C
SECCION C — QUIMICA; METALURGIA
 C

Nota(s)

  1. En la sección C, las definiciones de los grupos de elementos químicos son las siguientes:

    Metales alcalinos: Li, Na, K, Rb, Cs, Fr

    Metales alcalinotérreos: Ca, Sr, Ba, Ra

    Lantánidos: elementos cuyo número atómico está comprendido entre 57 y 71 ambos inclusive

    Tierras raras: Sc, Y, lantánidos

    Actínidos: elementos cuyo número atómico está comprendido entre 89 y 103 ambos inclusive

    Metales refractarios: Ti, V, Cr, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta, W

    Halógenos: F, Cl, Br, I, At

    Gases nobles: He, Ne, Ar, Kr, Xe, Rn

    Grupo del platino: Os, Ir, Pt, Ru, Rh, Pd

    Metales nobles: Ag, Au, grupo del platino

    Metales ligeras: metales alcalinos, metales alcalinotérreos, Be, Al, Mg

    Metales pesados: otros metales distintos a los metales ligeros

    Grupo del hierro: Fe, Co, Ni

    Metaloides: H, B, C, Si, N, P, O, S, Se, Te, gases nobles, halógenos

    Metales: otros elementos distintos a los metaloides

    Elementos de transición: elementos con números atómicos comprendidos del 21 al 30 inclusive, del 39 al 48 inclusive, del 57 al 80 inclusive, 89 y superiores

  2. La sección C cubre:
    1. la química pura, que cubre los compuestos de la química inorgánica, de la química orgánica, de la química de las macromoléculas y sus procesos de preparación;
    2. la química aplicada, que cubre las composiciones que contienen compuestos tales como: vidrio, cemento, fertilizantes, materias plásticas, pinturas, productos de la industria del petróleo. Cubre igualmente ciertas composiciones en la medida en que están dotadas de propiedades particulares aplicables para un fin determinado, como es el caso de: explosivos, colorantes, adhesivos, lubricantes y detergentes;
    3. ciertas industrias marginales, tales como las del coque y los combustibles sólidos o gaseosos, de la producción y refino de cuerpos grasos y ceras, de la fermentación (cerveza, vino), del azúcar;
    4. ciertas operaciones o tratamiento, bien por procesos puramente mecánicos, p.ej. tratamiento de cueros y pieles, bien por procesos en parte mecánicos, p.ej. el tratamiento de aguas, la lucha contra la corrosión en general;
    5. la metalurgia, aleacciones ferrosas o no ferrosas.
    1. Por regla general, la parte o aspecto químico de toda operación, tratamiento, producto u objeto, que comporte igualmente una parte o aspecto no químico está siempre cubierta por la sección C.
    2. En ciertos casos de los señalados, la sección C trata igualmente de la parte no química, inclusive de la puramente mecánica, sea que este último aspecto constituya lo esencial de una operación o de un tratamiento, sea que constituye un elemento importante, por lo cual ha parecido más racional no disociar los diferentes aspectos o fases de un mismo conjunto coherente. Este es el caso de la química aplicada, de las industrias marginales y de las operaciones o tratamientos mencionados en las notas (1) (c), (d) y (e). De este modo, p.ej. los hornos para la fabricación del vidrio están cubiertos por la clase C03 y no por la clase F27.
    3. Hay, sin embargo, algunas excepciones en las que los aspectos mecánicos (o no químicos) llevan consigo un aspecto químico, por ejemplo:
    4. En otros casos, el aspecto de la química pura está cubierto por la sección C, y el aspecto de la química aplicada en otras secciones, tales como A, B y F, p.ej. la utilización de una sustancia o composición para:
    5. Cuando los aspectos químicos y mecánicos están muy relacionados para que sea posible una separación neta y fácil, o cuando ciertos procedimientos mecánicos constituyen una consecuencia natural y lógica de un tratamiento químico, la sección C puede cubrir, además de la parte química, una parte de aspecto solamente mecánico, p.ej. el tratamiento posterior de la piedra artificial está cubierto por la clase C04. En este último caso una nota o una referencia se da usualmente para aclarar la posición, e igualmente si algunas veces la división es arbitraria.
  
