G
SECCION G — FISICA
 G

Nota(s)

  1. En la presente sección, la expresión siguiente tiene el significado abajo indicado:
    • "variable" (en tanto que sustantivo) designa una característica o una propiedad (p. ej. una dimensión, una condición física como una temperatura, una cualidad como la densidad o el color) que es susceptible de ser medida para una entidad dada (p. ej. un objeto, una cantidad de sustancia, un haz luminoso) y en un momento dado; la variable puede cambiar, de forma que su expresión numérica puede adquirir valores diferentes en diferentes momentos, en condiciones diferentes o en casos particulares, pero puede ser constante para una entidad dada en ciertas condiciones o con fines prácticos (p. ej. la longitud de una barra puede ser considerada como constante en numerosas ocasiones).
  2. Es importante tener en cuenta las definiciones de las expresiones empleadas, que figuran en las notas explicativas de varias clases de la presente sección, en particular las de "metrología" en la clase G01 y las de "control" y "regulación" en las clases G05.
  3. Es posible que la clasificación de invenciones en la presente sección entrañe más dificultades que en otras, debido a que la diferencia entre los distintos campos de aplicación, descansa, en gran medida, sobre las intenciones diferentes de los utilizadores más que sobre las diferencias de estructura o las diferencias en la manera de utilizar las invenciones y Y debido a que los temas tratados son en realidad sistemas o combinaciones que tienen características o elementos comunes más bien que "cosas" que formen un conjunto totalmente diferenciable. Así una información (p. ej. una serie de cifras) puede ser presentada con fines educativos o publicitarios (G09), para dar a conocer el resultado de una medida (G01), para transmitir la información a un punto remoto o también para dar una información que proviene de un punto remoto (G08). Las palabras empleadas para describir el objeto de la invención dependen de características que pueden no guardar ninguna relación con la forma del aparato en cuestión, p. ej. el efecto deseado sobre la persona que ve la presentación de la información, o el hecho de que la presentación sea controlada desde un punto remoto. Del mismo modo, un dispositivo que responde a un cambio dado en una condición, p. ej. la presión de un fluido, puede ser utilizado, sin modificación del dispositivo en sí, para dar una información sobre la presión (G01L) o sobre cualquier otra condición ligada a la presión (es decir otra subclase de G01, p. ej. G01K para la temperatura), para registrar la presión o el hecho de que exista (G07C), para dar la alarma (G08B), o para controlar otro aparato (G05).

    El esquema de la clasificación tiene por objeto permitir clasificar conjuntamente cosas de una misma naturaleza (según se indica más arriba). Por tanto es particularmente necesario determinar cuál es la naturaleza real de toda invención antes de poderla clasificar de forma conveniente.

  
INSTRUMENTOS
 G11
REGISTRO DE LA INFORMACION
 G11C
MEMORIAS ESTATICAS (registro de la información basado en un movimiento relativo entre el soporte de registro y el transductor G11B; dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108-H01L 27/115; técnica del impulso en general H03K, p. ej. conmutadores electrónicos H03K 17/00)
 G11C

Nota(s)

  1. La presente subclase cubre los dispositivos o disposiciones para el almacenamiento de informaciones digitales o analógicas:
    1. en los que no hay movimiento relativo entre un elemento de almacenamiento de información y un transductor;
    2. que tienen un dispositivo selector para la escritura de informaciones en la memoria digital o su lectura a partir de ésta.
  2. La presente subclase no cubre los elementos no adaptados para el almacenamiento o no provistos de tales medios, que están cubiertos por la subclase apropiada, p. ej. H01, H03K.
