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	<ipcEntry entryType="K" ipcLevel="C" kind="s" lang="ES" symbol="C" nocore="yes">
		<textBody>
			<title>
				<titlePart>
					<text> 
SECCION C <emdash/> 
 QUIMICA</text>
				</titlePart>
				<titlePart>
					<text> 
METALURGIA</text>
				</titlePart>
			</title>
		</textBody>
		<ipcEntry entryType="K" ipcLevel="C" kind="n" lang="EN" symbol="C" nocore="yes">
			<textBody>
				<note type="number">
					<noteParagraph>
						<text> 
En la sección C, las definiciones de los grupos de elementos químicos son las siguientes:</text>
						<subnote indent="1" type="none">
							<noteParagraph>
								<text>
									<u> 
Metales alcalino:</u> 
 Li, Na, K, Rb, Cs, Fr</text>
							</noteParagraph>
							<noteParagraph>
								<text>
									<u> 
Metales alcalinotérreos:</u> 
 Ca, Sr, Ba, Ra</text>
							</noteParagraph>
							<noteParagraph>
								<text>
									<u> 
Lantánidos:</u> 
 elementos cuyo número atómico está comprendido entre 57 y 71 ambos inclusive </text>
							</noteParagraph>
							<noteParagraph>
								<text>
									<u> 
Tierras raras:</u> 
 Sc, Y, lantánidos </text>
							</noteParagraph>
							<noteParagraph>
								<text>
									<u> 
Actínidos:</u> 
 elementos cuyo número atómico está comprendido entre 89 y 103 ambos inclusive </text>
							</noteParagraph>
							<noteParagraph>
								<text>
									<u> 
Metales refractarios:</u> 
 Ti, V, Cr, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta, W</text>
							</noteParagraph>
							<noteParagraph>
								<text>
									<u> 
Halógenos:</u> 
 F, Cl, Br, I, At</text>
							</noteParagraph>
							<noteParagraph>
								<text>
									<u> 
Gases nobles:</u> 
 He, Ne, Ar, Kr, Xe, Rn</text>
							</noteParagraph>
							<noteParagraph>
								<text>
									<u> 
Grupo del platino:</u> 
 Os, Ir, Pt, Ru, Rh, Pd</text>
							</noteParagraph>
							<noteParagraph>
								<text>
									<u> 
Metales nobles:</u> 
 Ag, Au, grupo del platino </text>
							</noteParagraph>
							<noteParagraph>
								<text>
									<u> 
Metales ligeros:</u> 
 metales alcalinos, metales alcalinotérreos, Be, Al, Mg</text>
							</noteParagraph>
							<noteParagraph>
								<text>
									<u> 
Metales pesados:</u> 
 otros metales distintos a los metales ligeros </text>
							</noteParagraph>
							<noteParagraph>
								<text>
									<u> 
Grupo del hierro:</u> 
 Fe, Co, Ni</text>
							</noteParagraph>
							<noteParagraph>
								<text>
									<u> 
Metaloides:</u> 
 H, B, C, Si, N, P, O, S, Se, Te, gases nobles, halógenos </text>
							</noteParagraph>
							<noteParagraph>
								<text>
									<u> 
Metales:</u> 
 otros elementos distintos a los metaloides </text>
							</noteParagraph>
							<noteParagraph>
								<text>
									<u> 
Elementos de transición:</u> 
 elementos con números atómicos comprendidos del 21 al 30 inclusive, del 39 al 48 inclusive, del 57 al 80 inclusive, 89 y superiores </text>
							</noteParagraph>
						</subnote>
					</noteParagraph>
					<noteParagraph>
						<text> 
La sección C <u> 
cubre</u> 
: </text>
						<subnote indent="1" type="alpha">
							<noteParagraph>
								<text> 
la química pura, que cubre los compuestos de la química inorgánica, de la química orgánica, de la química de las macromoléculas y sus procesos de preparación;</text>
							</noteParagraph>
							<noteParagraph>
								<text> 
la química aplicada, que cubre las composiciones que contienen compuestos tales como: vidrio, cemento, fertilizantes, materias plásticas, pinturas, productos de la industria del petróleo. Igualmente <u> 
cubre</u> 
 ciertas composiciones en la medida en que están dotadas de propiedades particulares aplicables para un fin determinado, como es el caso de: explosivos, colorantes, adhesivos, lubricantes y detergentes;</text>
							</noteParagraph>
							<noteParagraph>
								<text> 
ciertas industrias marginales, tales como las del coque y los combustibles sólidos o gaseosos, de la producción y refino de cuerpos grasos y ceras, de la fermentación (cerveza, vino), del azúcar;</text>
							</noteParagraph>
							<noteParagraph>
								<text> 
ciertas operaciones o tratamiento, bien por procesos puramente mecánicos, p.ej. tratamiento de cueros y pieles, bien por procesos en parte mecánicos, p.ej. el tratamiento de aguas, la lucha contra la corrosión en general;</text>
							</noteParagraph>
							<noteParagraph>
								<text> 
la metalurgia, aleacciones ferrosas o no ferrosas.</text>
							</noteParagraph>
						</subnote>
					</noteParagraph>
					<noteParagraph edition="20090101">
						<text> 
En todas las secciones de la CIP, salvo si se indica lo contrario, el Sistema Periódico de Elementos es el de 8 grupos representado abajo en la tabla. Por ejemplo,  el grupo <sref ref="C07F0003000000"></sref>
							<nbsp></nbsp> 
"Compuestos que contienen elementos del segundo grupo del sistema periódico" se refieres a los elementos de las columnas IIa y IIb.</text>
						<subnote indent="1" type="none">
							<noteParagraph>
								<text>
									<img src="fig401.gif"></img>
								</text>
							</noteParagraph>
						</subnote>
					</noteParagraph>
					<noteParagraph>
						<text></text>
						<subnote indent="1" type="alpha">
							<noteParagraph>
								<text> 
Por regla general, la parte o aspecto químico de toda operación, tratamiento, producto u objeto, que comporte igualmente una parte o aspecto no químico está siempre cubierta por la sección C.</text>
							</noteParagraph>
							<noteParagraph>
								<text> 
En ciertos casos de los señalados, la sección C trata igualmente de la parte no química, inclusive de la puramente mecánica, sea que este último aspecto constituya lo esencial de una operación o de un tratamiento, sea que constituye un elemento importante, por lo cual ha parecido más racional no disociar los diferentes aspectos o fases de un mismo conjunto coherente. Este es el caso de la química aplicada, de las industrias marginales y de las operaciones o tratamientos mencionados en las notas (1) (c), (d) y (e). De este modo, p.ej. los hornos para la fabricación del vidrio están cubiertos por la clase <sref ref="C03"></sref> 
 y no por la clase <sref ref="F27"></sref> 
.</text>
							</noteParagraph>
							<noteParagraph>
								<text> 
Hay, sin embargo, algunas excepciones en las que los aspectos mecánicos (o no químicos) llevan consigo un aspecto químico, por ejemplo:</text>
								<subnote indent="2" type="bullet">
									<noteParagraph>
										<text> 
Ciertos procedimientos de extracción en <sref ref="A61K"></sref> 
;</text>
									</noteParagraph>
									<noteParagraph>
										<text> 
La purificación química del aire en <sref ref="A61L"></sref> 
;</text>
									</noteParagraph>
									<noteParagraph>
										<text> 
Los procedimientos químicos de lucha contra incendios en <sref ref="A62D"></sref> 
;</text>
									</noteParagraph>
									<noteParagraph>
										<text> 
Los procesos y aparatos químicos en <sref ref="B01"></sref> 
;</text>
									</noteParagraph>
									<noteParagraph>
										<text> 
La impregnación de la madera en <sref ref="B27K"></sref> 
;</text>
									</noteParagraph>
									<noteParagraph>
										<text> 
Los métodos químicos de investigación y de análisis en <sref ref="G01N"></sref> 
;</text>
									</noteParagraph>
									<noteParagraph>
										<text> 
Los compuestos y procedimientos químicos de fotografía en <sref ref="G03"></sref> 
,  y de una manera general el tratamiento químico de textiles, la producción de celulosa y papel en la sección D.</text>
									</noteParagraph>
								</subnote>
							</noteParagraph>
							<noteParagraph>
								<text> 