METALURGIA
 C30
CRECIMIENTO DE CRISTALES (separación por cristalización en general B01D 9/00)  [3]
 C30B
CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS  [3]
 C30B

Nota(s)

  1. En la presente subclase, las expresiones siguientes tiene el significado abajo indicado:
    • "monocristal" comprende tambien las maclas y un producto de predominancia monocristalina;  [3]
    • "material policristalino homogéneo" designa un material de partículas cristalinas todas las cuales tienen la misma composición química;  [5]
    • "estructura determinada" designa la estructura de un material con partículas orientadas de forma preferencial o que tienen dimensiones superiores a las normalmente obtenidas.  [5]
  2. En la presente subclase:
    • las invenciones relativas a la preparación de monocristales o de materias policristalinos homogéneos de estructura determinada, de composición o de formas particulares están clasificadas en el grupo relativo al proceso así como en el grupo C30B 29/00;  [3]
    • un aparato especialmente adaptado a un proceso especifico está clasificado en el grupo apropiado para el proceso. Un aparato que puede ser utilizado para varios procesos está clasificado en el grupo C30B 35/00.  [3]
 C30B
Esquema general
CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES
a partir de sólidos o de geles1/00, 3/00, 5/00
a partir de líquidos7/00 - 21/00, 27/00
a partir de vapores23/00, 25/00
PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA28/00, 30/00
MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA, CARACTERIZADOS POR SU MATERIA O SU FORMA29/00
TRATAMIENTO POSTERIOR31/00, 33/00
APARATOS35/00
 C30B 1/00 - 
C30B 5/00
Crecimiento de monocristales a partir de sólidos o de geles  [3]
P:80 C30B 1/00
Crecimiento de monocristales a partir del estado sólido (separación unidireccional de materiales eutectoides C30B 3/00; bajo un fluido protector C30B 27/00)  [3]
 C30B 1/02
·  por tratamiento térmico, p. ej. recocido bajo contracción (C30B 1/12 tiene prioridad)  [3]
 C30B 1/04
·  ·  Recristalización isotérmica  [3]
 C30B 1/06
·  ·  Recristalización en un gradiente de temperatura  [3]
 C30B 1/08
·  ·  ·  Recristalización por zona  [3]
 C30B 1/10
·  por reacción en estado sólido o difusión multifase  [3]
 C30B 1/12
·  por tratamiento bajo presión durante el crecimiento  [3]
P:60 C30B 3/00
Separación unidireccional de materiales eutectoides  [3]
P:70 C30B 5/00
Crecimiento de monocristales a partir de geles (bajo un fluido protector C30B 27/00)  [3]
 C30B 5/02
·  con adición de un material de dopado  [3]
 C30B 7/00 - 
C30B 21/00
Crecimiento de monocristales a partir de líquidos; Solidificación unidireccional de materiales eutécticos  [3]
P:160 C30B 7/00
Crecimiento de monocristales a partir de soluciones utilizando solventes líquidos a temperatura ordinaria, p. ej. a partir de soluciones acuosas (a partir de solventes fundidos C30B 9/00; por simple solidificación o en un gradiente de temperatura C30B 11/00; bajo un fluido protector C30B 27/00)  [3]
 C30B 7/02
·  por evaporación del solvente  [3]
 C30B 7/04
·  ·  utilizando solventes acuosos  [3]
 C30B 7/06
·  ·  utilizando solventes no acuosos  [3]
 C30B 7/08
·  por enfriamiento de la solución  [3]
 C30B 7/10
·  por aplicación de presión, p. ej. procesos hidrotérmicos  [3]
 C30B 7/12
·  por electrólisis  [3]
 C30B 7/14
·  produciéndose el material a cristalizar en la solución por reacciones químicas  [3]
P:150 C30B 9/00
Crecimiento de monocristales a partir de baños fundidos utilizando solventes fundidos (por simple solidificación o en un gradiente de temperatura C30B 11/00; por fusión de zona C30B 13/00; por estirado del cristal C30B 15/00; sobre un germen cristalino sumergido C30B 17/00; por crecimiento epitaxial a partir de la fase líquida C30B 19/00; bajo un fluido protector C30B 27/00)  [3]