  3. En esta subclase, los siguientes términos se utilizan con el significado indicado: [8]
    • "elemento de almacenamiento" es un elemento que puede almacenar al menos una unidad de información y está provisto de medios para la escritura o lectura de esta información; [8]
    • "memoria" es un dispositivo, que incluye elementos almacenamiento, que pueden almacenar información a ser extraída cuando se desee. [8]
 G11C
Esquema general
ESCRITURA O LECTURA DE INFORMACIÓN7/00
SELECCION DE DIRECCION8/00
MEMORIAS DIGITALES CARACTERIZADAS POR LA NATURALEZA DE LOS ELEMENTOS
Tipos eléctricos o magnéticos; sus detalles11/00; 5/00
Tipos mecánicos23/00
Tipos fluidos25/00
Otros tipos13/00
MEMORIAS DIGITALES CARACTERIZADAS POR DISPOSITIVOS DE SALVAGUARDIA (BACK-UP)14/00
MEMORIAS DE SOLO LECTURA PROGRAMABLES Y BORRABLES16/00
MEMORIAS DIGITALES CARACTERIZADAS POR EL DESPLAZAMIENTO DE LA INFORMACION
Desplazamiento; circulación19/00; 21/00
MEMORIAS CARACTERIZADAS POR LA FUNCION
Asociativa; analógica; de lectura solamente15/00; 27/00; 17/00
VERIFICACION DE MEMORIAS29/00
MATERIA NO PREVISTA EN OTROS GRUPOS DE ESTA SUBCLASE99/00
P:120 G11C 5/00
Detalles de memorias cubiertos por el grupo G11C 11/00
 G11C 5/02
·  Disposición de elementos de almacenamiento, p. ej. bajo la forma de una matriz
 G11C 5/04
·  ·  Soportes para elementos de almacenamiento; Montaje o fijación de elementos sobre tales soportes
 G11C 5/05
·  ·  ·  Soportes de núcleos en una matriz  [2]
 G11C 5/06
·  Disposiciones para interconectar eléctricamente elementos de almacenamiento, p. ej. por cableado
 G11C 5/08
·  ·  para interconectar elementos magnéticos, p. ej. núcleos toroidales
 G11C 5/10
·  ·  para interconectar capacidades
 G11C 5/12
·  Aparatos o procedimientos para interconectar elementos de almacenamiento, p. ej. para enhebrar núcleos magnéticos
 G11C 5/14
·  Disposiciones para la alimentación (circuitos auxiliares para memorias que utilizan dispositivos semiconductores, G11C 11/4063, G11C 11/413, G11C 11/4193; en general G05F, H02J, H02M)  [5,7]
P:130 G11C 7/00
Disposiciones para escribir una información o para leer una información en una memoria digital (G11C 5/00 tiene prioridad; circuitos auxiliares para memorias que utilizan dispositivos semiconductores G11C 11/4063, G11C 11/413, G11C 11/4193)  [2,5]
 G11C 7/02
·  con medios para evitar las señales parásitas
 G11C 7/04
·  con medios para evitar perturbaciones debidas a efectos térmicos
 G11C 7/06
·  Amplificadores para lectura; Circuitos asociados (amplificadores en sí H03F, H03K)  [1,7]
 G11C 7/08
·  ·  Control de los mismos  [7]
 G11C 7/10
·  Disposiciones de interfaz para entrada/salida (E/S) de datos, p.ej. circuitos de control de entrada/salida (E/S) de datos, memorias intermedias de entrada/salida (E/S) de datos (circuitos de conversión de nivel en general H03K 19/0175)  [7]
 G11C 7/12
·  Circuitos de control de líneas de bits, p.ej. circuitos de excitación, de potencia, de arrastre hacía arriba (pull-up), de empuje hacía abajo (pull-down), circuitos de precarga, circuitos de igualación, para líneas de bits  [7]
 G11C 7/14
·  Gestión de celdas ficticias; Generadores de tensión de referencia para lectura  [7]
 G11C 7/16
·  Almacenamiento de señales analógicas en memorias digitales utilizando una disposición que comprende convertidores analógico/digitales (A/D), memorias digitales y convertidores digitales/analógicos (D/A)  [7]
 G11C 7/18
·  Organización de líneas de bits; Disposición de líneas de bits  [7]
 G11C 7/20
·  Circuitos de inicialización de celdas de memoria, p.ej. al activar o desactivar, borrado de memoria, memoria de imagen latente  [7]
