H
SECCION H — ELECTRICIDAD
 H

Nota(s)

Estas notas se refieren a los principios fundamentales y a las normas generales de utilización de la sección H.

  1. La sección H cubre:
    1. los elementos eléctricos básicos, que cubren todos los equipos eléctricos unitarios de aplicación general, la estructura mecánica de los aparatos y circuitos, incluyendo la incorporación de varios elementos básicos en los que son llamados "circuitos impresos", así como también, hasta cierto punto, la fabricación de estos elementos, cuando no está cubierta en otras partes;
    2. la generación de electricidad, que cubre la producción, conversión o distribución de electricidad junto con el control y mando del aparato correspondiente;
    3. la electricidad aplicada, que cubre:
      1. las técnicas de utilización de aplicación general, a saber: las de calefacción eléctrica y circuitos de alumbrado eléctrico;
      2. algunas técnicas de aplicación particular, tanto eléctricas como electrónicas en el sentido estricto, que no están cubiertas por otras secciones de la clasificación; estas técnicas incluyen:
        1. las fuentes eléctricas de luz, comprendiendo los láseres;
        2. la técnica eléctrica de los rayos X;
        3. la técnica eléctrica del plasma y la generación y aceleración de partículas cargadas eléctricamente o de neutrones;
    4. los circuitos electrónicos básicos y su control;
    5. la técnica de las comunicaciones;
    6. la utilización de un material determinado para la fabricación de los artículos o elementos descritos. Debe hacerse referencia en estos casos a los párrafos  88 a  90 de la Guía de utilización de la Clasificación.
  2. En la presente sección se aplican las siguientes reglas generales:
    1. Con las excepciones previstas en I (c) precedente, todo aspecto o parte eléctrico propio de una operación, proceso, aparato, objeto o artículo determinado, clasificado en una de las secciones de la Clasificación distintas de la sección H, está siempre clasificado en la subclase concerniente a esta operación, procedimiento, aparato, objeto o artículo. Cuando un aspecto de la clase tiene características comunes, que han podido ser descubiertas, concernientes a un conjunto de la misma naturaleza, en una subclase enteramente consagrada a las aplicaciones eléctricas generales para el conjunto considerado;
    2. Entre tales aplicaciones eléctricas, generales o particulares, conviene citar:
      1. los procedimientos y aparatos terapéuticos de A61;
      2. los procedimientos y aparatos eléctricos utilizados en múltiples tratamientos de laboratorio o de la industria de las clases B01 y B03 y de la subclase B23K;
      3. la alimentación, propulsión, iluminación eléctrica de vehículos en general y de vehículos especiales de la subsección "Transporte" de la sección B;
      4. los sistemas de encendido eléctrico propios de motores de combustión interna de F02P, de los aparatos de combustión en general de la subclase F23Q;
      5. toda la parte eléctrica de la sección G, es decir, de los aparatos de medida, incluidos aquellos de variables eléctricas, de mando, de señalización y de cálculo. La electricidad que se trata en esta sección figura, en general, como medio intermediario y no como fin en sí mismo;
    3. Todas las aplicaciones eléctricas, tanto generales como particulares, sobreentendiendo siempre que el aspecto "electricidad básica" se encuentra en la sección H (ver párrafo I (a)) en lo que concierne a "elementos básicos" que comprenden. Esta regla es asimismo válida para la electricidad aplicada, citada en I (c), que se encuentra en la misma sección H;
  3. En la presente sección, existen los siguientes casos particulares:
    1. Entre las aplicaciones generales cubiertas por secciones distintas a la H, debe hacerse notar que la calefacción eléctrica en general está cubierta por las subclases F24D ó F24H o por la clase F27, y que la iluminación eléctrica en general está cubierta en parte por la clase F21, si bien en la sección H (ver (c)) existen lugares en la subclase H05B que cubren los mismos objetos técnicos;
    2. En los dos casos anteriores, las subclases de la sección F que tratan las respectivas materias, esencialmente cubren, en primer lugar, todos los aspectos mecánicos de los aparatos o dispositivos, mientras que el aspecto eléctrico está cubierto por la subclase H05B;
    3. Este aspecto mecánico, en lo que se refiere a la iluminación, debe ser comprendido como extensivo a la disposición material incluso de diversos elementos eléctricos, es decir, de la posición geométrica, o si se prefiere física, de sus elementos en su relación de unos con otros, que está cubierta por la subclase F21V, quedando en H tanto los elementos en sí como los circuitos de principio. Lo mismo ocurre para el caso de fuentes eléctricas de luz, cuando son combinadas con fuentes de luz de diferente naturaleza. Estas están cubiertas por la subclase H05B, en tanto que la disposición física que constituye la combinación está cubierta por las diferentes subclases de la clase F21;
    4. En lo que se refiere a la calefacción no sólo los elementos eléctricos y diseños de circuitos, en sí, están cubiertos por la subclase H05B, sino también los aspectos eléctricos de su disposición cuando se trata de los casos de aplicación general, entre los que se considera el caso de los hornos eléctricos. La disposición física de los elementos eléctricos en los hornos está cubierta por la sección F. Comparando el caso de los circuitos eléctricos de la soldadura, que están cubiertos por la subclase B23K propia de la soldadura se ve que el caso presente se sale de la regla general mencionada en el párrafo II anterior.

 H01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
 H01

Nota(s)

  1. Los procedimientos que implican una sola técnica, p. ej. secado, revestimiento, que está prevista en otra parte están clasificados en la clase correspondiente a esta técnica.
  2. Es importante tener en cuenta las notas que siguen a los títulos de la clase B81 y de la subclase B81B relativas a "dispositivos de microestructura" y "sistemas de microestructura". [7]
 H01L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (sistemas transportadores para obleas semiconductoras B65G 49/07; empleo de dispositivos semiconductores para medir G01; detalles de aparatos con sonda de barrido, en general G12B 21/00; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; transductores electromecánicos para comunicaciones eléctricas H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación)  [2]
 H01L

Nota(s)

