text>en los que la radiación controla el flujo de corriente a través del dispositivo, p. ej. fotorresistencias</text>
								</titlePart>
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								<title>
									<titlePart>
										<text>Dispositivos sensibles a la radiación infrarroja, visible o ultravioleta</text>
										<entryReference>
											<sref ref="H01L0031101000"></sref>tiene prioridad</entryReference>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
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								<title>
									<titlePart>
										<text>caracterizados por al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. fototransistores</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
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									<title>
										<titlePart>
											<text>Dispositivos sensibles a la radiación infrarroja, visible o ultravioleta</text>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
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										<title>
											<titlePart>
												<text>caracterizados por una sola barrera de potencial o de superficie</text>
											</titlePart>
										</title>
									</textBody>
									<ipcEntry edition="19900101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="5" lang="ES" symbol="H01L0031103000" nocore="yes">
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											<title>
												<titlePart>
													<text>siendo la barrera de potencial de tipo PN a homounión</text>
												</titlePart>
											</title>
										</textBody>
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											<title>
												<titlePart>
													<text>siendo la barrera de potencial de tipo PIN</text>
												</titlePart>
											</title>
										</textBody>
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									<ipcEntry edition="19900101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="5" lang="ES" symbol="H01L0031107000" nocore="yes">
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											<title>
												<titlePart>
													<text>funcionando la barrera de potencial en régimen de avalancha, p. ej. fotodiodo de avalancha</text>
												</titlePart>
											</title>
										</textBody>
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											<title>
												<titlePart>
													<text>siendo la barrera de potencial del tipo Schottky</text>
												</titlePart>
											</title>
										</textBody>
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											<title>
												<titlePart>
													<text>siendo la barrera de potencial del tipo PN a heterounión</text>
												</titlePart>
											</title>
										</textBody>
									</ipcEntry>
								</ipcEntry>
								<ipcEntry edition="19900101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="4" lang="ES" symbol="H01L0031110000" nocore="yes">
									<textBody>
										<title>
											<titlePart>
												<text>caracterizados por dos barreras de potencial o de superficie, p. ej. fototransistor bipolar</text>
											</titlePart>
										</title>
									</textBody>
								</ipcEntry>
								<ipcEntry edition="19900101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="4" lang="ES" symbol="H01L0031111000" nocore="yes">
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										<title>
											<titlePart>
												<text>caracterizados por al menos tres barreras de potencial, p. ej. fototiristor</text>
											</titlePart>
										</title>
									</textBody>
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								<ipcEntry edition="19900101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="4" lang="ES" symbol="H01L0031112000" nocore="yes">
									<textBody>
										<title>
											<titlePart>
												<text>caracterizados por un funcionamiento por efecto de campo, p. ej. fototransistor de efecto de campo de unión</text>
											</titlePart>
										</title>
									</textBody>
									<ipcEntry edition="19900101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="5" lang="ES" symbol="H01L0031113000" nocore="yes">
										<textBody>
											<title>
												<titlePart>
													<text>del tipo conductor-aislante-semiconductor, p. ej. transistor de efecto de campo metal-aislante-semiconductor</text>
												</titlePart>
											</title>
										</textBody>
									</ipcEntry>
								</ipcEntry>
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							<ipcEntry edition="19900101" entryType="K" ipcLevel="C" kind="3" lang="ES" symbol="H01L0031115000" nocore="yes">
								<textBody>
									<title>
										<titlePart>
											<text>Dispositivos sensibles a la radiación de ondas muy cortas, p. ej. rayos X, rayos gamma o radiación corpuscular</text>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
								<ipcEntry edition="19900101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="4" lang="ES" symbol="H01L0031117000" nocore="yes">
									<textBody>
										<title>
											<titlePart>
												<text>del tipo detectores de radiación con efecto de volumen, p. ej. detectores PIN en Ge compensados al Li para rayos gamma</text>
											</titlePart>
										</title>
									</textBody>
								</ipcEntry>
								<ipcEntry edition="19900101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="4" lang="ES" symbol="H01L0031118000" nocore="yes">
									<textBody>
										<title>
											<titlePart>