 G11C 7/22
·  Circuitos de sincronización o de reloj para la lectura-escritura (R-W); Generadores o gestión de señales de control para la lectura-escritura (R-W)  [7]
 G11C 7/24
·  Circuitos de protección o de seguridad para celdas de memoria, p. ej. disposiciones para impedir la lectura o la escritura involuntaria; Celdas de estado; Celdas de prueba  [7]
P:140 G11C 8/00
Disposiciones para seleccionar una dirección en una memoria digital (circuitos auxiliares para memorias que utilizan dispositivos semiconductores G11C 11/4063, G11C 11/413, G11C 11/4193)  [2,5]
 G11C 8/02
·  utilizando una matriz de selección  [2]
 G11C 8/04
·  que utilizan un dispositivo de direccionamiento secuencial, p. ej. registro de desplazamiento, contador (utilizando registros de tipo primero en entrar primero en salir (FIFO) para modificar la velocidad de flujo de datos digitales G06F 5/06; utilizando registros de tipo último en entrar primero en salir (LIFO) para el tratamiento de datos digitales actuando sobre su orden G06F 7/00)  [5]
 G11C 8/06
·  Disposiciones de interfaz de direcciones, p.ej. memorias intermedias de direcciones (circuitos de conversión de nivel en general H03K 19/0175)  [7]
 G11C 8/08
·  Circuitos de control de líneas de palabras, p.ej. circuitos de excitación, de potencia, de arrastre hacía arriba (pull-up), de empuje hacía abajo (pull-down), circuitos de precarga, circuitos de igualación, para líneas de palabras  [7]
 G11C 8/10
·  Descodificadores  [7]
 G11C 8/12
·  Circuitos de selección de grupo, p.ej. para la selección de un bloque de memoria, la selección de un circuito integrado, la selección de una red de celdas  [7]
 G11C 8/14
·  Organización de líneas de palabras; Disposición de líneas de palabras  [7]
 G11C 8/16
·  Red de memoria de acceso múltiple, p.ej. direccionamiento de un elemento de almacenamiento mediante al menos dos grupos de líneas de direccionamiento independientes  [7]
 G11C 8/18
·  Circuitos de sincronización o de reloj; Generación o gestión de señales de control de dirección, p.ej. para las señales de selección de dirección de línea (RAS) o de selección de dirección de columna (CAS)  [7]
 G11C 8/20
·  Circuitos de seguridad o de protección de dirección, es decir, disposiciones para impedir un acceso no autorizado o accidental  [7]
P:70 G11C 11/00
Memorias digitales caracterizadas por la utilización de elementos de almacenamiento eléctricos o magnéticos particulares; Elementos de almacenamiento correspondientes (G11C 14/00-G11C 21/00 tienen prioridad)  [5]
 G11C 11/02 - 
G11C 11/54

Nota(s)

El grupo G11C 11/56 tiene prioridad sobre los grupos G11C 11/02-G11C 11/54[2]

 G11C 11/02
·  que utilizan elementos magnéticos
 G11C 11/04
·  ·  que utilizan elementos de almacenamiento de forma cilíndrica, p. ej. barra, hilo (G11C 11/12, G11C 11/14 tienen prioridad)  [2]
 G11C 11/06
·  ·  que utilizan elementos de almacenamiento de simple abertura, p. ej. núcleo anular; que utilizan placas de varias aberturas en las que cada abertura constituye un elemento de almacenamiento
 G11C 11/061
·  ·  ·  que utilizan elementos de una sola abertura o de bucle magnético único, a razón de un elemento por bit, y para la lectura destructiva  [2]
 G11C 11/063
·  ·  ·  ·  organizados por bit, p. ej. organización 2L/2D, 3D, es decir, para la selección de un elemento por medio de al menos dos corrientes parciales coincidentes, tanto para la lectura como la escritura  [2]
 G11C 11/065
·  ·  ·  ·  organizados por palabras, p. ej. organización 2D o selección lineal, es decir, para la selección de todos los elementos de una palabra por medio de una corriente completa para la lectura  [2]