  1. La presente subclase cubre:
    • los dispositivos eléctricos de estado sólido no cubiertos por otra subclase, así como sus detalles y comprende: los dispositivos semiconductores adaptados para la rectificación, la amplificación, la generación de oscilaciones o la conmutación; los dispositivos semiconductores sensibles a las radiaciones; los dispositivos eléctricos de estado sólido que utilizan efectos termoeléctricos, superconductores, piezoeléctricos, electroestrictivos, magnetoestrictivos, galvano-magnéticos o de resistencia negativa y los dispositivos de circuitos integrados; [2]
    • las fotorresistencias, las resistencias sensibles al campo magnético, las resistencias sensibles al campo eléctrico, los condensadores con barrera de potencial, las resistencias con barrera de potencial o de superficie, los diodos emisores de luz no coherente y los circuitos de película delgada o gruesa; [2]
    • los procedimientos y aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de dichos dispositivos, excepto en los casos en que dichos procedimientos no impliquen más que una sola etapa y se pueden clasificar en otro lugar. [2]
  2. En la presente subclase, las expresiones siguientes tienen el significado abajo indicado:
    • "oblea" significa una rodaja sustrato de material semiconductor o cristalino que puede ser modificado mediante la difusión de impurezas (dopado), implantación iónica o epitaxia y cuya superficie activa puede ser procesada para obtener matrices ("arrays") de componentes discretos o de circuitos integrados; [8]
    • " cuerpo de estado sólido" significa el cuerpo de un material en el interior del cual, o en su superficie, se producen los efectos físicos característicos del dispositivo. En los dispositivos termoeléctricos, esto incluye todos los materiales atravesados por corriente.
    Las regiones en o sobre el cuerpo del dispositivo (distintos del cuerpo de estado sólido, en sí mismo) que eléctricamente ejercen una influencia sobre el cuerpo de estado sólido, están consideradas como "electrodos" tanto si tienen como si no tienen conexiones eléctricas externas. Un electrodo puede incluir varias partes, y el término incluye las regiones metálicas que ejercen una influencia sobre el cuerpo de estado sólido a través de una región aislante (p. ej. acoplamiento capacitivo), así como las distribuciones de acoplamiento inductivo con el cuerpo. La región dieléctrica en un dispositivo capacitivo se considerará como una parte del electrodo. En los dispositivos con varias partes, únicamente las que ejercen una influencia sobre el cuerpo de estado sólido en virtud de su forma, dimensiones, o de su disposición, o del material del que están formadas, están consideradas como parte del electrodo. Los otros elementos están considerados como "disposiciones para conducir la corriente eléctrica hacia o desde el cuerpo de estado sólido" o bien como "interconexiones entre los componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común", es decir los hilos de conexión; [2]
    • " dispositivo" significa un elemento de circuito eléctrico; en el caso de que un elemento de circuito eléctrico sea uno de una pluralidad de elementos formados en o sobre un sustrato común, se designa por la expresión "componente"; [2]
    • " dispositivo completo" es un dispositivo en su estado completamente ensamblado que puede o no necesitar un tratamiento ulterior, p. ej. electro-formación, antes de estar preparado para su empleo, pero que no requiere la adición de unidades estructurales adicionales; [2]
    • " parte" incluye a todos los elementos estructurales que se incluyen en un dispositivo completo; [2]
    • " contenedor" es un recinto que forma parte de un dispositivo completo, y se compone esencialmente de una construcción sólida en el interior de la cual el cuerpo del dispositivo está colocado o bien está formada alrededor del cuerpo, sin constituir una capa en contacto íntimo con éste. Un recinto consistente en una o varias capas formadas sobre el cuerpo y en contacto íntimo con él se designa por la expresión "encapsulado"; [2]
    • " circuito integrado" es un dispositivo en que todos los componentes, p. ej. diodos, resistencias, están realizados sobre o en un sustrato común, y constituyen el dispositivo incluyendo las interconexiones entre los componentes; [2]
    • " ensamblado" de un dispositivo es el montaje del dispositivo a partir de sus componentes estructurales; comprende el llenado de los contenedores. [2]
  3. En la presente subclase se clasificarán tanto el procedimiento o el aparato para la fabricación o el tratamiento de un dispositivo, como dicho dispositivo en sí mismo, siempre que ambos están descritos de manera suficiente para ser de interés. [6]
 H01L
Esquema general
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
Dispositivos adaptados para la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o la conmutación29/00
Dispositivos sensibles a las radiaciones o que las emiten31/00, 33/00
DISPOSITIVOS DE ESTADO SOLIDO QUE UTILIZAN MATERIALES ORGANICOS51/00
OTROS DISPOSITIVOS DE ESTADO SOLIDO
Dispositivos termoeléctricos o termomagnéticos35/00, 37/00
Dispositivos superconductores o hiperconductores39/00
Dispositivos piezoeléctricos, electroestrictivos o magnetoestrictivos41/00
Dispositivos galvanomagnéticos43/00
Dispositivos sin barrera de potencial ni de superficie; dispositivos de resistencia negativa con efecto de volumen; dispositivos no previstos en otro lugar45/00; 47/00; 49/00
CONJUNTOS DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES U OTROS DISPOSITIVOS DE ESTADO SOLIDO
Conjuntos de dispositivos individuales25/00
Circuitos integrados27/00
DETALLES23/00
FABRICACION21/00
P:150 H01L 21/00
Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas (procedimientos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de dispositivos cubiertos por los grupos H01L 31/00-H01L 51/00 o de sus partes constitutivas, ver estos grupos; procedimientos de una sola etapa cubiertos por otras subclases, ver las subclases apropiadas, p. ej. C23C, C30B; producción por vía fotomecánica de superficies texturadas, materiales a este efecto o sus originales, aparatos especialmente adaptados a este efecto, en general G03F)  [2,8]
 H01L 21/02 - 
H01L 21/67

Nota(s)

Los grupos H01L 21/70 tienen prioridad sobre los grupos H01L 21/02-H01L 21/67[2]

 H01L 21/02
·  Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas  [2,8]
 H01L 21/027
·  ·  Fabricación de máscaras sobre cuerpos semiconductores para tratamiento fotolitográfico ulterior, no prevista en el grupo H01L 21/18 ó H01L 21/34  [5]
 H01L 21/033
·  ·  ·  incluyendo capas inorgánicas  [5]
 H01L 21/04
·  ·  los dispositivos presentan al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. una unión PN, una región de empobrecimiento, o una región de concentración de portadores de cargas  [2]
 H01L 21/06
·  ·  ·  los dispositivos tienen cuerpos semiconductores que incluyen selenio o teluro, en forma no combinada, no constituyendo impurezas para los cuerpos semiconductores de otros materiales  [2]
 H01L 21/08
·  ·  ·  ·  Preparación de la placa de soporte  [2]
 H01L 21/10
·  ·  ·  ·  Tratamiento preliminar del selenio o del teluro, aplicación sobre la placa de soporte, o tratamiento subsiguiente del conjunto  [2]
 H01L 21/103
·  ·  ·  ·  ·  Conversión del selenio o del teluro al estado conductor  [2]
 H01L 21/105
·  ·  ·  ·  ·  Tratamiento de la superficie de la capa de selenio o de teluro después de la conversión al estado conductor  [2]
 H01L 21/108
·  ·  ·  ·  ·  Producción de capas aislantes discretas, es decir, barreras de superficie no activas  [2]
 H01L 21/12
·  ·  ·  ·  Aplicación de un electrodo a la superficie libre del selenio o del teluro, después de la aplicación del selenio o del teluro a la placa de soporte  [2]
 H01L 21/14
·  ·  ·  ·  Tratamiento del dispositivo completo, p. ej. por electromoldeo para formar una barrera  [2]
 H01L 21/145
·  ·  ·  ·  ·  Envejecimiento  [2]
 H01L 21/16
·  ·  ·  los dispositivos tienen cuerpos semiconductores que incluyen óxido cuproso o ioduro cuproso  [2]
 H01L 21/18
·  ·  ·  los dispositivos tienen cuerpos semiconductores que incluyen elementos del cuarto grupo de la Tabla Periódica, o de compuestos A III B V con o sin impurezas, p. ej. materiales de dopado  [2,6,7]
 H01L 21/18

Nota(s)

El presente grupo cubre igualmente los procedimientos y los aparatos que, utilizando la tecnología apropiada, están claramente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos cuyos cuerpos comprenden elementos del cuarto grupo del Sistema Periódico o compuestos AIII B V incluso si el material utilizado no está explícitamente especificado [7]