												<text>del tipo detectores de barrera de superficie o de unión PN superficial, p. ej. detectores de partículas alfa de barrera de superficie</text>
											</titlePart>
										</title>
									</textBody>
								</ipcEntry>
								<ipcEntry edition="19900101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="4" lang="ES" symbol="H01L0031119000" nocore="yes">
									<textBody>
										<title>
											<titlePart>
												<text>caracterizados por un funcionamiento por efecto de campo, p. ej. detectores de tipo MIS</text>
											</titlePart>
										</title>
									</textBody>
								</ipcEntry>
							</ipcEntry>
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					<ipcEntry edition="19740701,19900101" entryType="K" ipcLevel="C" kind="1" lang="EN" symbol="H01L0031120000" trans_user="or" trans_status="s" trans_update="2008-10-30@16:55:31" definition="yes" nocore="yes">
						<textBody>
							<title>
								<titlePart>
									<text>estructuralmente asociados, p. ej. formados en o sobre un sustrato común con una o varias fuentes de luz eléctrica, p. ej. con fuentes de luz electroluminiscentes, y además eléctrica u ópticamente acoplados con dichas fuentes</text>
									<entryReference>amplificadores que utilizan un elemento electroluminiscente o una célula fotoeléctrica Fulltext... missing translation to EN:Hierarchy... missing translation to EN:Expanded...H03F 17/00; fuentes de luz electroluminiscente<u>" en sí</u>
										<sref ref="H05B0033000000"></sref>
									</entryReference>
								</titlePart>
							</title>
						</textBody>
						<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="C" kind="2" lang="ES" symbol="H01L0031140000" nocore="yes">
							<textBody>
								<title>
									<titlePart>
										<text>las fuentes de luz están controladas por el dispositivo semiconductor sensible a la radiación, p. ej. convertidores de imágenes, amplificadores de imágenes, dispositivos de almacenamiento de imagen</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
							<ipcEntry edition="19900101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="3" lang="ES" symbol="H01L0031147000" nocore="yes">
								<textBody>
									<title>
										<titlePart>
											<text>siendo todas las fuentes de luz y todos los dispositivos sensibles a la radiación dispositivos semiconductores caracterizados por al menos una barrera de potencial o de superficie</text>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
								<ipcEntry edition="19900101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="4" lang="ES" symbol="H01L0031153000" nocore="yes">
									<textBody>
										<title>
											<titlePart>
												<text>formados en o sobre un sustrato común</text>
											</titlePart>
										</title>
									</textBody>
								</ipcEntry>
							</ipcEntry>
						</ipcEntry>
						<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="C" kind="2" lang="ES" symbol="H01L0031160000" nocore="yes">
							<textBody>
								<title>
									<titlePart>
										<text>el dispositivo semiconductor sensible a la radiación está controlado por la o las fuentes de luz</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
							<ipcEntry edition="19900101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="3" lang="ES" symbol="H01L0031167000" nocore="yes">
								<textBody>
									<title>
										<titlePart>
											<text>siendo todas las fuentes de luz y todos los dispositivos sensibles a la radiación dispositivos semiconductores caracterizados por al menos una barrera de potencial o de superficie</text>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
								<ipcEntry edition="19900101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="4" lang="ES" symbol="H01L0031173000" nocore="yes">
									<textBody>
										<title>
											<titlePart>
												<text>formados en o sobre un sustrato común</text>
											</titlePart>
										</title>
									</textBody>
								</ipcEntry>
							</ipcEntry>
						</ipcEntry>
					</ipcEntry>
					<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="C" kind="1" lang="EN" symbol="H01L0031180000" trans_user="or" trans_status="s" trans_update="2008-10-30@16:56:18" definition="yes" nocore="yes">
						<textBody>
							<title>
								<titlePart>
									<text>Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o al tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas</text>
								</titlePart>
							</title>
						</textBody>
						<ipcEntry edition="19900101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="2" lang="ES" symbol="H01L0031200000" nocore="yes">
							<textBody>
								<title>
									<titlePart>
										<text>comprendiendo los dispositivos o sus partes constitutivas un<NBSP/><GREF GLOBAL="" REFID="MATERIAL">material</GREF> semiconductor amorfo</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
						</ipcEntry>
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					<textBody>
						<title>
							<titlePart>
								<text>Dispositivos semiconductores que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, adaptados para la emisión de luz, p. ej. de rayos infrarrojos</text>
							</titlePart>
							<titlePart>
								<text>Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas</text>
							</titlePart>
							<titlePart>
								<text>Detalles</text>
								<entryReference>
									<sref ref="H01L0051500000"></sref>tiene prioridad</entryReference>
								<entryReference>dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes formados en o sobre un sustrato común<sref ref="H01L0027150000"></sref>