En otros casos, el aspecto de la química pura está cubierto por la sección C, y el aspecto de la química aplicada en otras secciones, tales como A, B y F, p.ej. la utilización de una sustancia o composición para:</text>
								<subnote indent="2" type="bullet">
									<noteParagraph>
										<text> 
El tratamiento de plantas o animales está cubierto por la subclase <sref ref="A01N"></sref> 
;</text>
									</noteParagraph>
									<noteParagraph>
										<text> 
El tratamiento de los productos alimenticios está cubierto por la clase <sref ref="A23"></sref> 
;</text>
									</noteParagraph>
									<noteParagraph>
										<text> 
Las municiones o explosivos están cubiertos por la clase  <sref ref="F42"></sref> 
.</text>
									</noteParagraph>
								</subnote>
							</noteParagraph>
							<noteParagraph>
								<text> 
Cuando los aspectos químicos y mecánicos están muy relacionados para que sea posible una separación neta y fácil, o cuando ciertos procedimientos mecánicos constituyen una consecuencia natural y lógica de un tratamiento químico, la sección C puede cubrir, además de la parte química, una parte de aspecto solamente mecánico, p.ej. el tratamiento posterior de la piedra artificial está cubierto por la clase <sref ref="C04"></sref> 
. En este último caso una nota o una referencia se da usualmente para aclarar la posición, e igualmente si algunas veces la división es arbitraria. </text>
							</noteParagraph>
						</subnote>
					</noteParagraph>
				</note>
			</textBody>
		</ipcEntry>
		<ipcEntry endSymbol="C30" entryType="K" ipcLevel="C" kind="t" lang="EN" symbol="C21" nocore="yes">
			<textBody>
				<title>
					<titlePart>
						<text> 
METALURGIA</text>
					</titlePart>
				</title>
			</textBody>
		</ipcEntry>
		<ipcEntry edition="19800101" entryType="K" ipcLevel="C" kind="c" lang="ES" symbol="C30" nocore="yes">
			<textBody>
				<title>
					<titlePart>
						<text> 
CRECIMIENTO DE CRISTALES</text>
						<entryReference> 
separación por cristalización en general <sref ref="B01D0009000000"/>
						</entryReference>
					</titlePart>
				</title>
			</textBody>
			<ipcEntry edition="19800101" entryType="K" ipcLevel="C" kind="u" lang="ES" symbol="C30B" nocore="yes">
				<textBody>
					<title>
						<titlePart>
							<text> 
CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES</text>
							<entryReference> 
por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes <sref ref="B01J0003060000"></sref>
							</entryReference>
						</titlePart>
						<titlePart>
							<text> 
SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES</text>
						</titlePart>
						<titlePart>
							<text> 
AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA</text>
							<entryReference> 
afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones <sref ref="C22B"></sref>
							</entryReference>
						</titlePart>
						<titlePart>
							<text> 
PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA</text>
							<entryReference> 
colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos <sref ref="B22D"></sref>
							</entryReference>
							<entryReference> 
trabajo de materias plásticas <sref ref="B29"></sref>
							</entryReference>
							<entryReference> 
modificación de la estructura física de metales o aleaciones <sref ref="C21D"></sref> 
, <sref ref="C22F"></sref>
							</entryReference>
						</titlePart>
						<titlePart>
							<text> 
MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA</text>
						</titlePart>
						<titlePart>
							<text> 
TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA</text>
							<entryReference> 
para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas <sref ref="H01L"></sref>
							</entryReference>
						</titlePart>
						<titlePart>
							<text> 
APARATOS PARA ESTOS EFECTOS</text>
						</titlePart>
					</title>
				</textBody>
				<ipcEntry entryType="K" ipcLevel="C" kind="n" lang="ES" symbol="C30B" nocore="yes">
					<textBody>
						<note type="number">
							<noteParagraph>
								<text> 
En la presente subclase, las expresiones siguientes tiene el significado abajo indicado:</text>
								<subnote type="bullet">
									<noteParagraph edition="19800101">
										<text> 
"monocristal" comprende tambien las maclas y un producto de predominancia monocristalina; <nbsp></nbsp>
										</text>
									</noteParagraph>
									<noteParagraph edition="19900101">
										<text> 
"material policristalino homogéneo" designa un material de partículas cristalinas todas las cuales tienen la misma composición química;<nbsp></nbsp>
										</text>
									</noteParagraph>
									<noteParagraph edition="19900101">
										<text> 
"estructura determinada" designa la estructura de un material con partículas orientadas de forma preferencial o que tienen dimensiones superiores a las normalmente obtenidas.<nbsp></nbsp>
										</text>
									</noteParagraph>
								</subnote>
							</noteParagraph>
							<noteParagraph>
								<text> 
En la presente subclase:</text>
								<subnote type="bullet">
									<noteParagraph edition="19800101">
										<text> 
las invenciones relativas a la preparación de monocristales o de materias policristalinos homogéneos de estructura determinada, de composición o de formas particulares están clasificadas en el grupo relativo al proceso así como en el grupo <sref ref="C30B0029000000"></sref> 
;<nbsp></nbsp>
										</text>
									</noteParagraph>
									<noteParagraph edition="19800101">
										<text> 
un aparato especialmente adaptado a un proceso especifico está clasificado en el grupo apropiado para el proceso. Un aparato que puede ser utilizado para varios procesos está clasificado en el grupo <sref ref="C30B0035000000"></sref> 
.<nbsp></nbsp>
										</text>
									</noteParagraph>
								</subnote>
							</noteParagraph>
						</note>
					</textBody>
				</ipcEntry>
				<ipcEntry entryType="K" ipcLevel="C" kind="i" lang="ES" symbol="C30B" nocore="yes">
					<textBody>
						<index>
							<indexEntry>
								<text> 
CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES</text>
								<indexEntry>
									<text> 
a partir de sólidos o de geles</text>
									<references>
										<sref ref="C30B0001000000"></sref> 
, <sref ref="C30B0003000000"></sref> 
, <sref ref="C30B0005000000"></sref>
									</references>
								</indexEntry>
								<indexEntry>
									<text> 
a partir de líquidos</text>
									<references>
										<mref endRef="C30B0021000000" endRefLevel="c" endRefType="/" ref="C30B0007000000" refLevel="c" refType="/"></mref> 
, <sref ref="C30B0027000000"></sref>
									</references>
								</indexEntry>
								<indexEntry>
									<text> 
a partir de vapores</text>
									<references>
										<sref ref="C30B0023000000"></sref> 
, <sref ref="C30B0025000000"></sref>
									</references>
								</indexEntry>
							</indexEntry>
							<indexEntry>
								<text> 
PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA</text>
								<references>
									<sref ref="C30B0028000000"></sref> 
, <sref ref="C30B0030000000"></sref>
								</references>
							</indexEntry>
							<indexEntry>
								<text> 
MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA, CARACTERIZADOS POR SU MATERIA O SU FORMA</text>
								<references>
									<sref ref="C30B0029000000"></sref>
								</references>
							</indexEntry>
							<indexEntry>
								<text> 
TRATAMIENTO POSTERIOR</text>
								<references>
									<sref ref="C30B0031000000"></sref> 
, <sref ref="C30B0033000000"></sref>
								</references>
							</indexEntry>
							<indexEntry>
								<text> 
APARATOS</text>
								<references>
									<sref ref="C30B0035000000"></sref>
								</references>
							</indexEntry>
						</index>