 H01L 21/20
·  ·  ·  ·  Depósito de materiales semiconductores sobre un sustrato, p. ej. crecimiento epitaxial  [2]
 H01L 21/203
·  ·  ·  ·  ·  utilizando un depósito físico, p. ej. depósito en vacío, pulverización  [2]
 H01L 21/205
·  ·  ·  ·  ·  utilizando la reducción o la descomposición de un compuesto gaseoso dando un condensado sólido, es decir, un depósito químico  [2]
 H01L 21/208
·  ·  ·  ·  ·  utilizando un depósito líquido  [2]
 H01L 21/22
·  ·  ·  ·  Difusión de impurezas, p. ej. materiales de dopado, materiales para electrodos, en el interior o fuera del cuerpo semiconductor, o entre las regiones semiconductoras; Redistribución de las impurezas, p. ej. sin introducción o sin eliminación de dopante suplementario  [2]
 H01L 21/223
·  ·  ·  ·  ·  utilizando la difusión en o fuera de un sólido a partir de o en una fase gaseosa  [2]
 H01L 21/225
·  ·  ·  ·  ·  utilizando la difusión en o fuera de un sólido a partir de o en una fase sólida, p. ej. una capa de óxido dopada  [2]
 H01L 21/228
·  ·  ·  ·  ·  utilizando la difusión en o fuera de un sólido, a partir de o en una fase líquida, p. ej. procesos de difusión de aleación  [2]
 H01L 21/24
·  ·  ·  ·  Formación de aleaciones de impurezas, p. ej. materiales de dopado, materiales para electrodos, con un cuerpo semiconductor  [2]
 H01L 21/26
·  ·  ·  ·  Bombardeo con radiación ondulatoria o de partículas (tratamiento térmico H01L 21/324)  [2]
 H01L 21/261
·  ·  ·  ·  ·  para producir una reacción nuclear que transmute elementos químicos  [6]
 H01L 21/263
·  ·  ·  ·  ·  con radiaciones de alta energía (H01L 21/261 tiene prioridad)  [2,6]
 H01L 21/265
·  ·  ·  ·  ·  ·  produciendo una implantación de iones (tubos de rayos iónicos para tratamiento localizado H01J 37/30)  [2]
 H01L 21/266
·  ·  ·  ·  ·  ·  ·  utilizando máscaras  [5]
 H01L 21/268
·  ·  ·  ·  ·  ·  utilizando radiaciones electromagnéticas, p. ej. rayos láser  [2]
 H01L 21/28
·  ·  ·  ·  Fabricación de electrodos sobre los cuerpos semiconductores por empleo de procesos o aparatos no cubiertos por los grupos H01L 21/20-H01L 21/268  [2]
 H01L 21/283
·  ·  ·  ·  ·  Depósito de materiales conductores o aislantes para los electrodos  [2]
 H01L 21/285
·  ·  ·  ·  ·  ·  a partir de un gas o vapor, p. ej. condensación  [2]
 H01L 21/288
·  ·  ·  ·  ·  ·  a partir de un líquido, p. ej. depósito electrolítico  [2]
 H01L 21/30
·  ·  ·  ·  Tratamiento de cuerpos semiconductores utilizando procesos o aparatos no cubiertos por los grupos H01L 21/20-H01L 21/26 (fabricación de electrodos sobre estos cuerpos H01L 21/28)  [2]
 H01L 21/301
·  ·  ·  ·  ·  para subdividir un cuerpo semiconductor en partes separadas, p. ej. realizando particiones (corte H01L 21/304)  [6]
 H01L 21/302
·  ·  ·  ·  ·  para cambiar las características físicas de sus superficies o para cambiar su forma, p. ej. grabado, pulido, recortado  [2]
 H01L 21/304
·  ·  ·  ·  ·  ·  Tratamiento mecánico, p. ej. trituración, pulido, corte  [2]
 H01L 21/306
·  ·  ·  ·  ·  ·  Tratamiento químico o eléctrico, p. ej. grabación electrolítica (para formar capas aislantes H01L 21/31; postratamiento de capas aislantes H01L 21/3105)  [2]
 H01L 21/3063
·  ·  ·  ·  ·  ·  ·  Grabado electrolítico  [6]
 H01L 21/3065
·  ·  ·  ·  ·  ·  ·  Grabado por plasma; Grabado mediante iones reactivos  [6]
 H01L 21/308
·  ·  ·  ·  ·  ·  ·  utilizando máscaras (H01L 21/3063, H01L 21/3065, tienen prioridad)  [2,6]
 H01L 21/31
·  ·  ·  ·  ·  para formar capas aislantes en superficie, p. ej. para enmascarar o utilizando técnicas fotolitográficas (capas que forman electrodos H01L 21/28; capas de encapsulamiento H01L 21/56); Postratamiento de estas capas; Selección de materiales para estas capas  [2,5]
 H01L 21/3105
·  ·  ·  ·  ·  ·  Postratamiento  [5]
 H01L 21/311
·  ·  ·  ·  ·  ·  ·  Grabado de las capas aislantes  [5]
 H01L 21/3115
·  ·  ·  ·  ·  ·  ·  Dopado de las capas aislantes  [5]
 H01L 21/312
·  ·  ·  ·  ·  ·  Capas orgánicas, p. ej. capa fotosensible (H01L 21/3105, H01L 21/32 tienen prioridad)  [2,5]
 H01L 21/314
·  ·  ·  ·  ·  ·  Capas inorgánicas (H01L 21/3105, H01L 21/32 tienen prioridad)  [2,5]
 H01L 21/316
·  ·  ·  ·  ·  ·  ·  compuestas de óxidos o de óxidos vítreos o de vidrios a base de óxido  [2]
 H01L 21/318
·  ·  ·  ·  ·  ·  ·  compuestas de nitruros  [2]
 H01L 21/32
·  ·  ·  ·  ·  ·  utilizando máscaras  [2,5]
 H01L 21/3205
·  ·  ·  ·  ·  ·  Depósito de capas no aislantes, p. ej. conductoras, resistivas, sobre capas aislantes (disposiciones para conducir la corriente eléctrica en el interior del dispositivo H01L 23/52); Postratamiento de esas capas (fabricación de electrodos H01L 21/28)  [5]
 H01L 21/321
·  ·  ·  ·  ·  ·  ·  Postratamiento  [5]
 H01L 21/3213
·  ·  ·  ·  ·  ·  ·  ·  Grabado físico o químico de las capas, p. ej. para producir una capa con una configuración determinada a partir de una capa extendida predepositada  [6]
 H01L 21/3215
·  ·  ·  ·  ·  ·  ·  ·  Dopado de las capas  [5]
 H01L 21/322
·  ·  ·  ·  ·  para modificar sus propiedades internas, p. ej. para producir defectos internos  [2]
 H01L 21/324
·  ·  ·  ·  ·  Tratamiento térmico para modificar las propiedades de los cuerpos semiconductores, p. ej. recocido, sinterización (H01L 21/20-H01L 21/288, H01L 21/302-H01L 21/322 tienen prioridad)  [2]
 H01L 21/326
·  ·  ·  ·  ·  Aplicación de corrientes o de campos eléctricos, p. ej. para electromoldeo (H01L 21/20-H01L 21/288, H01L 21/302-H01L 21/324 tienen prioridad)  [2]
 H01L 21/328
·  ·  ·  ·  Procedimientos que comportan varias etapas para la fabricación de dispositivos de tipo bipolar, p. ej. diodos, transistores, tiristores  [5]
 H01L 21/329
·  ·  ·  ·  ·  teniendo los dispositivos uno o dos electrodos, p. ej. diodos  [5]
 H01L 21/33
·  ·  ·  ·  ·  teniendo los dispositivos tres o más electrodos  [5]
 H01L 21/331
·  ·  ·  ·  ·  ·  Transistores  [5]
 H01L 21/332
·  ·  ·  ·  ·  ·  Tiristores  [5]
 H01L 21/334
·  ·  ·  ·  Procedimientos que comportan varias etapas para la fabricación de dispositivos de tipo unipolar  [5]
 H01L 21/335
·  ·  ·  ·  ·  Transistores de efecto de campo  [5]
 H01L 21/336
·  ·  ·  ·  ·  ·  con puerta aislada  [5]
 H01L 21/337
·  ·  ·  ·  ·  ·  con unión PN  [5]
 H01L 21/338
·  ·  ·  ·  ·  ·  con puerta Schottky  [5]
 H01L 21/339
·  ·  ·  ·  ·  Dispositivos de transferencia de carga  [5,6]
 H01L 21/34
·  ·  ·  los dispositivos tienen cuerpos semiconductores no cubiertos por los grupos H01L 21/06, H01L 21/16, y H01L 21/18 con o sin impurezas, p. ej. material de dopado  [2]
 H01L 21/36
·  ·  ·  ·  Depósito de materiales semiconductores sobre un sustrato, p. ej. crecimiento epitaxial  [2]
 H01L 21/363
·  ·  ·  ·  ·  utilizando un depósito físico, p. ej. depósito bajo vacío, pulverización  [2]
 H01L 21/365
·  ·  ·  ·  ·  utilizando la reducción o la descomposición de un compuesto gaseoso que dan un condensado sólido, es decir, un depósito químico  [2]
 H01L 21/368
·  ·  ·  ·  ·  utilizando un depósito líquido  [2]
 H01L 21/38
·  ·  ·  ·  Difusión de impurezas, p. ej. materiales de dopado, materiales para electrodos, en o fuera del cuerpo semiconductor, o entre las regiones semiconductoras  [2]
 H01L 21/383
·  ·  ·  ·  ·  utilizando la difusión en o fuera de un sólido, a partir de o en una fase gaseosa  [2]
 H01L 21/385
·  ·  ·  ·  ·  utilizando la difusión en o fuera de un sólido, a partir de o en una fase sólida, p. ej. una capa de óxido dopada  [2]
 H01L 21/388
·  ·  ·  ·  ·  utilizando la difusión en o fuera de un sólido, a partir de o en una fase líquida, p. ej. procesos de difusión de aleación  [2]
 H01L 21/40
·  ·  ·  ·  Formación de aleaciones de impurezas, p. ej. de los materiales de dopado, de los materiales para electrodos, con un cuerpo semiconductor  [2]
 H01L 21/42
·  ·  ·  ·  Bombardeo por radiaciones  [2]
 H01L 21/423
·  ·  ·  ·  ·  por radiaciones de energía elevada  [2]
 H01L 21/425
·  ·  ·  ·  ·  ·  que producen una implantación de iones (tubos de rayos iónicos para tratamiento localizado H01J 37/30)  [2]
 H01L 21/426
·  ·  ·  ·  ·  ·  ·  utilizando máscaras  [5]
 H01L 21/428
·  ·  ·  ·  ·  ·  utilizando radiaciones electromagnéticas, p. ej. rayos láser  [2]
 H01L 21/44
·  ·  ·  ·  Fabricación de electrodos sobre los cuerpos semiconductores por empleo de procesos o aparatos no cubiertos por los grupos H01L 21/36-H01L 21/428  [2]
 H01L 21/441
·  ·  ·  ·  ·  Depósito de materiales conductores o aislantes para los electrodos  [2]
 H01L 21/443
·  ·  ·  ·  ·  ·  a partir de un gas o vapor, p. ej. condensación  [2]
 H01L 21/445
·  ·  ·  ·  ·  ·  a partir de un líquido, p. ej. depósito electrolítico  [2]
 H01L 21/447
·  ·  ·  ·  ·  que implican la aplicación de una presión, p. ej. soldadura por termocompresión (H01L 21/607 tiene prioridad)  [2]
 H01L 21/449
·  ·  ·  ·  ·  que implican la aplicación de vibraciones mecánicas, p. ej. vibraciones ultrasónicas  [2]
 H01L 21/46
·  ·  ·  ·  Tratamiento de cuerpos semiconductores utilizando procesos o aparatos no cubiertos por los grupos H01L 21/36-H01L 21/428 (fabricación de electrodos sobre estos cuerpos H01L 21/44)  [2]
 H01L 21/461
·  ·  ·  ·  ·  para cambiar las características físicas o la forma de su superficie, p. ej. grabado, pulido, recortado  [2]