								</entryReference>
								<entryReference>láseres de semiconductor<sref ref="H01S0005000000"></sref>
								</entryReference>
							</titlePart>
						</title>
					</textBody>
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					<textBody>
						<title>
							<titlePart>
								<text>Dispositivos termoeléctricos que tienen una unión de<NBSP/><GREF GLOBAL="" REFID="MATERIAL">materiales</GREF> diferentes, es decir, que presentan el efecto Seebeck o el efecto Peltier, con o sin otros efectos termoeléctricos o termomagnéticos</text>
							</titlePart>
							<titlePart>
								<text>Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de estos dispositivos de sus partes constitutivas</text>
							</titlePart>
							<titlePart>
								<text>Detalles</text>
								<entryReference>dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común<sref ref="H01L0027000000"></sref>
								</entryReference>
							</titlePart>
						</title>
					</textBody>
					<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="A" kind="1" lang="ES" symbol="H01L0035020000" nocore="yes">
						<textBody>
							<title>
								<titlePart>
									<text>Detalles</text>
								</titlePart>
							</title>
						</textBody>
						<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="A" kind="2" lang="ES" symbol="H01L0035040000" nocore="yes">
							<textBody>
								<title>
									<titlePart>
										<text>Detalles estructurales de la unión</text>
									</titlePart>
									<titlePart>
										<text>Conexión de hilos</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
							<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="A" kind="3" lang="ES" symbol="H01L0035060000" nocore="yes">
								<textBody>
									<title>
										<titlePart>
											<text>Uniones amovibles, p. ej. utilizando un resorte</text>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
							</ipcEntry>
							<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="A" kind="3" lang="ES" symbol="H01L0035080000" nocore="yes">
								<textBody>
									<title>
										<titlePart>
											<text>Uniones no amovibles, p. ej. obtenidas por cementación, sinterizacióm, soldadura</text>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
							</ipcEntry>
							<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="A" kind="3" lang="ES" symbol="H01L0035100000" nocore="yes">
								<textBody>
									<title>
										<titlePart>
											<text>Conexión de hilos</text>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
							</ipcEntry>
						</ipcEntry>
					</ipcEntry>
					<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="C" kind="1" lang="ES" symbol="H01L0035120000" nocore="yes">
						<textBody>
							<title>
								<titlePart>
									<text>Utilización de un<NBSP/><GREF GLOBAL="" REFID="MATERIAL">material</GREF> especificado para las patas de la unión</text>
								</titlePart>
							</title>
						</textBody>
						<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="A" kind="2" lang="ES" symbol="H01L0035140000" nocore="yes">
							<textBody>
								<title>
									<titlePart>
										<text>utilizando composiciones inorgánicas</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
							<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="A" kind="3" lang="ES" symbol="H01L0035160000" nocore="yes">
								<textBody>
									<title>
										<titlePart>
											<text>con teluro, selenio, o azufre</text>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
							</ipcEntry>
							<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="A" kind="3" lang="ES" symbol="H01L0035180000" nocore="yes">
								<textBody>
									<title>
										<titlePart>
											<text>con arsénico, antimonio o bismuto</text>
											<entryReference>
												<sref ref="H01L0035160000"></sref>tiene prioridad</entryReference>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
							</ipcEntry>
							<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="A" kind="3" lang="ES" symbol="H01L0035200000" nocore="yes">
								<textBody>
									<title>
										<titlePart>
											<text>con metales exclusivamente</text>
											<entryReference>
												<sref ref="H01L0035160000"></sref>,<sref ref="H01L0035180000"></sref>tienen prioridad</entryReference>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
							</ipcEntry>
							<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="A" kind="3" lang="ES" symbol="H01L0035220000" nocore="yes">
								<textBody>
									<title>
										<titlePart>
											<text>con compuestos que contienen boro, carbono, oxígeno o nitrógeno</text>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
							</ipcEntry>
						</ipcEntry>
						<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="A" kind="2" lang="ES" symbol="H01L0035240000" nocore="yes">
							<textBody>
								<title>
									<titlePart>
										<text>utilizando composiciones orgánicas</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
						</ipcEntry>
						<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="A" kind="2" lang="ES" symbol="H01L0035260000" nocore="yes">
							<textBody>
								<title>
									<titlePart>
										<text>utilizando composiciones cambiantes de manera continua o discontinua en el interior del<NBSP/><GREF GLOBAL="" REFID="MATERIAL">material</GREF></text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
						</ipcEntry>