					</textBody>
				</ipcEntry>
				<ipcEntry edition="19800101" endSymbol="C30B0005000000" entryType="K" ipcLevel="C" kind="g" lang="ES" symbol="C30B0001000000" nocore="yes">
					<textBody>
						<title>
							<titlePart>
								<text> 
Crecimiento de monocristales a partir de sólidos o de geles</text>
							</titlePart>
						</title>
					</textBody>
				</ipcEntry>
				<ipcEntry edition="19800101" entryType="K" ipcLevel="C" kind="m" lang="ES" priorityOrder="80" symbol="C30B0001000000" nocore="yes">
					<textBody>
						<title>
							<titlePart>
								<text> 
Crecimiento de monocristales a partir del estado sólido</text>
								<entryReference> 
separación unidireccional de materiales eutectoides <sref ref="C30B0003000000"></sref>
								</entryReference>
								<entryReference> 
bajo un fluido protector <sref ref="C30B0027000000"></sref>
								</entryReference>
							</titlePart>
						</title>
					</textBody>
					<ipcEntry edition="19800101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="1" lang="ES" symbol="C30B0001020000" nocore="yes">
						<textBody>
							<title>
								<titlePart>
									<text> 
por tratamiento térmico, p. ej. recocido bajo contracción</text>
									<entryReference>
										<sref ref="C30B0001120000"></sref> 
 tiene prioridad</entryReference>
								</titlePart>
							</title>
						</textBody>
						<ipcEntry edition="19800101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="2" lang="ES" symbol="C30B0001040000" nocore="yes">
							<textBody>
								<title>
									<titlePart>
										<text> 
Recristalización isotérmica</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
						</ipcEntry>
						<ipcEntry edition="19800101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="2" lang="ES" symbol="C30B0001060000" nocore="yes">
							<textBody>
								<title>
									<titlePart>
										<text> 
Recristalización en un gradiente de temperatura</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
							<ipcEntry edition="19800101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="3" lang="ES" symbol="C30B0001080000" nocore="yes">
								<textBody>
									<title>
										<titlePart>
											<text> 
Recristalización por zona</text>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
							</ipcEntry>
						</ipcEntry>
					</ipcEntry>
					<ipcEntry edition="19800101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="1" lang="ES" symbol="C30B0001100000" nocore="yes">
						<textBody>
							<title>
								<titlePart>
									<text> 
por reacción en estado sólido o difusión multifase</text>
								</titlePart>
							</title>
						</textBody>
					</ipcEntry>
					<ipcEntry edition="19800101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="1" lang="ES" symbol="C30B0001120000" nocore="yes">
						<textBody>
							<title>
								<titlePart>
									<text> 
por tratamiento bajo presión durante el crecimiento</text>
								</titlePart>
							</title>
						</textBody>
					</ipcEntry>
				</ipcEntry>
				<ipcEntry edition="19800101" entryType="K" ipcLevel="C" kind="m" lang="ES" priorityOrder="60" symbol="C30B0003000000" nocore="yes">
					<textBody>
						<title>
							<titlePart>
								<text> 
Separación unidireccional de materiales eutectoides</text>
							</titlePart>
						</title>
					</textBody>
				</ipcEntry>
				<ipcEntry edition="19800101" entryType="K" ipcLevel="C" kind="m" lang="ES" priorityOrder="70" symbol="C30B0005000000" nocore="yes">
					<textBody>
						<title>
							<titlePart>
								<text> 
Crecimiento de monocristales a partir de geles</text>
								<entryReference> 
bajo un fluido protector <sref ref="C30B0027000000"></sref>
								</entryReference>
							</titlePart>
						</title>
					</textBody>
					<ipcEntry edition="19800101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="1" lang="ES" symbol="C30B0005020000" nocore="yes">
						<textBody>
							<title>
								<titlePart>
									<text> 
con adición de un material de dopado</text>
								</titlePart>
							</title>
						</textBody>
					</ipcEntry>
				</ipcEntry>
				<ipcEntry edition="19800101" endSymbol="C30B0021000000" entryType="K" ipcLevel="C" kind="g" lang="ES" symbol="C30B0007000000" nocore="yes">
					<textBody>
						<title>
							<titlePart>
								<text> 
Crecimiento de monocristales a partir de líquidos</text>
							</titlePart>
							<titlePart>
								<text> 
Solidificación unidireccional de materiales eutécticos</text>
							</titlePart>
						</title>
					</textBody>
				</ipcEntry>
				<ipcEntry edition="19800101" entryType="K" ipcLevel="C" kind="m" lang="ES" priorityOrder="160" symbol="C30B0007000000" nocore="yes">
					<textBody>
						<title>
							<titlePart>
								<text> 
Crecimiento de monocristales a partir de soluciones utilizando solventes líquidos a temperatura ordinaria, p. ej. a partir de soluciones acuosas</text>
								<entryReference> 
a partir de solventes fundidos <sref ref="C30B0009000000"></sref>
								</entryReference>
								<entryReference> 
por simple solidificación o en un gradiente de temperatura <sref ref="C30B0011000000"></sref>
								</entryReference>
								<entryReference> 
bajo un fluido protector <sref ref="C30B0027000000"></sref>
								</entryReference>
							</titlePart>
						</title>
					</textBody>
					<ipcEntry edition="19800101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="1" lang="ES" symbol="C30B0007020000" nocore="yes">
						<textBody>
							<title>
								<titlePart>
									<text> 
por evaporación del solvente</text>
								</titlePart>
							</title>
						</textBody>
						<ipcEntry edition="19800101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="2" lang="ES" symbol="C30B0007040000" nocore="yes">
							<textBody>
								<title>
									<titlePart>
										<text> 
utilizando solventes acuosos</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
						</ipcEntry>
						<ipcEntry edition="19800101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="2" lang="ES" symbol="C30B0007060000" nocore="yes">
							<textBody>
								<title>
									<titlePart>
										<text> 
utilizando solventes no acuosos</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
						</ipcEntry>
					</ipcEntry>
					<ipcEntry edition="19800101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="1" lang="ES" symbol="C30B0007080000" nocore="yes">
						<textBody>
							<title>
								<titlePart>
									<text> 
por enfriamiento de la solución</text>
								</titlePart>
							</title>
						</textBody>
					</ipcEntry>
					<ipcEntry edition="19800101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="1" lang="ES" symbol="C30B0007100000" nocore="yes">
						<textBody>
							<title>
								<titlePart>
									<text> 
por aplicación de presión, p. ej. procesos hidrotérmicos</text>
								</titlePart>
							</title>
						</textBody>
					</ipcEntry>
					<ipcEntry edition="19800101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="1" lang="ES" symbol="C30B0007120000" nocore="yes">
						<textBody>
							<title>
								<titlePart>
									<text> 
por electrólisis</text>
								</titlePart>
							</title>
						</textBody>
					</ipcEntry>
					<ipcEntry edition="19800101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="1" lang="ES" symbol="C30B0007140000" nocore="yes">
						<textBody>
							<title>
								<titlePart>
									<text> 
produciéndose el material a cristalizar en la solución por reacciones químicas</text>
								</titlePart>
							</title>
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Crecimiento de monocristales a partir de baños fundidos utilizando solventes fundidos</text>