 H01L 21/463
·  ·  ·  ·  ·  ·  Tratamiento mecánico, p. ej. trituración, tratamiento por ultrasonidos  [2]
 H01L 21/465
·  ·  ·  ·  ·  ·  Tratamiento químico o eléctrico, p. ej. grabado electrolítico (para formar capas aislantes H01L 21/469)  [2]
 H01L 21/467
·  ·  ·  ·  ·  ·  ·  utilizando máscaras  [2]
 H01L 21/469
·  ·  ·  ·  ·  ·  para formar las capas aislantes sobre los cuerpos, p. ej. para enmascarar o que utilizan técnicas fotolitográficas (capas que forman electrodos H01L 21/44; capas de encapsulación H01L 21/56); Postratamiento de esas capas  [2,5]
 H01L 21/47
·  ·  ·  ·  ·  ·  ·  Capas orgánicas, p. ej. capa fotosensible (H01L 21/475, H01L 21/4757 tienen prioridad)  [2,5]
 H01L 21/471
·  ·  ·  ·  ·  ·  ·  Capas inorgánicas (H01L 21/475, H01L 21/4757 tienen prioridad)  [2,5]
 H01L 21/473
·  ·  ·  ·  ·  ·  ·  ·  compuestas de óxido, óxidos vítreos o de cristales a base de óxido  [2]
 H01L 21/475
·  ·  ·  ·  ·  ·  ·  utilizando máscaras  [2,5]
 H01L 21/4757
·  ·  ·  ·  ·  ·  ·  Postratamiento  [5]
 H01L 21/4763
·  ·  ·  ·  ·  ·  Depósito de capas no aislantes, p. ej. conductoras, resistivas sobre capas aislantes; Postratamiento de esas capas (fabricación de electrodos H01L 21/28)  [5]
 H01L 21/477
·  ·  ·  ·  ·  Tratamiento térmico para modificar las propiedades de los cuerpos semiconductores, p. ej. recocido, sinterización (H01L 21/36-H01L 21/449, H01L 21/461-H01L 21/475 tienen prioridad)  [2]
 H01L 21/479
·  ·  ·  ·  ·  Aplicación de corrientes o de campos eléctricos, p. ej. para electromoldeo (H01L 21/36-H01L 21/449, H01L 21/461-H01L 21/477 tienen prioridad)  [2]
 H01L 21/48
·  ·  ·  Fabricación o tratamiento de partes, p. ej. de contenedores, antes del ensamblado de los dispositivos, utilizando procedimientos no cubiertos por un único grupo de H01L 21/06-H01L 21/326 (contenedores, encapsulado, rellenado, soportes "en sí H01L 23/00)  [2]
 H01L 21/50
·  ·  ·  Ensamblaje de dispositivos semiconductores utilizando procesos o aparatos no cubiertos por un único grupo de H01L 21/06-H01L 21/326  [2]
 H01L 21/52
·  ·  ·  ·  Montaje de cuerpos semiconductores en los contenedores  [2]
 H01L 21/54
·  ·  ·  ·  Rellenado de contenedores, p. ej. rellenado gaseoso  [2]
 H01L 21/56
·  ·  ·  ·  Encapsulación, p. ej. capas de encapsulado, revestimientos  [2]
 H01L 21/58
·  ·  ·  ·  Montaje de los dispositivos semiconductores sobre los soportes  [2]
 H01L 21/60
·  ·  ·  ·  Fijación de hilos de conexión o de otras piezas conductoras, para conducir la corriente hacia o desde el dispositivo durante su funcionamiento  [2]
 H01L 21/603
·  ·  ·  ·  ·  implicando la aplicación de una presión, p. ej. soldadura por termocompresión (H01L 21/607 tiene prioridad)  [2]
 H01L 21/607
·  ·  ·  ·  ·  implicando la aplicación de vibraciones mecánicas, p. ej. vibraciones ultrasónicas  [2]
 H01L 21/62
·  ·  los dispositivos no tienen barrera de potencial ni de superficie  [2]
 H01L 21/64
·  Fabricación o tratamiento de dispositivos de estado sólido diferentes de los dispositivos de semiconductores, o de sus partes constitutivas, por métodos no concebidos especialmente para uno de los dispositivos cubiertos por los grupos H01L 31/00-H01L 51/00  [2,8]
 H01L 21/66
·  Ensayos o medidas durante la fabricación o tratamiento (después de la fabricación G01R 31/26)  [2]
 H01L 21/67
·  Aparatos especialmente adaptados para el manejo de dispositivos semiconductores o eléctricos de estado sólido durante su fabricación o tratamiento; Aparatos especialmente adaptados para el manejo de obleas durante la fabricación o tratamiento de dispositivos o componentes semiconductores o eléctricos de estado sólido  [8]
 H01L 21/673
·  ·  que utilizan portadores especialmente adaptados  [8]
 H01L 21/677
·  ·  para el transporte, p. ej. entre diferentes estaciones de trabajo  [8]
 H01L 21/68
·  ·  para el posicionado, orientación o alineación (para el transporte H01L 21/677)  [2,8]
 H01L 21/683
·  ·  para sostener o sujetar (para el transporte H01L 21/677, para el posicionado, orientación o alineación H01L 21/68)  [8]
 H01L 21/687
·  ·  ·  que utilizan medios mecánicos, p. ej. mandiles, abrazaderas o pinzas  [8]
 H01L 21/70
·  Fabricación o tratamiento de dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes de estado sólido o de circuitos integrados formados en o sobre un sustrato común, o de partes constitutivas específicas de éstos; Fabricación de dispositivos de circuito integrado o de partes constitutivas específicas de éstos (fabricación de conjuntos de componentes eléctricos prefabricados H05K 3/00, H05K 13/00)  [2]
 H01L 21/71
·  ·  Fabricación de partes constitutivas específicas de dispositivos definidos en el grupo H01L 21/70 (H01L 21/28, H01L 21/44, H01L 21/48 tienen prioridad)  [6]
 H01L 21/74
·  ·  ·  Realización de regiones profundas de alta concentración de impurezas, p. ej. capas colectoras profundas, conexiones internas  [2]
 H01L 21/76
·  ·  ·  Realización de regiones aislantes entre los componentes  [2]
 H01L 21/761
·  ·  ·  ·  Uniones PN  [6]
 H01L 21/762
·  ·  ·  ·  Regiones dieléctricas  [6]
 H01L 21/763
·  ·  ·  ·  Regiones semiconductoras policristalinas  [6]
 H01L 21/764
·  ·  ·  ·  Espacios de aire  [6]
 H01L 21/765
·  ·  ·  ·  por efecto de campo  [6]
 H01L 21/768
·  ·  ·  Fijación de interconexiones que sirvan para conducir la corriente entre componentes separados en el interior de un dispositivo  [6]
 H01L 21/77
·  ·  Fabricación o tratamiento de dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes de estado sólido o circuitos integrados formados en o sobre un sustrato común  [6]
 H01L 21/78
·  ·  ·  con una división ulterior del sustrato en una pluralidad de componentes individuales (corte para cambiar las características físicas de superficie o la forma de los cuerpos semiconductores H01L 21/304)  [2,6]
 H01L 21/782
·  ·  ·  ·  para producir dispositivos que consisten cada uno en un solo elemento de circuito (H01L 21/82 tiene prioridad)  [6]
 H01L 21/784
·  ·  ·  ·  ·  siendo el sustrato un cuerpo semiconductor  [6]
 H01L 21/786
·  ·  ·  ·  ·  siendo el substrato distinto de un cuerpo semiconductor, p. ej. un cuerpo aislante  [6]
 H01L 21/82
·  ·  ·  ·  para producir dispositivos, p. ej. circuitos integrados que consisten cada uno en una pluralidad de componentes  [2]
 H01L 21/822
·  ·  ·  ·  ·  siendo el sustrato un semiconductor, utilizando tecnología de silicio (H01L 21/8258 tiene prioridad)  [6]
 H01L 21/8222
·  ·  ·  ·  ·  ·  Tecnología bipolar  [6]
 H01L 21/8224
·  ·  ·  ·  ·  ·  ·  que comprende una combinación de transistores verticales y laterales  [6]
 H01L 21/8226
·  ·  ·  ·  ·  ·  ·  que comprende una lógica de transistores fusionados o una lógica de inyección integrada  [6]
 H01L 21/8228
·  ·  ·  ·  ·  ·  ·  Dispositivos complementarios, p. ej. transistores complementarios  [6]
 H01L 21/8229
·  ·  ·  ·  ·  ·  ·  Estructuras de memorias  [6]
 H01L 21/8232
·  ·  ·  ·  ·  ·  Tecnología de efecto de campo  [6]
 H01L 21/8234
·  ·  ·  ·  ·  ·  ·  Tecnología MIS  [6]
 H01L 21/8236
·  ·  ·  ·  ·  ·  ·  ·  Combinación de transistores de enriquecimiento y transistores de empobrecimiento  [6]
 H01L 21/8238
·  ·  ·  ·  ·  ·  ·  ·  Transistores de efecto de campo complementarios, p. ej. CMOS  [6]
 H01L 21/8239
·  ·  ·  ·  ·  ·  ·  ·  Estructuras de memorias  [6]
 H01L 21/8242
·  ·  ·  ·  ·  ·  ·  ·  ·  Estructuras de memorias dinámicas de acceso aleatorio (DRAM)  [6]
 H01L 21/8244
·  ·  ·  ·  ·  ·  ·  ·  ·  Estructuras de memorias estáticas de acceso aleatorio (SRAM)  [6]
 H01L 21/8246
·  ·  ·  ·  ·  ·  ·  ·  ·  Estructuras de memorias de solo lectura (ROM)  [6]
 H01L 21/8247
·  ·  ·  ·  ·  ·  ·  ·  ·  ·  programables eléctricamente (EPROM)  [6]
 H01L 21/8248
·  ·  ·  ·  ·  ·  Combinación de tecnología bipolar y tecnología de efecto de campo  [6]
 H01L 21/8249
·  ·  ·  ·  ·  ·  ·  Tecnología bipolar y MOS  [6]
 H01L 21/8252
·  ·  ·  ·  ·  siendo el sustrato un semiconductor, utilizando tecnología III-V (H01L 21/8258 tiene prioridad)  [6]
 H01L 21/8254
·  ·  ·  ·  ·  siendo el sustrato un semiconductor, utilizando tecnología II-IV (H01L 21/8258 tiene prioridad)  [6]
 H01L 21/8256
·  ·  ·  ·  ·  siendo el sustrato un semiconductor, utilizando tecnologías no cubiertas por uno de los grupos H01L 21/822, H01L 21/8252 ó H01L 21/8254 (H01L 21/8258 tiene prioridad)  [6]
 H01L 21/8258
·  ·  ·  ·  ·  siendo el sustrato un semiconductor, utilizando una combinación de tecnologías cubiertas por los grupos H01L 21/822, H01L 21/8252, H01L 21/8254 ó H01L 21/8256  [6]
 H01L 21/84
·  ·  ·  ·  ·  siendo el sustrato diferente a un cuerpo semiconductor, p. ej. un cuerpo aislante  [2,6]
 H01L 21/86
·  ·  ·  ·  ·  ·  siendo el cuerpo aislante de zafiro, p. ej. silicio sobre una estructura de zafiro, es decir, S.O.S.  [2,6]
 H01L 21/98
·  ·  Ensamblaje de dispositivos que consisten en componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común; Ensamblaje de dispositivos de circuito integrado (H01L 21/50 tiene prioridad; montajes H01L 25/00)  [2,5]
P:140 H01L 23/00
Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad)  [2,5]
 H01L 23/00