 G11C 11/067
·  ·  ·  que utilizan elemento de una sola abertura o de bucle magnético único, a razón de un elemento por bit, y para la lectura no destructiva  [2]
 G11C 11/08
·  ·  que utilizan elementos de almacenamiento de aberturas múltiples, p. ej. que utilizan un transfluxor; que utilizan placas que tienen varios elementos de almacenamiento individuales de aberturas múltiples (G11C 11/10 tiene prioridad; que utilizan placas de aberturas múltiples en las que cada abertura individual forma un elemento de almacenamiento G11C 11/06)  [2]
 G11C 11/10
·  ·  que utilizan elementos de almacenamiento multi-axiales
 G11C 11/12
·  ·  que utilizan tensores; que utilizan tuistors, es decir, elementos en los que un eje de magnetización es retorcido
 G11C 11/14
·  ·  que utilizan elementos de películas finas
 G11C 11/15
·  ·  ·  que utilizan capas magnéticas múltiples (G11C 11/155 tiene prioridad)  [2]
 G11C 11/155
·  ·  ·  con una configuración cilíndrica  [2]
 G11C 11/16
·  ·  que utilizan elementos en los que el efecto de almacenamiento está basado en el efecto de spin magnético
 G11C 11/18
·  que utilizan dispositivos de efecto Hall
 G11C 11/19
·  que utilizan dispositivos reactivos no lineales en los circuitos resonantes  [2]
 G11C 11/20
·  ·  que utilizan parametrones  [2]
 G11C 11/21
·  que utilizan elementos eléctricos  [2]
 G11C 11/22
·  ·  que utilizan elementos ferroeléctricos  [2]
 G11C 11/23
·  ·  que utilizan almacenamiento electrostático sobre una capa común, p. ej. tubos de Forester-Haeff (G11C 11/22 tiene prioridad)  [2]
 G11C 11/24
·  ·  que utilizan condensadores (G11C 11/22 tiene prioridad; utilizando una combinación de dispositivos a semiconductores y de condensadores G11C 11/34, p. ej. G11C 11/40)  [2,5]
 G11C 11/26
·  ·  que utilizan tubos de descarga  [2]
 G11C 11/28
·  ·  ·  que utilizan tubos de atmósfera gaseosa  [2]
 G11C 11/30
·  ·  ·  que utilizan tubos de vacío (G11C 11/23 tiene prioridad)  [2]
 G11C 11/34
·  ·  que utilizan dispositivos de semiconductores  [2]
 G11C 11/35
·  ·  ·  con almacenamiento de cargas en una región de empobrecimiento, p.ej. dispositivos acoplados por carga (CCD)  [7]
 G11C 11/36
·  ·  ·  que utilizan diodos, p. ej. utilizados como elementos de entrada  [2]
 G11C 11/38
·  ·  ·  ·  que utilizan diodos túnel  [2]
 G11C 11/39
·  ·  ·  utilizando tiristores  [5]
 G11C 11/40
·  ·  ·  que utilizan transistores  [2]
 G11C 11/401
·  ·  ·  ·  formando celdas que necesiten un refresco o una regeneración de la carga, es decir celdas dinámicas  [5]
 G11C 11/402
·  ·  ·  ·  ·  con regeneración de la carga individual de cada celda de memoria, es decir refresco interno  [5]
 G11C 11/403
·  ·  ·  ·  ·  con regeneración de la carga común a varias celdas de memoria, es decir refresco externo  [5]
 G11C 11/404
·  ·  ·  ·  ·  ·  con una puerta de transferencia de carga, p. ej. un transistor MOS, por celda  [5]
 G11C 11/405
·  ·  ·  ·  ·  ·  con tres puertas de transferencia de carga, p. ej. transistores MOS, por celda  [5]
 G11C 11/406
·  ·  ·  ·  ·  Organización o control de los ciclos de de refresco o de regeneración de la carga  [5]
 G11C 11/4063
·  ·  ·  ·  ·  Circuitos auxiliares, p. ej. para el direccionamiento, la descodificación, el accionamiento, la escritura, la lectura o la sincronización  [7]
 G11C 11/4067
·  ·  ·  ·  ·  ·  para las celdas de memoria de tipo bipolar  [7]
 G11C 11/407
·  ·  ·  ·  ·  ·  para celdas de memoria del tipo efecto de campo  [5]
 G11C 11/4072
·  ·  ·  ·  ·  ·  ·  Circuitos para la inicialización, para la puesta en o fuera de tensión, para el borrado de la memoria o para el preajuste  [7]