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por simple solidificación o en un gradiente de temperatura <sref ref="C30B0011000000"></sref>
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por fusión de zona <sref ref="C30B0013000000"></sref>
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por estirado del cristal <sref ref="C30B0015000000"></sref>
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sobre un germen cristalino sumergido <sref ref="C30B0017000000"></sref>
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por crecimiento epitaxial a partir de la fase líquida <sref ref="C30B0019000000"></sref>
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bajo un fluido protector <sref ref="C30B0027000000"></sref>
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por evaporación del solvente fundido</text>
								</titlePart>
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por enfriamiento del baño</text>
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									<titlePart>
										<text> 
utilizando uno de los constituyentes del cristal solvente</text>
									</titlePart>
								</title>
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								<title>
									<titlePart>
										<text> 
utilizando otros solventes</text>
									</titlePart>
								</title>
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										<titlePart>
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Solventes metálicos</text>
										</titlePart>
									</title>
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									<title>
										<titlePart>
											<text> 
Solventes formados por sales, p. ej. crecimiento en un fundente</text>
										</titlePart>
									</title>
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								<titlePart>
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por electrólisis</text>
								</titlePart>
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							<titlePart>
								<text> 
Crecimiento de monocristales por simple solidificación o en un gradiente de temperatura, p. ej. método de Bridgman-Stockbarger</text>
								<entryReference>
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, <sref ref="C30B0015000000"></sref> 
, <sref ref="C30B0017000000"></sref> 
, <sref ref="C30B0019000000"></sref> 
 tienen prioridad</entryReference>
								<entryReference> 
bajo un fluido protector <sref ref="C30B0027000000"></sref>
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								<titlePart>
									<text> 
sin solvente</text>
									<entryReference>
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 tiene prioridad</entryReference>
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							<title>
								<titlePart>
									<text> 
introduciendo en el baño fundido el material a cristalizar o los reactivos que lo forman <u> 
in situ</u>
									</text>
								</titlePart>
							</title>
						</textBody>
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								<title>
									<titlePart>
										<text> 
añadiendo al menos un constituyente del cristal, pero no todos</text>
									</titlePart>
								</title>
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								<title>
									<titlePart>
										<text> 
añadiendo todos los constituyentes del cristal durante la cristalización</text>
									</titlePart>
								</title>
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									<title>
										<titlePart>
											<text> 
Constituyentes sólidos o líquidos, p. ej. método de Verneuil</text>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
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									<title>
										<titlePart>
											<text> 
Constituyentes gaseosos, p. ej. crecimiento vapor-líquido-sólido</text>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
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							<title>
								<titlePart>
									<text> 
caracterizado por el germen, p. ej. por su orientación cristalográfica</text>
								</titlePart>
							</title>
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						<title>
							<titlePart>
								<text> 
Crecimiento de monocristales por fusión de zona</text>
							</titlePart>
							<titlePart>
								<text> 
Afinado por fusión de zona</text>
								<entryReference>
									<sref ref="C30B0017000000"></sref> 
 tiene prioridad</entryReference>
								<entryReference> 
por cambio de la sección transversal del sólido tratado <sref ref="C30B0015000000"></sref>
								</entryReference>
								<entryReference> 
bajo un fluido protector <sref ref="C30B0027000000"></sref>
								</entryReference>
								<entryReference> 
crecimiento de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada <sref ref="C30B0028000000"></sref>
								</entryReference>
								<entryReference> 
afinado por fusión de zona de materiales específicos, <u> 
ver</u> 
 las subclases apropiadas para estos materiales</entryReference>
							</titlePart>
						</title>
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							<title>
								<titlePart>
									<text> 
Fusión de zona con ayuda de un solvente, p. ej. proceso por desplazamiento del solvente</text>
								</titlePart>
							</title>
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							<title>
								<titlePart>
									<text> 
Homogeneización por nivelado de zona</text>
								</titlePart>
							</title>
						</textBody>
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							<title>
								<titlePart>
									<text> 
no extendiéndose la zona fundida a toda la sección transversal</text>
								</titlePart>
							</title>
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						<textBody>
							<title>
								<titlePart>
									<text> 
introduciendo en la zona fundida el material a cristalizar o los reactivos que lo forman <u> 
in situ</u>
									</text>
								</titlePart>
							</title>
						</textBody>
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							<textBody>
								<title>
									<titlePart>
										<text> 
añadiendo un material de dopado</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
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									<title>
										<titlePart>
											<text> 
en estado gas o vapor</text>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
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							<title>
								<titlePart>
									<text> 
Crisoles o recipientes</text>
								</titlePart>
							</title>
						</textBody>
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							<title>
								<titlePart>
									<text> 
Calentamiento de la zona fundida</text>
								</titlePart>
							</title>
						</textBody>
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								<title>
									<titlePart>
										<text> 
estando el elemento calefactor en contacto con, o sumergido en, la zona fundida</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
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								<title>
									<titlePart>
										<text> 
por inducción, p. ej. técnica del alambre caliente</text>
										<entryReference>
											<sref ref="C30B0013180000"></sref> 
 tiene prioridad</entryReference>
										<entryReference> 
bobinas de inducción <sref ref="H05B0006360000"></sref>
										</entryReference>
									</titlePart>
								</title>
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							<textBody>
								<title>
									<titlePart>
										<text> 
por irradiación o por descarga eléctrica</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
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								<textBody>
									<title>
										<titlePart>
											<text> 