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					<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="C" kind="1" lang="ES" symbol="H01L0035280000" nocore="yes">
						<textBody>
							<title>
								<titlePart>
									<text>funcionando exclusivamente por efecto Peltier o efecto Seebeck</text>
								</titlePart>
							</title>
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								<title>
									<titlePart>
										<text>caracterizados por los medios de cambio de calor de la unión</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
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						<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="C" kind="2" lang="ES" symbol="H01L0035320000" nocore="yes">
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								<title>
									<titlePart>
										<text>caracterizados por la estructura o la configuración de la célula o del termopar que constituye el dispositivo</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
						</ipcEntry>
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							<title>
								<titlePart>
									<text>Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas</text>
								</titlePart>
							</title>
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						<title>
							<titlePart>
								<text>Dispositivos termoeléctricos sin unión de<NBSP/><GREF GLOBAL="" REFID="MATERIAL">materiales</GREF> diferentes</text>
							</titlePart>
							<titlePart>
								<text>Dispositivos termomagnéticos, p. ej. que utilizan el efecto Nernst-Ettinghausen</text>
							</titlePart>
							<titlePart>
								<text>Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas</text>
								<entryReference>dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común<sref ref="H01L0027000000"></sref>
								</entryReference>
							</titlePart>
						</title>
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							<title>
								<titlePart>
									<text>utilizando el cambio térmico de la constante dieléctrica, p. ej. trabajando por encima o por debajo del punto de Curie</text>
								</titlePart>
							</title>
						</textBody>
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							<title>
								<titlePart>
									<text>utilizando el cambio térmico de la permeabilidad magnética, p. ej. trabajando por encima o por debajo del punto de Curie</text>
								</titlePart>
							</title>
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						<title>
							<titlePart>
								<text>Dispositivos que utilizan la superconductividad o la hiperconductividad</text>
							</titlePart>
							<titlePart>
								<text>Procedimientos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas</text>
								<entryReference>dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común<sref ref="H01L0027000000"></sref>
								</entryReference>
								<entryReference>superconductores caracterizados por la técnica de formación o por la composición de las cerámicas<sref ref="C04B0035000000"></sref>
								</entryReference>
								<entryReference>conductores, cables o líneas de transmisión superconductores o hiperconductores<sref ref="H01B0012000000"></sref>
								</entryReference>
								<entryReference>bobinas o arrollamientos superconductores<sref ref="H01F"></sref>
								</entryReference>
								<entryReference>amplificadores que utilizan la superconductividad<sref ref="H03F0019000000"></sref>
								</entryReference>
							</titlePart>
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							<title>
								<titlePart>
									<text>Detalles</text>
								</titlePart>
							</title>
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								<title>
									<titlePart>
										<text>Contenedores</text>
									</titlePart>
									<titlePart>
										<text>Soportes</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
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								<title>
									<titlePart>
										<text>caracterizados por el recorrido de la corriente</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
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								<title>
									<titlePart>
										<text>caracterizados por la forma del elemento</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
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								<title>
									<titlePart>
										<text>caracterizados por los medios de conmutación</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
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								<title>
									<titlePart>
										<text>caracterizados por el material</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
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							<title>
								<titlePart>
									<text>Dispositivos de superconductividad permanente</text>
								</titlePart>
							</title>
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							<title>
								<titlePart>
									<text>Dispositivos conmutables entre los estados normal y superconductor</text>
								</titlePart>
							</title>
						</textBody>
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								<title>
									<titlePart>
										<text>Criotrones</text>
									</titlePart>
								</title>
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								<textBody>
									<title>
										<titlePart>
											<text>Criotrones de potencia</text>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
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							<title>
								<titlePart>