 G11C 11/4074
·  ·  ·  ·  ·  ·  ·  Circuitos de alimentación o de generación de tensión, p.ej. generadores de tensión de polarización, generadores de tensión de substrato, alimentación de seguridad, circuitos de control de alimentación  [7]
 G11C 11/4076
·  ·  ·  ·  ·  ·  ·  Circuitos de sincronización (para la gestión de la regeneración G11C 11/406)  [7]
 G11C 11/4078
·  ·  ·  ·  ·  ·  ·  Circuitos de seguridad o de protección, p. ej. para impedir la lectura o la escritura inadvertidas o no autorizadas; Celdas de estado; Celdas de prueba (protección de los contenidos de la memoria durante la comprobación o ensayo G11C 29/52)  [7]
 G11C 11/408
·  ·  ·  ·  ·  ·  ·  Circuitos de direccionamiento  [5]
 G11C 11/409
·  ·  ·  ·  ·  ·  ·  Circuitos de lectura-escritura (R-W)  [5]
 G11C 11/4091
·  ·  ·  ·  ·  ·  ·  ·  Amplificadores de lectura o de lectura/refresco, o circuitos de lectura asociados, p. ej. para la precarga, la compensación o el aislamiento de las líneas de bits acoplados  [7]
 G11C 11/4093
·  ·  ·  ·  ·  ·  ·  ·  Disposiciones de interfaz de entrada/salida (E/S) de datos, p.ej. memorias intermedias de datos (circuitos de conversión de nivel en general H03K 19/0175)  [7]
 G11C 11/4094
·  ·  ·  ·  ·  ·  ·  ·  Circuitos de control o de gestión de líneas de bits  [7]
 G11C 11/4096
·  ·  ·  ·  ·  ·  ·  ·  Circuitos de control o de gestión de entrada/salida (E/S) de datos, p.ej.circuitos para la lectura o la escritura, circuitos de activación de entrada/salida, conmutadores de líneas de bits  [7]
 G11C 11/4097
·  ·  ·  ·  ·  ·  ·  ·  Organización de líneas de bits, p.ej. configuración de líneas de bits, líneas de bits dobladas  [7]
 G11C 11/4099
·  ·  ·  ·  ·  ·  ·  ·  Procesamiento de celdas ficticias; Generadores de tensión de referencia  [7]
 G11C 11/41
·  ·  ·  ·  formando celdas con realimentación positiva, es decir, celdas que no necesitan refresco o regeneración de la carga, p. ej. multivibrador biestable, disparador de Schmitt  [5]
 G11C 11/411
·  ·  ·  ·  ·  utilizando únicamente transistores bipolares  [5]
 G11C 11/412
·  ·  ·  ·  ·  utilizando únicamente transistores de efecto de campo  [5]
 G11C 11/413
·  ·  ·  ·  ·  Circuitos auxiliares, p. ej. para el direccionamiento, la decodificación, el control, la escritura, la lectura, la sincronización o la reducción del consumo  [5]
 G11C 11/414
·  ·  ·  ·  ·  ·  para celdas de memoria de tipo bipolar  [5]
 G11C 11/415
·  ·  ·  ·  ·  ·  ·  Circuitos de direccionamiento  [5]
 G11C 11/416
·  ·  ·  ·  ·  ·  ·  Circuitos de lectura-escritura (R-W)  [5]
 G11C 11/417
·  ·  ·  ·  ·  ·  para celdas de memoria del tipo de efecto de campo  [5]
 G11C 11/418
·  ·  ·  ·  ·  ·  ·  Circuitos de direccionamiento  [5]
 G11C 11/419
·  ·  ·  ·  ·  ·  ·  Circuitos de lectura-escritura (R-W)  [5]
 G11C 11/4193
·  ·  ·  Circuitos auxiliares específicos para tipos particulares de dispositivos semiconductores de almacenamiento, p.ej. para el direccionamiento, el accionamiento, la lectura, la sincronización, la alimentación, la propagación de señal (G11C 11/4063, G11C 11/413 tienen prioridad)  [7]
 G11C 11/4195
·  ·  ·  ·  Circuitos de direccionamiento  [7]
 G11C 11/4197
·  ·  ·  ·  Circuitos de lectura-escritura (R-W)  [7]
 G11C 11/42
·  ·  utilizando dispositivos optoelectrónicos, es decir, dispositivos emisores de luz y dispositivos fotoeléctricos acoplados eléctricamente u ópticamente
 G11C 11/44
·  ·  que utilizan elementos supraconductores, p. ej. criotrones  [2]
 G11C 11/46
·  que utilizan elementos termoplásticos
 G11C 11/48