utilizando radiaciones electromagnéticas</text>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
							</ipcEntry>
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						<textBody>
							<title>
								<titlePart>
									<text> 
Agitación de la zona fundida</text>
								</titlePart>
							</title>
						</textBody>
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							<title>
								<titlePart>
									<text> 
Control o regulación</text>
									<entryReference> 
control o regulación en general <sref ref="G05"></sref>
									</entryReference>
								</titlePart>
							</title>
						</textBody>
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							<textBody>
								<title>
									<titlePart>
										<text> 
Estabilización, o control de la forma, de la zona de fusión, p. ej. por concentradores, por campos electromagnéticos</text>
									</titlePart>
									<titlePart>
										<text> 
Control de la sección de cristal</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
						</ipcEntry>
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						<textBody>
							<title>
								<titlePart>
									<text> 
Mecanismos para desplazar o bien la carga, o bien el dispositivo de calefacción</text>
								</titlePart>
							</title>
						</textBody>
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						<textBody>
							<title>
								<titlePart>
									<text> 
caracterizado por el germen, p. ej. por su orientación cristalográfica</text>
								</titlePart>
							</title>
						</textBody>
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					<textBody>
						<title>
							<titlePart>
								<text> 
Crecimiento de monocristales por estirado fuera de un baño fundido, p. ej. método de Czochralski</text>
								<entryReference> 
bajo un fluido protector <sref ref="C30B0027000000"></sref>
								</entryReference>
							</titlePart>
						</title>
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						<textBody>
							<title>
								<titlePart>
									<text> 
introduciendo en el material fundido el material a cristalizar o los reactivos que lo forman <u> 
in situ</u>
									</text>
								</titlePart>
							</title>
						</textBody>
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							<textBody>
								<title>
									<titlePart>
										<text> 
añadiendo un material de dopado, p. ej. para una unión n<endash></endash> 
p</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
						</ipcEntry>
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						<textBody>
							<title>
								<titlePart>
									<text> 
Estirado no vertical</text>
								</titlePart>
							</title>
						</textBody>
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						<textBody>
							<title>
								<titlePart>
									<text> 
Estirado hacia abajo</text>
								</titlePart>
							</title>
						</textBody>
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						<textBody>
							<title>
								<titlePart>
									<text> 
Crisoles o recipientes para sostener el baño fundido</text>
								</titlePart>
							</title>
						</textBody>
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							<textBody>
								<title>
									<titlePart>
										<text> 
Métodos que utilizan un crisol doble</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
						</ipcEntry>
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						<textBody>
							<title>
								<titlePart>
									<text> 
Calentamiento del baño fundido o del material cristalizado</text>
								</titlePart>
							</title>
						</textBody>
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							<textBody>
								<title>
									<titlePart>
										<text> 
por irradiación o por descarga eléctrica</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
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							<textBody>
								<title>
									<titlePart>
										<text> 
utilizando una calefacción directa por resistencia además de otros medios de calefacción, p. ej. utilizando la calefacción por efecto Peltier</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
						</ipcEntry>
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							<title>
								<titlePart>
									<text> 
Control o regulación</text>
									<entryReference> 
control o regulación en general <sref ref="G05"></sref>
									</entryReference>
								</titlePart>
							</title>
						</textBody>
						<ipcEntry edition="19800101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="2" lang="ES" symbol="C30B0015220000" nocore="yes">
							<textBody>
								<title>
									<titlePart>
										<text> 
Estabilización, o control de la forma, de la zona fundida próxima al cristal estirado</text>
									</titlePart>
									<titlePart>
										<text> 
Control de la sección del cristal</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
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								<textBody>
									<title>
										<titlePart>
											<text> 
utilizando medios mecánicos, p. ej. guías de formación</text>
											<entryReference> 
matrices de formación para el crecimiento de cristales por alimentación del lecho con control de superficie <sref ref="C30B0015340000"></sref>
											</entryReference>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
							</ipcEntry>
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								<textBody>
									<title>
										<titlePart>
											<text> 
utilizando detectores de televisión</text>
										</titlePart>
										<titlePart>
											<text> 
utilizando detectores fotográficos o de rayos X</text>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
							</ipcEntry>
							<ipcEntry edition="19800101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="3" lang="ES" symbol="C30B0015280000" nocore="yes">
								<textBody>
									<title>
										<titlePart>
											<text> 
utilizando el cambio de peso del cristal o del baño fundido, p. ej. por métodos de flotación</text>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
							</ipcEntry>
						</ipcEntry>
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						<textBody>
							<title>
								<titlePart>
									<text> 
Mecanismos para hacer girar o para desplazar bien el baño fundido, bien el cristal</text>
									<entryReference> 
métodos de flotación <sref ref="C30B0015280000"></sref>
									</entryReference>
								</titlePart>
							</title>
						</textBody>
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						<textBody>
							<title>
								<titlePart>
									<text> 
Portagérmenes, p. ej. mandriles</text>
								</titlePart>
							</title>
						</textBody>
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						<textBody>
							<title>
								<titlePart>
									<text> 
Crecimiento de cristales por alimentación del lecho con control de superficie utilizando matrices de formación o grietas de conducción</text>
								</titlePart>
							</title>
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							<title>
								<titlePart>
									<text> 
caracterizada por el germen, p. ej. por su orientación cristalográfica</text>
								</titlePart>
							</title>
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							<titlePart>
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Crecimiento de monocristales sobre un germen que queda en el baño fundido durante el crecimiento, p. ej. método de Nacken-Kyropoulos</text>
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 tiene prioridad</entryReference>
							</titlePart>
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							<titlePart>
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Crecimiento de un lecho epitaxial a partir de la fase líquida</text>