 C30B 9/02
·  por evaporación del solvente fundido  [3]
 C30B 9/04
·  por enfriamiento del baño  [3]
 C30B 9/06
·  ·  utilizando uno de los constituyentes del cristal solvente  [3]
 C30B 9/08
·  ·  utilizando otros solventes  [3]
 C30B 9/10
·  ·  ·  Solventes metálicos  [3]
 C30B 9/12
·  ·  ·  Solventes formados por sales, p. ej. crecimiento en un fundente  [3]
 C30B 9/14
·  por electrólisis  [3]
P:140 C30B 11/00
Crecimiento de monocristales por simple solidificación o en un gradiente de temperatura, p. ej. método de Bridgman-Stockbarger (C30B 13/00, C30B 15/00, C30B 17/00, C30B 19/00 tienen prioridad; bajo un fluido protector C30B 27/00)  [3]
 C30B 11/02
·  sin solvente (C30B 11/06 tiene prioridad)  [3]
 C30B 11/04
·  introduciendo en el baño fundido el material a cristalizar o los reactivos que lo forman in situ  [3]
 C30B 11/06
·  ·  añadiendo al menos un constituyente del cristal, pero no todos  [3]
 C30B 11/08
·  ·  añadiendo todos los constituyentes del cristal durante la cristalización  [3]
 C30B 11/10
·  ·  ·  Constituyentes sólidos o líquidos, p. ej. método de Verneuil  [3]
 C30B 11/12
·  ·  ·  Constituyentes gaseosos, p. ej. crecimiento vapor-líquido-sólido  [3]
 C30B 11/14
·  caracterizado por el germen, p. ej. por su orientación cristalográfica  [3]
P:130 C30B 13/00
Crecimiento de monocristales por fusión de zona; Afinado por fusión de zona (C30B 17/00 tiene prioridad; por cambio de la sección transversal del sólido tratado C30B 15/00; bajo un fluido protector C30B 27/00; crecimiento de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada C30B 28/00; afinado por fusión de zona de materiales específicos, ver las subclases apropiadas para estos materiales)  [3,5]
 C30B 13/02
·  Fusión de zona con ayuda de un solvente, p. ej. proceso por desplazamiento del solvente  [3]
 C30B 13/04
·  Homogeneización por nivelado de zona  [3]
 C30B 13/06
·  no extendiéndose la zona fundida a toda la sección transversal  [3]
 C30B 13/08
·  introduciendo en la zona fundida el material a cristalizar o los reactivos que lo forman in situ  [3]
 C30B 13/10
·  ·  añadiendo un material de dopado  [3]
 C30B 13/12
·  ·  ·  en estado gas o vapor  [3]
 C30B 13/14
·  Crisoles o recipientes  [3]
 C30B 13/16
·  Calentamiento de la zona fundida  [3]
 C30B 13/18
·  ·  estando el elemento calefactor en contacto con, o sumergido en, la zona fundida  [3]
 C30B 13/20
·  ·  por inducción, p. ej. técnica del alambre caliente (C30B 13/18 tiene prioridad; bobinas de inducción H05B 6/36)  [3]
 C30B 13/22
·  ·  por irradiación o por descarga eléctrica  [3]
 C30B 13/24
·  ·  ·  utilizando radiaciones electromagnéticas  [3]
 C30B 13/26
·  Agitación de la zona fundida  [3]
 C30B 13/28
·  Control o regulación (control o regulación en general G05)  [3]
 C30B 13/30
·  ·  Estabilización, o control de la forma, de la zona de fusión, p. ej. por concentradores, por campos electromagnéticos; Control de la sección de cristal  [3]
 C30B 13/32
·  Mecanismos para desplazar o bien la carga, o bien el dispositivo de calefacción  [3]
 C30B 13/34
·  caracterizado por el germen, p. ej. por su orientación cristalográfica  [3]
P:110 C30B 15/00
Crecimiento de monocristales por estirado fuera de un baño fundido, p. ej. método de Czochralski (bajo un fluido protector C30B 27/00)  [3]
 C30B 15/02
·  introduciendo en el material fundido el material a cristalizar o los reactivos que lo forman in situ  [3]
 C30B 15/04
·  ·  añadiendo un material de dopado, p. ej. para una unión n–p  [3]
 C30B 15/06
·  Estirado no vertical  [3]
 C30B 15/08
·  Estirado hacia abajo  [3]
 C30B 15/10
·  Crisoles o recipientes para sostener el baño fundido  [3]
 C30B 15/12
·  ·  Métodos que utilizan un crisol doble  [3]
 C30B 15/14
·  Calentamiento del baño fundido o del material cristalizado  [3]
 C30B 15/16