Nota(s)

El presente grupo no cubre:

 H01L 23/02
·  Contenedores; Sellado (H01L 23/12, H01L 23/34, H01L 23/48, H01L 23/552 tienen prioridad)  [2,5]
 H01L 23/04
·  ·  caracterizados por la forma  [2]
 H01L 23/043
·  ·  ·  siendo el contenedor una estructura vacía con una base conductora que sirve de soporte y al mismo tiempo de conexión eléctrica para el cuerpo semiconductor  [5]
 H01L 23/045
·  ·  ·  ·  teniendo las otras conexiones un paso aislado a través de la base  [5]
 H01L 23/047
·  ·  ·  ·  siendo las otras conexiones paralelas a la base  [5]
 H01L 23/049
·  ·  ·  ·  siendo las otras conexiones perpendiculares a la base  [5]
 H01L 23/051
·  ·  ·  ·  estando constituida otra conexión por la cubierta paralela a la base, p. ej. de tipo "sandwich"  [5]
 H01L 23/053
·  ·  ·  siendo el contenedor una estructura vacía con una base aislante que sirve de soporte para el cuerpo semiconductor  [5]
 H01L 23/055
·  ·  ·  ·  teniendo las conexiones un paso a través de la base  [5]
 H01L 23/057
·  ·  ·  ·  siendo las conexiones paralelas a la base  [5]
 H01L 23/06
·  ·  caracterizados por el material del contenedor o por sus propiedades eléctricas  [2]
 H01L 23/08
·  ·  ·  siendo el material un cuerpo eléctricamente aislante , p. ej. vidrio  [2]
 H01L 23/10
·  ·  caracterizados por el material o por la disposición de los sellados entre las partes, p. ej. entre la cubierta y la base o entre las conexiones y las paredes del contenedor  [2]
 H01L 23/12
·  Soportes, p. ej. sustratos aislantes no amovibles  [2]
 H01L 23/13
·  ·  caracterizados por su forma  [5]
 H01L 23/14
·  ·  caracterizados por el material o por sus propiedades eléctricas  [2]
 H01L 23/15
·  ·  ·  Sustratos en cerámica o en vidrio  [5]
 H01L 23/16
·  Materiales de relleno o piezas auxiliares en el contenedor, p. ej. anillos de centrado (H01L 23/42, H01L 23/552 tienen prioridad)  [2,5]
 H01L 23/18
·  ·  Materiales de relleno caracterizados por el material o por sus propiedades físicas o químicas, o por su disposición en el interior del dispositivo completo  [2]
 H01L 23/20 - 
H01L 23/24

Nota(s)

El grupo H01L 23/26 tiene prioridad sobre los grupos H01L 23/20-H01L 23/24.  [2]