·  que utilizan elementos de acoplamiento desplazable, p. ej. núcleos ferromagnéticos, para producir un cambio entre diferentes estados de inducción mutua o de autoinducción
 G11C 11/50
·  que utilizan el accionamiento de contactos eléctricos para almacenar la información (memorias mecánicas G11C 23/00; interruptores que permiten un número elegido de accionamientos consecutivos de contactos a continuación de un solo accionamiento manual del órgano motor H01H 41/00)
 G11C 11/52
·  ·  que utilizan relés electromagnéticos
 G11C 11/54
·  que utilizan elementos simuladores de células biológicas, p. ej. neurona
 G11C 11/56
·  utilizando elementos de almacenamiento que tienen más de dos estados estables representados por escalones, p. ej. de tensión, de corriente, de fase, de frecuencia (disposiciones de cómputo con elementos multiestables de este tipo H03K 25/00, H03K 29/00)  [2]
P:100 G11C 13/00
Memorias digitales caracterizadas por la utilización de elementos de almacenamiento no cubiertos por los grupos G11C 11/00, G11C 23/00, ó G11C 25/00
 G11C 13/02
·  que utilizan elementos cuyo funcionamiento depende de un cambio químico (que utilizan una carga electroquímica G11C 11/00)
 G11C 13/04
·  que utilizan elementos ópticos
 G11C 13/06
·  ·  que utilizan elementos magneto-ópticos (elementos magneto-ópticos en general G02F)  [2]
P:10 G11C 14/00
Memorias digitales caracterizadas por disposiciones de celdas con propiedades de memoria volátil y no volátil para salvaguardar la información en caso de fallo de la alimentación  [5]
P:20 G11C 15/00
Memorias digitales en las que la información, que tiene una o más partes características, es escrita en la memoria o es leída por medio de la búsqueda de una o varias de estas partes características, es decir, memorias asociativas o memorias direccionable por su contenido (en las que la información es dirigida a un lugar específico G11C 11/00)  [2]
 G11C 15/02
·  que utilizan elementos magnéticos  [2]
 G11C 15/04
·  que utilizan elementos semiconductores  [2]
 G11C 15/06
·  que utilizan elementos criogénicos  [2]
P:30 G11C 16/00
Memorias de sólo lectura programables y borrables (G11C 14/00 tiene prioridad)  [5]
 G11C 16/02
·  programables eléctricamente  [5]
 G11C 16/04
·  ·  utilizando transistores de umbral variable, p. ej. FAMOS  [5]
 G11C 16/06
·  ·  Circuitos auxiliares, p. ej. para escritura en la memoria (en general G11C 7/00)  [5]
 G11C 16/08
·  ·  ·  Circuitos de direccionamiento; Descodificadores; Circuitos de control de líneas de palabras  [7]
 G11C 16/10
·  ·  ·  Circuitos de programación o de entrada de datos  [7]
 G11C 16/12
·  ·  ·  ·  Circuitos de conmutación de la tensión de programación  [7]
 G11C 16/14
·  ·  ·  ·  Circuitos para borrar eléctricamente, p.ej. circuitos de conmutación de la tensión de borrado  [7]
 G11C 16/16
·  ·  ·  ·  ·  para borrar bloques, p. ej. filas, palabras, grupos  [7]
 G11C 16/18
·  ·  ·  ·  Circuitos para borrar ópticamente  [7]
 G11C 16/20
·  ·  ·  ·  Inicialización; Preselección de datos; Identificación de "chip"  [7]
 G11C 16/22
·  ·  ·  Circuitos de seguridad o de protección para impedir el acceso no autorizado o accidental a las celdas de memoria  [7]
 G11C 16/24
·  ·  ·  Circuitos de control de líneas de bits  [7]
 G11C 16/26
·  ·  ·  Circuitos de detección o de lectura; Circuitos de salida de datos  [7]
 G11C 16/28
·  ·  ·  ·  que utilizan celdas de detección diferencial o celdas de referencia, p.ej. celdas ficticias  [7]
 G11C 16/30
·  ·  ·  Circuitos de alimentación  [7]
 G11C 16/32
·  ·  ·  Circuitos de sincronización  [7]
 G11C 16/34
·  ·  ·  Determinación del estado de programación, p.ej. tensión umbral, sobreprogramación o subprogramación, retención  [7]