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								<titlePart>
									<text> 
utilizando solventes fundidos, p. ej. fundentes</text>
								</titlePart>
							</title>
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									<titlePart>
										<text> 
siendo el solvente un constituyente del cristal</text>
									</titlePart>
								</title>
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Cámaras de reacción</text>
								</titlePart>
								<titlePart>
									<text> 
navecillas para baño fundido</text>
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								<titlePart>
									<text> 
Portasustrato</text>
								</titlePart>
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								<titlePart>
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Calentamiento de la cámara de reacción o del sustrato</text>
								</titlePart>
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Control o regulación</text>
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control o regulación en general <sref ref="G05"></sref>
									</entryReference>
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caracterizada por el sustrato</text>
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Solidificación unidireccional de materiales eutécticos</text>
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por simple colada o por solidificación en un gradiente de temperatura</text>
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por fusión de zona</text>
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por estirado a partir de un baño fundido</text>
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Crecimiento de monocristales a partir de vapores</text>
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							<titlePart>
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Crecimiento de monocristales por condensación de un material evaporado o sublimado</text>
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								<titlePart>
									<text> 
Crecimiento de un lecho epitaxial</text>
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								<title>
									<titlePart>
										<text> 
Depósito según una configuración determinada, p. ej. utilizando mascarillas</text>
									</titlePart>
								</title>
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								<title>
									<titlePart>
										<text> 
Calentamiento del recinto de depósito, del sustrato o del material a evaporar</text>
									</titlePart>
								</title>
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									<titlePart>
										<text> 
por condensación de vapores ionizados</text>
										<entryReference> 
por pulverización reactiva <sref ref="C30B0025060000"></sref>
										</entryReference>
									</titlePart>
								</title>
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						<title>
							<titlePart>
								<text> 
Crecimiento de monocristales por reacción química de gases reactivos, p. ej. crecimiento por depósito químico en fase vapor</text>
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								<titlePart>
									<text> 
Crecimiento de un lecho epitaxial</text>
								</titlePart>
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								<title>
									<titlePart>
										<text> 
Depósito según una configuración determinada, p. ej. utilizando mascarillas</text>
									</titlePart>
								</title>
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								<title>
									<titlePart>
										<text> 
por pulverización reactiva</text>
									</titlePart>
								</title>
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									<titlePart>
										<text> 
Recintos de reacción</text>
									</titlePart>
									<titlePart>
										<text> 
Empleo de un material específico para este fin</text>
									</titlePart>
								</title>
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								<title>
									<titlePart>
										<text> 
Calentamiento del recinto de reacción o del sustrato</text>
									</titlePart>
								</title>
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								<title>
									<titlePart>
										<text> 
Portasustrato o soportes</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
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								<title>
									<titlePart>
										<text> 
Medios de introducción y evacuación de gases</text>
									</titlePart>
									<titlePart>
										<text> 
Modificación de la corriente de gases reactivos</text>
									</titlePart>
								</title>
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								<title>
									<titlePart>
										<text> 
Control o regulación</text>
										<entryReference> 
control o regulación en general <sref ref="G05"></sref>
										</entryReference>
									</titlePart>
								</title>
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								<title>
									<titlePart>
										<text> 
caracterizado por el sustrato</text>
									</titlePart>
								</title>
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									<title>
										<titlePart>
											<text> 
siendo el sustrato del mismo material que el lecho epitaxial</text>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
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								<title>
									<titlePart>
										<text> 
Procesos en los cuales el crecimiento interviene sobre las dos caras</text>
									</titlePart>
								</title>
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						<title>
							<titlePart>
								<text> 
Crecimiento de monocristales bajo un fluido protector</text>
							</titlePart>
						</title>
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							<title>
								<titlePart>
									<text> 
por estirado a partir de un baño fundido</text>
								</titlePart>
							</title>
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						<title>
							<titlePart>
								<text> 
Producción de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada</text>
							</titlePart>
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							<title>
								<titlePart>
									<text> 
directamente a partir del estado sólido</text>
								</titlePart>
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							<title>
								<titlePart>
									<text> 
a partir de líquidos</text>
								</titlePart>
							</title>
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								<title>
									<titlePart>
										<text> 
por solidificación simple o en un gradiente de temperatura</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
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								<title>
									<titlePart>
										<text> 
por fusión de zona</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
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								<title>
									<titlePart>
										<text> 
por retirado a partir de un baño fundido</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
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							<title>
								<titlePart>
									<text> 
directamente a partir del estado gaseoso</text>
								</titlePart>
							</title>
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								<title>
									<titlePart>
										<text> 
por reacción química de gases reactivos</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
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						<title>
							<titlePart>
								<text> 
Monocristales o materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada caracterizados por los materiales o por su forma</text>
								<entryReference> 
aleaciones <sref ref="C22C"></sref>
								</entryReference>