 H01L 23/20
·  ·  ·  gaseosos a la temperatura normal de funcionamiento del dispositivo  [2]
 H01L 23/22
·  ·  ·  líquidos a la temperatura normal de funcionamiento del dispositivo  [2]
 H01L 23/24
·  ·  ·  sólidos o en estado de gel, a la temperatura normal del funcionamiento del dispositivo  [2]
 H01L 23/26
·  ·  ·  incluyendo materiales destinados a absorber o a reaccionar con la humedad u otras sustancias indeseables  [2]
 H01L 23/28
·  Encapsulados, p. ej. capas de encapsulado, revestimientos (H01L 23/552 tiene prioridad)  [2,5]
 H01L 23/29
·  ·  caracterizados por el material  [5]
 H01L 23/31
·  ·  caracterizados por su disposición  [5]
 H01L 23/32
·  Soportes para mantener el dispositivo completo durante su funcionamiento, es decir, elementos portantes amovibles (H01L 23/40 tiene prioridad; conectores en general H01R; para circuitos impresos H05K)  [2,5]
 H01L 23/34
·  Disposiciones para la refrigeración, el calentamiento, la ventilación o la compensación de la temperatura  [2,5]
 H01L 23/36
·  ·  Selección de materiales, o su forma, para facilitar la refrigeración o el calentamiento, p. ej. disipadores de calor  [2]
 H01L 23/367
·  ·  ·  Refrigeración facilitada por la forma del dispositivo  [5]
 H01L 23/373
·  ·  ·  Refrigeración facilitada por el empleo de materiales particulares para el dispositivo  [5]
 H01L 23/38
·  ·  Dispositivos de refrigeración que utilizan el efecto Peltier  [2]
 H01L 23/40
·  ·  Soportes o medios de fijación para los dispositivos de refrigeración o calentamiento amovibles  [2]
 H01L 23/42
·  ·  Elección o disposición de materiales de relleno o de piezas auxiliares en el contenedor para facilitar el calentamiento o la refrigeración (disposiciones caracterizadas por el empleo de materiales particulares para el dispositivo H01L 23/373)  [2,5]
 H01L 23/427
·  ·  ·  Refrigeración por cambio de estado, p. ej. uso de tubos caloríficos  [5]
 H01L 23/433
·  ·  ·  Piezas auxiliares caracterizadas por su forma, p. ej. pistones  [5]
 H01L 23/44
·  ·  estando el dispositivo completo totalmente sumergido en un fluido diferente al aire (H01L 23/427 tiene prioridad)  [2,5]
 H01L 23/46
·  ·  implicando la transferencia de calor por fluidos en circulación (H01L 23/42, H01L 23/44 tienen prioridad)  [2]
 H01L 23/467
·  ·  ·  por circulación de gas, p. ej. aire  [5]
 H01L 23/473
·  ·  ·  por circulación de líquidos  [5]
 H01L 23/48
·  Disposiciones para conducir la corriente eléctrica hacia o desde el cuerpo de estado sólido durante su funcionamiento, p. ej. hilos de conexión, bornes (en general H01R)  [2]
 H01L 23/482
·  ·  formadas por capas conductoras inseparables del cuerpo semiconductor sobre el que han sido depositadas  [5]
 H01L 23/485
·  ·  ·  formadas por estructuras laminares que comprenden capas conductoras y aislantes, p. ej. contactos planares  [5]
 H01L 23/488
·  ·  formadas por estructuras soldadas  [5,8]
 H01L 23/49
·  ·  ·  del tipo alambres de conexión  [5]
 H01L 23/492
·  ·  ·  Bases o placas  [5]
 H01L 23/495
·  ·  ·  Bastidores conductores  [5]
 H01L 23/498
·  ·  ·  Conexiones eléctricas sobre sustratos aislantes  [5]
 H01L 23/50
·  ·  para dispositivos de circuito integrado (H01L 23/482-H01L 23/498 tienen prioridad)  [2,5]
 H01L 23/52
·  Disposiciones para conducir la corriente eléctrica en el interior del dispositivo durante su funcionamiento, de un componente a otro  [2]
 H01L 23/522
·  ·  que comprenden interconexiones externas formadas por una estructura multicapa de capas conductoras y aislantes inseparables del cuerpo semiconductor sobre el cual han sido depositadas  [5]
 H01L 23/525
·  ·  ·  con interconexiones modificables  [5]
 H01L 23/528
·  ·  ·  Configuración de la estructura de interconexión  [5]
 H01L 23/532
·  ·  ·  caracterizadas por los materiales  [5]
 H01L 23/535
·  ·  que comprenden interconexiones internas, p. ej. estructuras de interconexión enterradas  [5]
 H01L 23/538
·  ·  estando la estructura de interconexión entre una pluralidad de chips semiconductores situada en el interior o encima de sustratos aislantes (soportes H01L 23/12)  [5]
 H01L 23/544
·  Marcas aplicadas sobre el dispositivo semiconductor, p. ej. marcas de referencia, esquemas de ensayo  [5]
 H01L 23/552
·  Protección contra las radiaciones, p. ej. la luz  [5]
 H01L 23/556
·  ·  contra los rayos alfa  [5]
 H01L 23/58
·  Disposiciones eléctricas estructurales no previstas en otra parte para dispositivos semiconductores  [5]
 H01L 23/60
·  ·  Protección contra las cargas o las descargas electrostáticas, p. ej. pantallas Faraday (en general H05F)  [5]
 H01L 23/62
·  ·  Protección contra las sobretensiones o sobrecargas, p. ej. fusibles, shunts  [5]
 H01L 23/64
·  ·  Disposiciones relativas a la impedancia  [5]
 H01L 23/66
·  ·  ·  Adaptaciones para la alta frecuencia  [5]
P:0 H01L 25/00
Conjuntos consistentes en una pluralidad de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00; conjuntos de células fotoeléctricas H01L 31/042; generadores que utilizan células solares o paneles solares H02N 6/00; detalles de conjuntos de circuitos completos cubiertos por otra subclase, p. ej. detalles de receptores de televisión, ver la subclase correspondiente, p. ej. H04N; detalles de conjuntos de componentes eléctricos en general H05K)  [2,5]
 H01L 25/03
·  siendo todos los dispositivos de un tipo previsto en el mismo subgrupo de los grupos H01L 27/00-H01L 51/00, p. ej. conjuntos de diodos rectificadores  [5,8]
 H01L 25/04
·  ·  los dispositivos no tienen contenedores separados  [2]
 H01L 25/065
·  ·  ·  siendo los dispositivos de un tipo previsto en el grupo H01L 27/00  [5]
 H01L 25/07
·  ·  ·  siendo los dispositivos de un tipo previsto en el grupo H01L 29/00  [5]
 H01L 25/075
·  ·  ·  siendo los dispositivos de un tipo previsto en el grupo H01L 33/00  [5]
 H01L 25/10
·  ·  los dispositivos tienen contenedores separados  [2]
 H01L 25/11
·  ·  ·  siendo los dispositivos de un tipo previsto en el grupo H01L 29/00  [5]
 H01L 25/13
·  ·  ·  siendo los dispositivos de un tipo previsto en el grupo H01L 33/00  [5]
 H01L 25/16
·  siendo los dispositivos de los tipos cubiertos por varios de los grupos principales H01L 27/00-H01L 51/00, p. ej. circuitos híbridos  [2,8]
 H01L 25/18
·  siendo los dispositivos de tipos previstos en varios subgrupos diferentes del mismo grupo principal de los grupos H01L 27/00-H01L 51/00  [5,8]
P:10 H01L 27/00
Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (procedimientos o aparatos adaptados a la fabricación o al tratamiento de éstos, o de sus partes constitutivas H01L 21/70, H01L 31/00-H01L 51/00; detalles H01L 23/00, H01L 29/00-H01L 51/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00; conjuntos de componentes eléctricos en general H05K)  [2,8]
 H01L 27/01 - 
H01L 27/28

Nota(s)

En los grupos H01L 27/01-H01L 27/28, salvo indicación en contra, una invención se clasifica en el último lugar apropiado. [2]