·  ·  por irradiación o por descarga eléctrica  [3]
 C30B 15/18
·  ·  utilizando una calefacción directa por resistencia además de otros medios de calefacción, p. ej. utilizando la calefacción por efecto Peltier  [3]
 C30B 15/20
·  Control o regulación (control o regulación en general G05)  [3]
 C30B 15/22
·  ·  Estabilización, o control de la forma, de la zona fundida próxima al cristal estirado; Control de la sección del cristal  [3]
 C30B 15/24
·  ·  ·  utilizando medios mecánicos, p. ej. guías de formación (matrices de formación para el crecimiento de cristales por alimentación del lecho con control de superficie C30B 15/34)  [3]
 C30B 15/26
·  ·  ·  utilizando detectores de televisión; utilizando detectores fotográficos o de rayos X  [3]
 C30B 15/28
·  ·  ·  utilizando el cambio de peso del cristal o del baño fundido, p. ej. por métodos de flotación  [3]
 C30B 15/30
·  Mecanismos para hacer girar o para desplazar bien el baño fundido, bien el cristal (métodos de flotación C30B 15/28)  [3]
 C30B 15/32
·  Portagérmenes, p. ej. mandriles  [3]
 C30B 15/34
·  Crecimiento de cristales por alimentación del lecho con control de superficie utilizando matrices de formación o grietas de conducción  [3]
 C30B 15/36
·  caracterizada por el germen, p. ej. por su orientación cristalográfica  [3]
P:120 C30B 17/00
Crecimiento de monocristales sobre un germen que queda en el baño fundido durante el crecimiento, p. ej. método de Nacken-Kyropoulos (C30B 15/00 tiene prioridad)  [3]
P:100 C30B 19/00
Crecimiento de un lecho epitaxial a partir de la fase líquida  [3]
 C30B 19/02
·  utilizando solventes fundidos, p. ej. fundentes  [3]
 C30B 19/04
·  ·  siendo el solvente un constituyente del cristal  [3]
 C30B 19/06
·  Cámaras de reacción; navecillas para baño fundido; Portasustrato  [3]
 C30B 19/08
·  Calentamiento de la cámara de reacción o del sustrato  [3]
 C30B 19/10
·  Control o regulación (control o regulación en general G05)  [3]
 C30B 19/12
·  caracterizada por el sustrato  [3]
P:90 C30B 21/00
Solidificación unidireccional de materiales eutécticos  [3]
 C30B 21/02
·  por simple colada o por solidificación en un gradiente de temperatura  [3]
 C30B 21/04
·  por fusión de zona  [3]
 C30B 21/06
·  por estirado a partir de un baño fundido  [3]
 C30B 23/00 - 
C30B 25/00
Crecimiento de monocristales a partir de vapores  [3]
P:180 C30B 23/00
Crecimiento de monocristales por condensación de un material evaporado o sublimado  [3]
 C30B 23/02
·  Crecimiento de un lecho epitaxial  [3]
 C30B 23/04
·  ·  Depósito según una configuración determinada, p. ej. utilizando mascarillas  [3]
 C30B 23/06
·  ·  Calentamiento del recinto de depósito, del sustrato o del material a evaporar  [3]
 C30B 23/08
·  ·  por condensación de vapores ionizados (por pulverización reactiva C30B 25/06)  [3]
P:170 C30B 25/00
Crecimiento de monocristales por reacción química de gases reactivos, p. ej. crecimiento por depósito químico en fase vapor  [3]
 C30B 25/02
·  Crecimiento de un lecho epitaxial  [3]
 C30B 25/04
·  ·  Depósito según una configuración determinada, p. ej. utilizando mascarillas  [3]
 C30B 25/06
·  ·  por pulverización reactiva  [3]
 C30B 25/08
·  ·  Recintos de reacción; Empleo de un material específico para este fin  [3]
 C30B 25/10
·  ·  Calentamiento del recinto de reacción o del sustrato  [3]
 C30B 25/12
·  ·  Portasustrato o soportes  [3]
 C30B 25/14
·  ·  Medios de introducción y evacuación de gases; Modificación de la corriente de gases reactivos  [3]
 C30B 25/16
·  ·  Control o regulación (control o regulación en general G05)  [3]
 C30B 25/18
·  ·  caracterizado por el sustrato  [3]
 C30B 25/20
·  ·  ·  siendo el sustrato del mismo material que el lecho epitaxial  [3]
 C30B 25/22
·  ·  Procesos en los cuales el crecimiento interviene sobre las dos caras  [3]
   