P:40 G11C 17/00
Memorias de sólo lectura programables una sola vez; Memorias semipermanentes, p. ej. tarjetas de información que pueden ser reemplazadas a mano (memorias de sólo lectura programables y borrables G11C 16/00; codificación, decodificación o conversión de código, en general H03M)  [2,5]
 G11C 17/02
·  utilizando elementos magnéticos o inductivos (G11C 17/14 tiene prioridad)  [2,5]
 G11C 17/04
·  utilizando elementos capacitivos (G11C 17/06, G11C 17/14 tienen prioridad)  [2,5]
 G11C 17/06
·  utilizando elementos que contengan diodos (G11C 17/14 tiene prioridad)  [2,5]
 G11C 17/08
·  utilizando dispositivos de semiconductores, p. ej. elementos bipolares (G11C 17/06, G11C 17/14 tienen prioridad)  [5]
 G11C 17/10
·  ·  en las cuales el contenido está determinado desde la fabricación por una disposición predeterminada de los elementos de acoplamiento, p. ej. memorias ROM programables por máscara  [5]
 G11C 17/12
·  ·  ·  utilizando dispositivos de efecto de campo  [5]
 G11C 17/14
·  en las cuales el contenido está determinado estableciendo, rompiendo o modificando selectivamente las uniones de conexión por una modificación definitiva del estado de los elementos de acoplamiento, p. ej. memorias PROM  [5]
 G11C 17/16
·  ·  utilizando uniones fusibles eléctricamente  [5]
 G11C 17/18
·  ·  Circuitos auxiliares, p. ej. para la escritura en la memoria (en general G11C 7/00)  [5]
P:50 G11C 19/00
Memorias digitales en las que la información es movida por escalones, p. ej. registros de desplazamiento (cadenas contadoras H03K 23/00)
 G11C 19/02
·  que utilizan elementos magnéticos (G11C 19/14 tiene prioridad)  [2]
 G11C 19/04
·  ·  que utilizan núcleos con una abertura o un bucle magnético  [2]
 G11C 19/06
·  ·  que utilizan estructuras con una pluralidad de aberturas o de bucles magnéticos, p. ej. transfluxores  [2]
 G11C 19/08
·  ·  que utilizan capas finas en una estructura plana  [2]
 G11C 19/10
·  ·  que utilizan capas finas sobre barras; con tuistores  [2]
 G11C 19/12
·  que utilizan dispositivos reactivos no lineales en circuitos resonantes  [2]
 G11C 19/14
·  que utilizan elementos magnéticos combinados con elementos activos, p. ej. tubos de descarga, elementos semiconductores (G11C 19/34 tiene prioridad)  [2,7]
 G11C 19/18
·  que utilizan capacidades como elementos principales de las etapas  [2]
 G11C 19/20
·  que utilizan tubos de descarga (G11C 19/14 tiene prioridad)  [2]
 G11C 19/28
·  que utilizan elementos semiconductores (G11C 19/14, G11C 19/36 tienen prioridad)  [2,7]
 G11C 19/30
·  que utilizan elementos optoelectrónicos, es decir, dispositivos emisores de luz y dispositivos fotoeléctricos acoplados eléctrica u ópticamente  [2]
 G11C 19/32
·  que utilizan elementos supraconductores  [2]
 G11C 19/34
·  que utilizan elementos de almacenamiento con más de dos estados estables representados por escalones, p.ej. de tensión, de corriente, de fase, de frecuencia  [7]
 G11C 19/36
·  ·  que utilizan elementos semiconductores  [7]
 G11C 19/38
·  bidimensional, p.ej. registros de desplazamiento vertical y horizontal  [7]
P:60 G11C 21/00
Memorias digitales en las que la información circula (por escalones G11C 19/00)
 G11C 21/02
·  que utilizan líneas de retardo electromecánicas, p. ej. que utilizan un recipiente de mercurio
P:90 G11C 23/00
Memorias digitales caracterizadas por el movimiento de piezas mecánicas para efectuar el almacenamiento, p. ej. utilizando bolas de cojinetes; Elementos de almacenamiento correspondientes (almacenamiento por accionamiento de contactos G11C 11/48)
P:80 G11C 25/00
Memorias digitales caracterizadas por la utilización de medios fluidos; Elementos de almacenamiento correspondientes