									<text>Dispositivos que tienen una unión de materiales diferentes, p. ej. dispositivos de efecto Josephson</text>
								</titlePart>
							</title>
						</textBody>
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							<title>
								<titlePart>
									<text>Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de los dispositivos cubiertos por<sref ref="H01L0039000000"></sref>de sus partes constitutivas</text>
								</titlePart>
							</title>
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						<title>
							<titlePart>
								<text>Elementos piezoeléctricos en general</text>
							</titlePart>
							<titlePart>
								<text>Elementos electroestrictivos en general</text>
							</titlePart>
							<titlePart>
								<text>Elementos magnetoestrictivos en general</text>
							</titlePart>
							<titlePart>
								<text>Procedimientos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o tratamiento de estos dispositivos, o de sus partes constitutivas</text>
							</titlePart>
							<titlePart>
								<text>Detalles</text>
								<entryReference>dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común<sref ref="H01L0027000000"></sref>
								</entryReference>
							</titlePart>
						</title>
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						<textBody>
							<note type="number">
								<noteParagraph edition="19950101">
									<text>El presente grupo<u>no cubre</u>las adaptaciones para fines particulares, que son cubiertas por los lugares apropiados.<nbsp></nbsp>
									</text>
								</noteParagraph>
								<noteParagraph edition="19950101">
									<text>Es importante tener en cuenta los siguientes lugares apropiados:<nbsp></nbsp>
									</text>
									<subnote type="table">
										<noteParagraph edition="19950101">
											<references>
												<sref ref="B06B"></sref>
											</references>
											<text>para las adaptaciones para producir o transmitir vibraciones mecánicas<nbsp></nbsp>
											</text>
										</noteParagraph>
										<noteParagraph edition="19950101">
											<references>
												<sref ref="G01"></sref>
											</references>
											<text>para transductores que sirven como elementos sensores para la medida<nbsp></nbsp>
											</text>
										</noteParagraph>
										<noteParagraph edition="19950101">
											<references>
												<sref ref="G04C"></sref>,<sref ref="G04F"></sref>
											</references>
											<text>para transductores adaptados a la utilización en piezas de relojería<nbsp></nbsp>
											</text>
										</noteParagraph>
										<noteParagraph edition="19950101">
											<references>
												<sref ref="G10K"></sref>
											</references>
											<text>para las adaptaciones para producir o transmitir el sonido<nbsp></nbsp>
											</text>
										</noteParagraph>
										<noteParagraph edition="19950101">
											<references>
												<sref ref="H02N"></sref>
											</references>
											<text>para la disposición de elementos en máquinas eléctricas<nbsp></nbsp>
											</text>
										</noteParagraph>
										<noteParagraph edition="19950101">
											<references>
												<sref ref="H03H0009000000"></sref>
											</references>
											<text>para redes que comprenden elementos electromecánicos o electroacústicos, p.ej. circuitos resonantes<nbsp></nbsp>
											</text>
										</noteParagraph>
										<noteParagraph edition="19950101">
											<references>
												<sref ref="H04R"></sref>
											</references>
											<text>para altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores análogos<nbsp></nbsp>
											</text>
										</noteParagraph>
									</subnote>
								</noteParagraph>
							</note>
						</textBody>
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							<title>
								<titlePart>
									<text>Detalles</text>
								</titlePart>
							</title>
						</textBody>
						<ipcEntry edition="19740701" entryType="K" ipcLevel="A" kind="2" lang="ES" symbol="H01L0041040000" nocore="yes">
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								<title>
									<titlePart>
										<text>de elementos piezoeléctricos o electroestrictivos</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
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								<textBody>
									<title>
										<titlePart>
											<text>Electrodos</text>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
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								<textBody>
									<title>
										<titlePart>
											<text>Monturas, soportes, recintos, envolturas o carcasas</text>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
							</ipcEntry>
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								<title>
									<titlePart>
										<text>de elementos magnetoestrictivos</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
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						<textBody>
							<title>
								<titlePart>
									<text>Elementos piezoeléctricos o electroestrictivos</text>
								</titlePart>
							</title>
						</textBody>
						<ipcEntry edition="19950101" entryType="K" ipcLevel="C" kind="2" lang="ES" symbol="H01L0041083000" nocore="yes">
							<textBody>
								<title>
									<titlePart>
										<text>que tienen estructura apilada o multicapa</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
						</ipcEntry>
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								<title>
									<titlePart>