							</titlePart>
						</title>
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								<noteParagraph edition="19800101">
									<text> 
En los grupos <mref endRef="C30B0029540000" endRefLevel="c" endRefType="/" ref="C30B0029020000" refLevel="c" refType="/"></mref> 
, salvo indicación en contra, una composición está clasificada en el último lugar apropiado.</text>
								</noteParagraph>
							</note>
						</textBody>
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							<title>
								<titlePart>
									<text> 
Elementos</text>
								</titlePart>
							</title>
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							<textBody>
								<title>
									<titlePart>
										<text> 
Diamante</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
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								<title>
									<titlePart>
										<text> 
Silicio</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
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								<title>
									<titlePart>
										<text> 
Germanio</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
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							<title>
								<titlePart>
									<text> 
Compuestos inorgánicos o composiciones inorgánicas</text>
								</titlePart>
							</title>
						</textBody>
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								<title>
									<titlePart>
										<text> 
Haluros</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
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								<title>
									<titlePart>
										<text> 
Fosfatos</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
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								<title>
									<titlePart>
										<text> 
Oxidos</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
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								<textBody>
									<title>
										<titlePart>
											<text> 
Cuarzo</text>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
							</ipcEntry>
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								<textBody>
									<title>
										<titlePart>
											<text> 
Oxidos de aluminio</text>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
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								<textBody>
									<title>
										<titlePart>
											<text> 
Oxidos complejos</text>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
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									<textBody>
										<title>
											<titlePart>
												<text> 
de fórmula AMeO<sub> 
3</sub> 
, en la cual A es un metal de las tierras raras y Me es Fe, Ga, Sc, Cr, Co, o Al, p. ej. ortoferritas</text>
											</titlePart>
										</title>
									</textBody>
								</ipcEntry>
								<ipcEntry edition="19800101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="4" lang="ES" symbol="C30B0029260000" nocore="yes">
									<textBody>
										<title>
											<titlePart>
												<text> 
de fórmula BMe<sub> 
2</sub> 
O<sub> 
4</sub> 
, en la cual B es Mg, Ni, Co, Al, Zn o Cd y Me es Fe, Ga, Sc, Cr, Co o Al</text>
											</titlePart>
										</title>
									</textBody>
								</ipcEntry>
								<ipcEntry edition="19800101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="4" lang="ES" symbol="C30B0029280000" nocore="yes">
									<textBody>
										<title>
											<titlePart>
												<text> 
de fórmula A<sub> 
3</sub> 
Me<sub> 
5</sub> 
O<sub> 
12</sub> 
, en la cual A es un metal de las tierras raras y Me es Fe, Ga, Sc, Cr, Co o Al, p. ej. granates</text>
											</titlePart>
										</title>
									</textBody>
								</ipcEntry>
								<ipcEntry edition="19800101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="4" lang="ES" symbol="C30B0029300000" nocore="yes">
									<textBody>
										<title>
											<titlePart>
												<text> 
Niobatos</text>
											</titlePart>
											<titlePart>
												<text> 
Vanadatos</text>
											</titlePart>
											<titlePart>
												<text> 
Tantalatos</text>
											</titlePart>
										</title>
									</textBody>
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									<textBody>
										<title>
											<titlePart>
												<text> 
Titanatos</text>
											</titlePart>
											<titlePart>
												<text> 
Germanatos</text>
											</titlePart>
											<titlePart>
												<text> 
Molibdatos</text>
											</titlePart>
											<titlePart>
												<text> 
Tungstatos</text>
											</titlePart>
										</title>
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								<title>
									<titlePart>
										<text> 
Silicatos</text>
									</titlePart>
								</title>
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								<title>
									<titlePart>
										<text> 
Carburos</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
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								<title>
									<titlePart>
										<text> 
Nitruros</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
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								<title>
									<titlePart>
										<text> 
Compuestos A<sub> 
III</sub> 
B<sub> 
V</sub>
										</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
							<ipcEntry edition="19800101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="3" lang="ES" symbol="C30B0029420000" nocore="yes">
								<textBody>
									<title>
										<titlePart>
											<text> 
Arseniuro de galio</text>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
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								<textBody>
									<title>
										<titlePart>
											<text> 
Fosfuro de galio</text>
										</titlePart>
									</title>
								</textBody>
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								<title>
									<titlePart>
										<text> 
Compuestos que contienen azufre, selenio o teluro</text>
									</titlePart>
								</title>
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									<title>
										<titlePart>
											<text> 
Compuestos A<sub> 
II</sub> 
B<sub> 
VI</sub>
											</text>
										</titlePart>
									</title>
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								<ipcEntry edition="19800101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="4" lang="ES" symbol="C30B0029500000" nocore="yes">
									<textBody>
										<title>
											<titlePart>
												<text> 
Sulfuro de cadmio</text>
											</titlePart>
										</title>
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								<title>
									<titlePart>
										<text> 
Aleaciones</text>
									</titlePart>
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								<titlePart>
									<text> 
Compuestos orgánicos</text>
								</titlePart>
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								<title>
									<titlePart>
										<text> 
Tartratos</text>
									</titlePart>
								</title>
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									<titlePart>
										<text> 
Compuestos macromoleculares</text>
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							<title>
								<titlePart>
									<text> 
caracterizados por la forma</text>
								</titlePart>
							</title>
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									<titlePart>
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Agujas o limaduras</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
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								<title>
									<titlePart>
										<text> 
Cristales lisos, p. ej. placas, bandas, discos</text>
									</titlePart>