P:110 G11C 27/00
Memorias analógicas eléctricas, p. ej. para almacenar valores instantáneos
 G11C 27/02
·  Medios de muestreo y de memorización (G11C 27/04 tiene prioridad; muestreo de señales eléctricas en general H03K)  [2,4]
 G11C 27/04
·  Registros de desplazamiento (dispositivos de acoplamiento de carga en sí H01L 29/76)  [4]
P:0 G11C 29/00
Verificación del funcionamiento correcto de memorias; Ensayo de memorias durante su funcionamiento fuera de línea (offline")o en espera ("standby")  [1,8]
 G11C 29/02
·  Detección o localización de circuitos auxiliares defectuosos, p. ej. contadores de refresco defectuosos  [8]
 G11C 29/04
·  Detección o localización de elementos de memoria defectuosos  [8]
 G11C 29/06
·  ·  Ensayo de aceleración  [8]
 G11C 29/08
·  ·  Ensayo funcional, p. ej. ensayo realizado durante el refresco, autoensayo en el encendido (POST) o ensayo distribuido  [8]
 G11C 29/10
·  ·  ·  Algoritmos de ensayo, p. ej. algoritmos de barrido de memorias (MScan); Patrones de ensayo, p. ej. patrones en tablero de damas  [8]
 G11C 29/12
·  ·  ·  Disposiciones integradas ("built in") para el ensayo, p. ej. autoensayo integrado (BIST)  [8]
 G11C 29/14
·  ·  ·  ·  Implementación de la lógica de control, p.ej. decodificadores de modo de ensayo  [8]
 G11C 29/16
·  ·  ·  ·  ·  utilizando unidades microprogramadas, p. ej. máquinas de estado  [8]
 G11C 29/18
·  ·  ·  ·  Dispositivos de generación de direcciones; Dispositivos para el acceso a memorias, p. ej. detalles de circuitos de direccionamiento  [8]
 G11C 29/20
·  ·  ·  ·  ·  que utilizan contadores o registros de desplazamiento de realimentación lineal (LFSR)  [8]
 G11C 29/22
·  ·  ·  ·  ·  Con acceso a memorias en serie  [8]
 G11C 29/24
·  ·  ·  ·  ·  Con acceso a células suplementarias, p. ej. células de direcciones falsas o células redundantes  [8]
 G11C 29/26
·  ·  ·  ·  ·  Con acceso a una multiplicidad de bloques ("arrays") (G11C 29/24 tiene prioridad)  [8]
 G11C 29/28
·  ·  ·  ·  ·  ·  Multiplicidad de bloques dependientes, p. ej bloques multi-bit  [8]
 G11C 29/30
·  ·  ·  ·  ·  Con acceso a un solo bloque  [8]
 G11C 29/32
·  ·  ·  ·  ·  ·  Acceso en serie; Ensayo por barrido ("scan")  [8]
 G11C 29/34
·  ·  ·  ·  ·  ·  Con acceso a una multiplicidad de bits simultáneamente  [8]
 G11C 29/36
·  ·  ·  ·  Dispositivos de generación de datos, p.ej inversores de datos  [8]
 G11C 29/38
·  ·  ·  ·  Dispositivos de verificación de respuesta  [8]
 G11C 29/40
·  ·  ·  ·  ·  que utilizan técnicas de compresión  [8]
 G11C 29/42
·  ·  ·  ·  ·  que utilizan códigos de corrección de errores (ECC) o comprobación de paridad  [8]
 G11C 29/44
·  ·  ·  ·  Indicación o identificación de errores, p. ej. para la reparación  [8]
 G11C 29/46
·  ·  ·  ·  Lógica de iniciación de ensayo  [8]
 G11C 29/48
·  ·  ·  Disposiciones de las memorias estáticas especialmente adaptadas para el ensayo por medios externos a la memoria, p. ej. utilizando acceso directo a memoria (DMA) o utilizando rutas de acceso auxiliares (equipamiento de ensayo externo G11C 29/56)  [8]
 G11C 29/50
·  ·  Ensayos marginales p. ej. ensayo de corriente, voltaje o velocidad  [8]
 G11C 29/52
·  Protección de los contenidos de la memoria; Detección de errores en los contenidos de la memoria  [8]
 G11C 29/54
·  Disposiciones para el diseño de circuitos de ensayo, p. ej herramientas diseñadas para ensayo  [8]
 G11C 29/56
·  Equipamiento de ensayo externo para memorias estáticas, p. ej. equipamiento de ensayo automático; Sus interfases  [8]
P:150 G11C 99/00
Materia no prevista en otros grupos de esta subclase  [8]