										<text>con forma de cables coaxiales</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
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							<textBody>
								<note type="none">
									<noteParagraph edition="19950101">
										<text>Los grupos<sref ref="H01L0041083000"></sref>y<sref ref="H01L0041087000"></sref>tienen prioridad sobre los grupos<mref endRef="H01L0041113000" endRefLevel="c" endRefType="/" ref="H01L0041090000" refLevel="c" refType="/"></mref>.<nbsp></nbsp>
										</text>
									</noteParagraph>
								</note>
							</textBody>
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								<title>
									<titlePart>
										<text>de entrada eléctrica y salida mecánica</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
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							<textBody>
								<title>
									<titlePart>
										<text>de entrada eléctrica y salida eléctrica</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
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						<ipcEntry edition="19900101" entryType="K" ipcLevel="C" kind="2" lang="ES" symbol="H01L0041113000" nocore="yes">
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								<title>
									<titlePart>
										<text>de entrada mecánica y salida eléctrica</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
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								<titlePart>
									<text>Elementos magnetoestrictivos</text>
								</titlePart>
							</title>
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								<titlePart>
									<text>Selección de materiales</text>
								</titlePart>
							</title>
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								<title>
									<titlePart>
										<text>para los elementos piezoeléctricos o electroestrictivos</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
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								<textBody>
									<title>
										<titlePart>
											<text>Composiciones cerámicas</text>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
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								<textBody>
									<title>
										<titlePart>
											<text>Composiciones macromoleculares</text>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
							</ipcEntry>
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								<title>
									<titlePart>
										<text>para los elementos magnetoestrictivos</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
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							<title>
								<titlePart>
									<text>Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o tratamiento de estos elementos o de sus partes constitutivas</text>
								</titlePart>
							</title>
						</textBody>
						<ipcEntry edition="19900101" entryType="K" ipcLevel="C" kind="2" lang="ES" symbol="H01L0041240000" nocore="yes">
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								<title>
									<titlePart>
										<text>de elementos de composición cerámica</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
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								<title>
									<titlePart>
										<text>de elementos de composición macromolecular</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
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						<title>
							<titlePart>
								<text>Dispositivos que utilizan efectos galvanomagnéticos o efectos magnéticos análogos</text>
							</titlePart>
							<titlePart>
								<text>Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas</text>
								<entryReference>dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formado en o sobre un sustrato común<sref ref="H01L0027000000"></sref>
								</entryReference>
							</titlePart>
						</title>
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							<title>
								<titlePart>
									<text>Detalles</text>
								</titlePart>
							</title>
						</textBody>
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								<title>
									<titlePart>
										<text>de dispositivos con efecto Hall</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
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							<title>
								<titlePart>
									<text>Dispositivos con efecto Hall</text>
								</titlePart>
							</title>
						</textBody>
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						<textBody>
							<title>
								<titlePart>
									<text>Resistencias controladas por un campo magnético</text>
								</titlePart>
							</title>
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							<title>
								<titlePart>
									<text>Selección de<NBSP/><GREF GLOBAL="" REFID="MATERIAL">materiales</GREF></text>
								</titlePart>
							</title>
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							<title>
								<titlePart>
									<text>Procesos o aparatos específicos para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus elementos</text>
								</titlePart>
							</title>
						</textBody>
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								<title>
									<titlePart>
										<text>para dispositivos con efecto Hall</text>
									</titlePart>
								</title>
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						<title>
							<titlePart>
								<text>Dispositivos de estado sólido adaptados para la rectificación, amplificación, producción de oscilaciones o la conmutación, sin barrera de potencial ni de superficie, p. ej. triodos dieléctricos</text>
							</titlePart>
							<titlePart>