P:50 C30B 27/00
Crecimiento de monocristales bajo un fluido protector  [3]
 C30B 27/02
·  por estirado a partir de un baño fundido  [3]
P:40 C30B 28/00
Producción de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada  [5]
 C30B 28/02
·  directamente a partir del estado sólido  [5]
 C30B 28/04
·  a partir de líquidos  [5]
 C30B 28/06
·  ·  por solidificación simple o en un gradiente de temperatura  [5]
 C30B 28/08
·  ·  por fusión de zona  [5]
 C30B 28/10
·  ·  por retirado a partir de un baño fundido  [5]
 C30B 28/12
·  directamente a partir del estado gaseoso  [5]
 C30B 28/14
·  ·  por reacción química de gases reactivos  [5]
P:20 C30B 29/00
Monocristales o materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada caracterizados por los materiales o por su forma (aleaciones C22C)  [3,5]
 C30B 29/02 - 
C30B 29/54

Nota(s)

En los grupos C30B 29/02-C30B 29/54, salvo indicación en contra, una composición está clasificada en el último lugar apropiado. [3]

 C30B 29/02
·  Elementos  [3]
 C30B 29/04
·  ·  Diamante  [3]
 C30B 29/06
·  ·  Silicio  [3]
 C30B 29/08
·  ·  Germanio  [3]
 C30B 29/10
·  Compuestos inorgánicos o composiciones inorgánicas  [3]
 C30B 29/12
·  ·  Haluros  [3]
 C30B 29/14
·  ·  Fosfatos  [3]
 C30B 29/16
·  ·  Oxidos  [3]
 C30B 29/18
·  ·  ·  Cuarzo  [3]
 C30B 29/20
·  ·  ·  Oxidos de aluminio  [3]
 C30B 29/22
·  ·  ·  Oxidos complejos  [3]
 C30B 29/24
·  ·  ·  ·  de fórmula AMeO3, en la cual A es un metal de las tierras raras y Me es Fe, Ga, Sc, Cr, Co, o Al, p. ej. ortoferritas  [3]
 C30B 29/26
·  ·  ·  ·  de fórmula BMe2O4, en la cual B es Mg, Ni, Co, Al, Zn o Cd y Me es Fe, Ga, Sc, Cr, Co o Al  [3]
 C30B 29/28
·  ·  ·  ·  de fórmula A3Me5O12, en la cual A es un metal de las tierras raras y Me es Fe, Ga, Sc, Cr, Co o Al, p. ej. granates  [3]
 C30B 29/30
·  ·  ·  ·  Niobatos; Vanadatos; Tantalatos  [3]
 C30B 29/32
·  ·  ·  ·  Titanatos; Germanatos; Molibdatos; Tungstatos  [3]
 C30B 29/34
·  ·  Silicatos  [3]
 C30B 29/36
·  ·  Carburos  [3]
 C30B 29/38
·  ·  Nitruros  [3]
 C30B 29/40
·  ·  Compuestos AIIIBV  [3]
 C30B 29/42
·  ·  ·  Arseniuro de galio  [3]
 C30B 29/44
·  ·  ·  Fosfuro de galio  [3]
 C30B 29/46
·  ·  Compuestos que contienen azufre, selenio o teluro  [3]
 C30B 29/48
·  ·  ·  Compuestos AIIBVI  [3]
 C30B 29/50
·  ·  ·  ·  Sulfuro de cadmio  [3]
 C30B 29/52
·  ·  Aleaciones  [3]
 C30B 29/54
·  Compuestos orgánicos  [3]
 C30B 29/56
·  ·  Tartratos  [3]
 C30B 29/58
·  ·  Compuestos macromoleculares  [3]
 C30B 29/60
·  caracterizados por la forma  [3]
 C30B 29/62
·  ·  Agujas o limaduras  [3]
 C30B 29/64
·  ·  Cristales lisos, p. ej. placas, bandas, discos  [5]
 C30B 29/66
·  ·  Cristales de forma geométrica compleja, p. ej. tubos, cilindros  [5]
 C30B 29/68
·  ·  Cristales de estructura laminar, p. ej. redes superpuestas  [5]
P:30 C30B 30/00
Producción de monocristales o materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada, caracterizado por la acción de campos eléctricos o magnéticos, de energía ondulatoria o de otras condiciones físicas específicas  [5]
 C30B 30/00