 H01L 27/01
·  que comprenden solamente elementos pasivos de película delgada o gruesa formados sobre un sustrato aislante común  [3]
 H01L 27/02
·  incluyendo componentes semiconductores especialmente adaptados para rectificación, amplificación, generación de oscilaciones, conmutación y teniendo al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie.; incluyendo elementos de circuito pasivos integrados con al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie  [2]
 H01L 27/04
·  ·  el sustrato común es un cuerpo semiconductor  [2]
 H01L 27/06
·  ·  ·  con una pluralidad de componentes individuales en una configuración no repetitiva  [2]
 H01L 27/07
·  ·  ·  ·  teniendo los componentes una región activa en común  [5]
 H01L 27/08
·  ·  ·  únicamente con componentes semiconductores de un solo tipo  [2]
 H01L 27/082
·  ·  ·  ·  comprendiendo únicamente componentes bipolares  [5]
 H01L 27/085
·  ·  ·  ·  comprendiendo únicamente componentes de efecto de campo  [5]
 H01L 27/088
·  ·  ·  ·  ·  siendo los componentes transistores de efecto de campo de puerta aislada  [5]
 H01L 27/092
·  ·  ·  ·  ·  ·  transistores de efecto de campo metal-aislante-semiconductor complementario  [5]
 H01L 27/095
·  ·  ·  ·  ·  siendo los componentes transistores de efecto de campo con puerta de barrera Schottky  [5]
 H01L 27/098
·  ·  ·  ·  ·  siendo los componentes transistores de efecto de campo con puerta de unión PN  [5]
 H01L 27/10
·  ·  ·  con una pluralidad de componentes individuales en una configuración repetitiva  [2]
 H01L 27/102
·  ·  ·  ·  comprendiendo componentes bipolares  [5]
 H01L 27/105
·  ·  ·  ·  comprendiendo componentes de efecto de campo  [5]
 H01L 27/108
·  ·  ·  ·  ·  Estructuras de memorias dinámicas de acceso aleatorio  [5]
 H01L 27/11
·  ·  ·  ·  ·  Estructuras de memorias estáticas de acceso aleatorio  [5]
 H01L 27/112
·  ·  ·  ·  ·  Estructuras de memorias de solo lectura  [5]
 H01L 27/115
·  ·  ·  ·  ·  ·  Memorias de solo lectura programables eléctricamente (EPROM)  [5]
 H01L 27/118
·  ·  ·  ·  Circuitos integrados de capa matriz  [5]
 H01L 27/12
·  ·  el sustrato es diferente de un cuerpo semiconductor, p. ej. un cuerpo aislante  [2]
 H01L 27/13
·  ·  ·  combinado con componentes pasivos de película delgada o gruesa  [3]
 H01L 27/14
·  con componentes semiconductores sensibles a los rayos infrarrojos, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas o a la radiación corpuscular, y adaptados para convertir la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien como dispositivos de control de la energía eléctrica por tales radiaciones (componentes sensibles a las radiaciones asociados estructuralmente a una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 31/14; dispositivos de acoplamiento de guías de luz con elementos opto-electrónicos G02B 6/42)  [2]
 H01L 27/142
·  ·  Dispositivos de conversión de energía  [5]
 H01L 27/144
·  ·  Dispositivos controlados por radiación  [5]
 H01L 27/146
·  ·  ·  Estructuras de captadores de imágenes  [5]
 H01L 27/148
·  ·  ·  ·  Captadores de imágenes por acoplamiento de carga  [5]
 H01L 27/15
·  con componentes semiconductores con al menos una barrera de potencial o de superficie, adaptados para la emisión de luz  [2]
 H01L 27/16
·  con componentes termoeléctricos con o sin unión de materiales diferentes; con componentes termomagnéticos (que utilizan el efecto Peltier únicamente para la refrigeración de dispositivos de semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido H01L 23/38)  [2]
 H01L 27/18
·  con componentes que presentan un efecto de superconductividad  [2]
 H01L 27/20
·  con componentes piezoeléctricos; con componentes electroestrictivos; con componentes magnetoestrictivos  [2,7]
 H01L 27/22
·  con componentes que utilizan los efectos galvanomagnéticos, p. ej. efecto Hall; que utilizan los efectos de campos magnéticos análogos  [2]
 H01L 27/24
·  con componentes de estado sólido para la rectificación, amplificación o conmutación, sin barrera de potencial ni de superficie  [2]
 H01L 27/26
·  con componentes de resistencia negativa con efecto de volumen  [2]
 H01L 27/28
·  con componentes que utilizan materiales orgánicos como la parte activa o que utilizan una combinación de materiales orgánicos con otros materiales como la parte activa  [8]
 H01L 27/30
·  ·  con componentes especialmente adaptados para detectar radiación infrarroja, luz, radiación electromagnética de menor longitud de onda o radiación corpuscular; con componentes especialmente adaptados bien para la conversión en energía eléctrica de la energía de dicha radiación o bien para el control de energía eléctrica mediante dicha radiación  [8]
 H01L 27/32
·  ·  con componentes especialmente adaptados para la emisión de luz, p. ej. monitores de pantalla plana que utilizan diodos emisores de luz orgánicos  [8]
P:120 H01L 29/00
Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00-H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas H01L 21/00; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00; resistencias en general H01C; condensadores en general H01G)  [2,6]
 H01L 29/00

Nota(s)

En el presente grupo principal, la clasificación se efectúa a la vez en H01L 29/02, H01L 29/40 y en H01L 29/66 en la medida en que ambos conjuntos de grupos sean adecuados. [2]

 H01L 29/02
·  Cuerpos semiconductores  [2]
 H01L 29/04
·  ·  caracterizados por su estructura cristalina, p. ej. policristalina, cúbica, con orientación especial en planos cristalinos (defectos H01L 29/30)  [2]
 H01L 29/06
·  ·  caracterizados por su forma; caracterizado por las formas, las dimensiones relativas o las disposiciones de las regiones semiconductoras  [2]
 H01L 29/08
·  ·  ·  con regiones semiconductoras conectadas a un electrodo que transporta la corriente a rectificar, a amplificar o conmutar, formando parte este electrodo de un dispositivo semiconductor que tiene tres electrodos o más  [2]
 H01L 29/10
·  ·  ·  con regiones semiconductoras conectadas a un electrodo que no transporta la corriente a rectificar, amplificar o conmutar, formando parte este electrodo de un dispositivo semiconductor que tiene tres electrodos o más  [2]
 H01L 29/12
·  ·  caracterizados por los materiales de los que están constituidos  [2]
 H01L 29/15
·  ·  ·  Estructuras con variación de potencial periódica o casi periódica, p. ej. pozos cuánticos múltiples, superredes (sus aplicaciones en el control de la luz G02F 1/017, su aplicación en los láseres de semiconductor H01S 5/34)  [6]
 H01L 29/16 - 
H01L 29/26

Nota(s)

El grupo H01L 29/15 tiene prioridad sobre los grupos H01L 29/16-H01L 29/26.  [6]