								</title>
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							<textBody>
								<title>
									<titlePart>
										<text> 
Cristales de forma geométrica compleja, p. ej. tubos, cilindros</text>
									</titlePart>
								</title>
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								<title>
									<titlePart>
										<text> 
Cristales de estructura laminar, p. ej. redes superpuestas</text>
									</titlePart>
								</title>
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						<title>
							<titlePart>
								<text> 
Producción de monocristales o materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada, caracterizado por la acción de campos eléctricos o magnéticos, de energía ondulatoria o de otras condiciones físicas específicas</text>
							</titlePart>
						</title>
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							<note type="none">
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									<text> 
Cuando se clasifique en este grupo, se clasifica también de acuerdo con el procedimiento de crecimiento cristalino en los grupos apropiados <mref endRef="C30B0028000000" endRefLevel="c" endRefType="/" ref="C30B0001000000" refLevel="c" refType="/"></mref>
										<nbsp></nbsp>
									</text>
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							<title>
								<titlePart>
									<text> 
mediante utilización de campos eléctricos, p. ej. electrólisis</text>
								</titlePart>
							</title>
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							<title>
								<titlePart>
									<text> 
mediante utilización de campos magnéticos</text>
								</titlePart>
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							<title>
								<titlePart>
									<text> 
mediante utilización de vibraciones mecánicas</text>
								</titlePart>
							</title>
						</textBody>
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						<textBody>
							<title>
								<titlePart>
									<text> 
en condiciones de gravedad nula o microgravedad</text>
								</titlePart>
							</title>
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						<title>
							<titlePart>
								<text> 
Tratamiento posterior de monocristales o de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada</text>
							</titlePart>
						</title>
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						<title>
							<titlePart>
								<text> 
Procesos de difusión o de dopado de monocristales o de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada</text>
							</titlePart>
							<titlePart>
								<text> 
Aparatos para estos efectos</text>
							</titlePart>
						</title>
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						<textBody>
							<title>
								<titlePart>
									<text> 
por contacto con la sustancia de difusión en estado sólido</text>
								</titlePart>
							</title>
						</textBody>
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					<ipcEntry edition="19800101" entryType="K" ipcLevel="A" kind="1" lang="ES" symbol="C30B0031040000" nocore="yes">
						<textBody>
							<title>
								<titlePart>
									<text> 
por contacto con la sustancia de difusión en estado líquido</text>
								</titlePart>
							</title>
						</textBody>
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						<textBody>
							<title>
								<titlePart>
									<text> 
por contacto con la sustancia de difusión en estado gaseoso</text>
									<entryReference>
										<sref ref="C30B0031180000"></sref> 
 tiene prioridad</entryReference>
								</titlePart>
							</title>
						</textBody>
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							<textBody>
								<title>
									<titlePart>
										<text> 
siendo la sustancia de difusión un compuesto de los elementos a difundir</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
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							<textBody>
								<title>
									<titlePart>
										<text> 
Recintos de reacción</text>
									</titlePart>
									<titlePart>
										<text> 
Empleo de un material específico para este fin</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
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								<title>
									<titlePart>
										<text> 
Calefacción del recinto de reacción</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
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							<textBody>
								<title>
									<titlePart>
										<text> 
Portasustrato o soportes</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
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							<textBody>
								<title>
									<titlePart>
										<text> 
Medios de introducción y evacuación de gases</text>
									</titlePart>
									<titlePart>
										<text> 
Modificación de la corriente de los gases</text>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
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								<title>
									<titlePart>
										<text> 
Control o regulación</text>
										<entryReference> 
control o regulación en general <sref ref="G05"></sref>
										</entryReference>
									</titlePart>
								</title>
							</textBody>
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						<textBody>
							<title>
								<titlePart>
									<text> 
Dopado por irradiación por medio de radiaciones electromagnéticas o por radiación corpuscular</text>
								</titlePart>
							</title>
						</textBody>
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								<title>
									<titlePart>
										<text> 
por implantación de iones</text>
									</titlePart>
								</title>
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							<titlePart>
								<text> 
Tratamiento posterior de monocristales o de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada</text>
								<entryReference>
									<sref ref="C30B0031000000"></sref> 
 tiene prioridad</entryReference>
								<entryReference> 
trabajo con muela, pulido <sref ref="B24"></sref>
								</entryReference>
								<entryReference> 
trabajo mecánico de piedras finas, piedras preciosas, cristales <sref ref="B28D0005000000"></sref>
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								<titlePart>
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Tratamiento térmico</text>
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, <sref ref="C30B0033060000"></sref> 
 tienen prioridad</entryReference>
								</titlePart>
							</title>
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							<title>
								<titlePart>
									<text> 
mediante utilización de campos eléctricos o magnéticos o de radiaciones corpusculares</text>
								</titlePart>
							</title>
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							<title>
								<titlePart>
									<text> 
Ensamblaje de cristales</text>
								</titlePart>
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								<titlePart>
									<text> 
Grabado</text>
								</titlePart>
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								<title>
									<titlePart>
										<text> 
en soluciones o en baños fundidos</text>
									</titlePart>
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								<title>
									<titlePart>
										<text> 
en atmósfera gaseosa o en plasma</text>
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						<title>
							<titlePart>
								<text> 
Aparatos en general, especialmente adaptados para la ejecución de los procesos de crecimiento, producción o tratamiento posterior de monocristales o de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada</text>
							</titlePart>
						</title>
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