								<text>Dispositivos con efecto Ovshinsky</text>
							</titlePart>
							<titlePart>
								<text>Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas</text>
								<entryReference>dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común<sref ref="H01L0027000000"></sref>
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								<entryReference>dispositivos que utilizan la superconductividad o la hiperconductividad<sref ref="H01L0039000000"></sref>
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								<entryReference>dispositivos piezoeléctricos<sref ref="H01L0041000000"></sref>
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								<entryReference>dispositivos de resistencia negativa con efecto de volumen<sref ref="H01L0047000000"></sref>
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									<text>Dispositivos de estado sólido utilizados como dispositivos de ondas progresivas</text>
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							<titlePart>
								<text>Dispositivos de resistencia negativa con efecto de volumen, p. ej. dispositivos de efecto Gunn</text>
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								<text>Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas</text>
								<entryReference>dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común<sref ref="H01L0027000000"></sref>
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									<text>Dispositivos de efecto Gunn</text>
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								<text>Dispositivos de estado sólido no cubiertos por los grupos<mref endRef="H01L0047000000" ref="H01L0027000000"></mref>y<sref ref="H01L0051000000"></sref>y no cubiertos por otra subclase</text>
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								<text>Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas</text>
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									<text>Dispositivos de película delgada o de película gruesa</text>
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								<text>Dispositivos de estado sólido que utilizan materiales orgánicos como parte activa, o que utilizan como parte activa una combinación de materiales orgánicos con otros materiales</text>
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								<text>Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dichos dispositivos o de sus partes constitutivas</text>
								<entryReference>dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes formados en o sobre un sustrato común<sref ref="H01L0027280000"></sref>
								</entryReference>
								<entryReference>dispositivos termoeléctricos que utilizan material orgánico<sref ref="H01L0035000000"></sref>,<sref ref="H01L0037000000"></sref>
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								<entryReference>elementos piezoeléctricos, magnetoestrictivos o electroestrictivos que utilizan material orgánico<sref ref="H01L0041000000"></sref>
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									<text>especialmente adaptados a la rectificación, a la amplificación, a la generación de oscilaciones o a la conmutación y que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie</text>
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									<text>Condensadores o resistencias con al menos una barrera de potencial o de superficie</text>
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									<titlePart>
										<text>Detalles de los dispositivos</text>
									</titlePart>
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									<titlePart>
										<text>Selección de materiales</text>
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									<titlePart>
										<text>Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos o de sus partes constitutivas</text>
									</titlePart>
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								<titlePart>
									<text>especialmente adaptados para detectar radiación infrarroja, luz, radiación electromagnética de menor longitud de onda o radiación corpuscular</text>
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								<titlePart>
									<text>especialmente adaptados bien para la conversión en energía eléctrica de la energía de dicha radiación o bien para el control de energía eléctrica mediante dicha radiación</text>
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										<text>Detalles de los dispositivos</text>
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										<text>Selección de materiales</text>
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									<titlePart>
										<text>Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dichos dispositivos o de sus partes</text>
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								</title>
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									<text>especialmente adaptados para la emisión de luz, p. ej. diodos emisores de luz orgánicos (OLED) o dispositivos emisores de luz poliméricos (PLED)</text>
									<entryReference>láseres de semiconductores orgánicos<sref ref="H01S0005360000"></sref>
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										<text>Detalles de los dispositivos</text>
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										<text>Selección de<NBSP/><GREF GLOBAL="" REFID="MATERIAL">materiales</GREF></text>
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										<text>Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dichos dispositivos o de sus partes</text>
									</titlePart>
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