Nota(s)

Cuando se clasifique en este grupo, se clasifica también de acuerdo con el procedimiento de crecimiento cristalino en los grupos apropiados C30B 1/00-C30B 28/00  [5]

 C30B 30/02
·  mediante utilización de campos eléctricos, p. ej. electrólisis  [5]
 C30B 30/04
·  mediante utilización de campos magnéticos  [5]
 C30B 30/06
·  mediante utilización de vibraciones mecánicas  [5]
 C30B 30/08
·  en condiciones de gravedad nula o microgravedad  [5]
 C30B 31/00 - 
C30B 33/00
Tratamiento posterior de monocristales o de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada  [3,5]
P:0 C30B 31/00
Procesos de difusión o de dopado de monocristales o de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada; Aparatos para estos efectos  [3,5]
 C30B 31/02
·  por contacto con la sustancia de difusión en estado sólido  [3]
 C30B 31/04
·  por contacto con la sustancia de difusión en estado líquido  [3]
 C30B 31/06
·  por contacto con la sustancia de difusión en estado gaseoso (C30B 31/18 tiene prioridad)  [3]
 C30B 31/08
·  ·  siendo la sustancia de difusión un compuesto de los elementos a difundir  [3]
 C30B 31/10
·  ·  Recintos de reacción; Empleo de un material específico para este fin  [3]
 C30B 31/12
·  ·  Calefacción del recinto de reacción  [3]
 C30B 31/14
·  ·  Portasustrato o soportes  [3]
 C30B 31/16
·  ·  Medios de introducción y evacuación de gases; Modificación de la corriente de los gases  [3]
 C30B 31/18
·  ·  Control o regulación (control o regulación en general G05)  [3]
 C30B 31/20
·  Dopado por irradiación por medio de radiaciones electromagnéticas o por radiación corpuscular  [3]
 C30B 31/22
·  ·  por implantación de iones  [3]
P:10 C30B 33/00
Tratamiento posterior de monocristales o de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada (C30B 31/00 tiene prioridad; trabajo con muela, pulido B24; trabajo mecánico de piedras finas, piedras preciosas, cristales B28D 5/00)  [3,5]
 C30B 33/02
·  Tratamiento térmico (C30B 33/04, C30B 33/06 tienen prioridad)  [5]
 C30B 33/04
·  mediante utilización de campos eléctricos o magnéticos o de radiaciones corpusculares  [5]
 C30B 33/06
·  Ensamblaje de cristales  [5]
 C30B 33/08
·  Grabado  [5]
 C30B 33/10
·  ·  en soluciones o en baños fundidos  [5]
 C30B 33/12
·  ·  en atmósfera gaseosa o en plasma  [5]
   
P:190 C30B 35/00
Aparatos en general, especialmente adaptados para la ejecución de los procesos de crecimiento, producción o tratamiento posterior de monocristales o de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada  [3,5]