 H01L 29/16
·  ·  ·  incluyendo aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, solamente elementos del cuarto grupo de la tabla periódica en forma no combinada  [2]
 H01L 29/161
·  ·  ·  ·  con dos o más de los elementos previstos en H01L 29/16  [2]
 H01L 29/165
·  ·  ·  ·  ·  en diferentes regiones semiconductoras  [2]
 H01L 29/167
·  ·  ·  ·  caracterizados además por el material de dopado  [2]
 H01L 29/18
·  ·  ·  Selenio o teluro únicamente, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas  [2]
 H01L 29/20
·  ·  ·  con únicamente compuestos A III B V aparte de los materiales de dopado u otras impurezas  [2,6]
 H01L 29/201
·  ·  ·  ·  con varios compuestos  [2]
 H01L 29/205
·  ·  ·  ·  ·  en diferentes regiones semiconductoras  [2]
 H01L 29/207
·  ·  ·  ·  caracterizados además por el material de dopado  [2]
 H01L 29/22
·  ·  ·  con únicamente compuestos A II B VI aparte de los materiales de dopado u otras impurezas  [2]
 H01L 29/221
·  ·  ·  ·  con varios compuestos  [2]
 H01L 29/225
·  ·  ·  ·  ·  en diferentes regiones semiconductoras  [2]
 H01L 29/227
·  ·  ·  ·  caracterizados además por el material de dopado  [2]
 H01L 29/24
·  ·  ·  con únicamente materiales semiconductores inorgánicos, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, no previstos en los grupos H01L 29/16, H01L 29/18, H01L 29/20, H01L 29/22 (con materiales orgánicos H01L 51/00)  [2]
 H01L 29/26
·  ·  ·  con elementos, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, cubiertos por varios de los grupos H01L 29/16, H01L 29/18, H01L 29/20, H01L 29/22, H01L 29/24  [2]
 H01L 29/267
·  ·  ·  ·  en diferentes regiones semiconductoras  [2]
 H01L 29/30
·  ·  caracterizados por defectos físicos; que tienen superficies pulidas o rugosas  [2]
 H01L 29/32
·  ·  ·  los defectos están en el interior del cuerpo semiconductor  [2]
 H01L 29/34
·  ·  ·  los defectos están sobre la superficie  [2]
 H01L 29/36
·  ·  caracterizados por la concentración o la distribución de impurezas  [2]
 H01L 29/38
·  ·  caracterizados por las combinaciones de características cubiertas por varios de los grupos H01L 29/04, H01L 29/06, H01L 29/12, H01L 29/30, H01L 29/36  [2]
 H01L 29/40
·  Electrodos  [2]
 H01L 29/41
·  ·  caracterizados por su forma, dimensiones relativas o disposición relativa  [6]
 H01L 29/417
·  ·  ·  que transportan la corriente a rectificar, amplificar o conmutar  [6]
 H01L 29/423
·  ·  ·  que no transportan la corriente a rectificar, amplificar o conmutar  [6]
 H01L 29/43
·  ·  caracterizados por los materiales de que están formados  [6]
 H01L 29/45
·  ·  ·  Electrodos de contacto óhmico  [6]
 H01L 29/47
·  ·  ·  Electrodos de barrera Schottky  [6]
 H01L 29/49
·  ·  ·  Electrodos del tipo metal-aislante-semiconductor  [6]
 H01L 29/51
·  ·  ·  ·  Materiales aislantes asociados a estos electrodos  [6]
 H01L 29/66
·  Tipos de dispositivos semiconductores  [2]
 H01L 29/68
·  ·  controlables únicamente por la corriente eléctrica suministrada, o la tensión eléctrica aplicada, a un electrodo que no transporta la corriente a rectificar, amplificar o conmutar (H01L 29/96 tiene prioridad)  [2]
 H01L 29/70
·  ·  ·  Dispositivos bipolares  [2]
 H01L 29/72
·  ·  ·  ·  Dispositivos del tipo transistor, es decir, capaces de responder continuamente a las señales de control aplicadas  [2]
 H01L 29/73
·  ·  ·  ·  ·  Transistores bipolares de unión  [5]
 H01L 29/732
·  ·  ·  ·  ·  ·  Transistores verticales  [6]
 H01L 29/735
·  ·  ·  ·  ·  ·  Transistores laterales  [6]
 H01L 29/737
·  ·  ·  ·  ·  ·  Transistores de heterounión  [6]
 H01L 29/739
·  ·  ·  ·  ·  controlados por efecto de campo  [6]
 H01L 29/74
·  ·  ·  ·  Dispositivos de tipo tiristor, es decir, con funcionamiento por regeneración en cuatro zonas  [2]
 H01L 29/744
·  ·  ·  ·  ·  Dispositivos de corte por puerta  [6]
 H01L 29/745
·  ·  ·  ·  ·  ·  con corte por efecto de campo  [6]
 H01L 29/747
·  ·  ·  ·  ·  Dispositivos bidireccionales, p. ej. triacs  [2]
 H01L 29/749
·  ·  ·  ·  ·  con encendido por efecto de campo  [6]
 H01L 29/76
·  ·  ·  Dispositivos unipolares  [2]
 H01L 29/762
·  ·  ·  ·  Dispositivos de transferencia de carga  [6]
 H01L 29/765
·  ·  ·  ·  ·  Dispositivos de acoplamiento de carga  [6]
 H01L 29/768
·  ·  ·  ·  ·  ·  con efecto de campo producido por una puerta aislada  [6]
 H01L 29/772
·  ·  ·  ·  Transistores de efecto de campo  [6]
 H01L 29/775
·  ·  ·  ·  ·  con un canal unidimensional de gas de portadores de carga, p. ej. FET de hilo cuántico  [6]
 H01L 29/778
·  ·  ·  ·  ·  con un canal bidimensional de gas de portadores de carga, p. ej. transistores de efecto de campo con alta movilidad electrónica (HEMT)  [6]
 H01L 29/78
·  ·  ·  ·  ·  estando producido el efecto de campo por una puerta aislada  [2]
 H01L 29/786
·  ·  ·  ·  ·  ·  Transistores de película delgada  [6]
 H01L 29/788
·  ·  ·  ·  ·  ·  de puerta flotante  [5]
 H01L 29/792
·  ·  ·  ·  ·  ·  de aislante de puerta por almacenaje de cargas, p. ej. transistor de memoria MNOS  [5]
 H01L 29/80
·  ·  ·  ·  ·  estando producido el efecto de campo por una puerta de unión PN u otra unión rectificadora  [2]
 H01L 29/808
·  ·  ·  ·  ·  ·  de unión PN  [5]
 H01L 29/812
·  ·  ·  ·  ·  ·  puerta Schottky  [5]
 H01L 29/82
·  ·  controlables por la variación del campo magnético aplicado al dispositivo (H01L 29/96 tiene prioridad)  [2,6]
 H01L 29/84
·  ·  controlables por la variación de una fuerza mecánica aplicada, p. ej. una presión (H01L 29/96 tiene prioridad)  [2,6]
 H01L 29/86
·  ·  controlables por la variación de la corriente eléctrica suministrada, o únicamente de la tensión aplicada a uno o varios de los electrodos que transportan la corriente a rectificar, amplificar, hacer oscilar o conmutar (H01L 29/96 tiene prioridad)  [2]
 H01L 29/8605
·  ·  ·  Resistencias de unión PN  [6]
 H01L 29/861
·  ·  ·  Diodos  [6]
 H01L 29/862
·  ·  ·  ·  Diodos de contacto de punta  [6]
 H01L 29/864
·  ·  ·  ·  Diodos de tiempo de tránsito, p. ej. diodos, IMPATT, TRAPATT  [6]
 H01L 29/866
·  ·  ·  ·  Diodos Zener  [6]
 H01L 29/868
·  ·  ·  ·  Diodos PIN  [6]
 H01L 29/87
·  ·  ·  ·  Diodos tiristor, p. ej. diodos Schockley, diodos de transición conductora (break-over diodes)  [6]
 H01L 29/872
·  ·  ·  ·  Diodos Schottky  [6]
 H01L 29/88
·  ·  ·  ·  Diodos de efecto túnel  [2]
 H01L 29/885
·  ·  ·  ·  ·  Diodos Esaki  [6]
 H01L 29/92
·  ·  ·  Condensadores con barrera de potencial o barrera de superficie  [2]
 H01L 29/93
·  ·  ·  ·  Diodos con capacidad variable, p. ej. varactores  [2]
 H01L 29/94
·  ·  ·  ·  Dispositivos de metal-aislante-semiconductor, p. ej. MOS  [2]
 H01L 29/96
·  ·  de un tipo cubierto por al menos dos de los grupos H01L 29/68, H01L 29/82, H01L 29/84 or H01L 29/86  [2]
P:110 H01L 31/00
Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00; aspectos de los dispositivos colectores de energía en la cubierta del tejado E04D 13/18; producción de calor utilizando calor solar F24J 2/00; medida de rayos X, de rayos gamma, de radiaciones corpusculares o de radiaciones cósmicas con detectores con semiconductores G01T 1/24, con detectores de resistencia G01T 1/26; medida del flujo de neutrones con detectores de semiconductores G01T 3/08; dispositivos de acoplamiento de guías de luz con elementos optoelectrónicos G02B 6/42; obtención de energía a partir de fuentes radiactivas G21H)  [2,6,8]
 H01L 31/02
·  Detalles  [2]
 H01L 31/0203
·  ·  Contenedores; Encapsulados  [5]
 H01L 31/0216
·  ·  Revestimientos  [5]
 H01L 31/0224
·  ·  Electrodos  [5]
 H01L 31/0232
·  ·  Elementos o disposiciones ópticas asociados al dispositivo  [5]
 H01L 31/0236
·  ·  Texturas de superficie particulares  [5]
 H01L 31/024
·  ·  Disposiciones para la refrigeración, el calentamiento, la ventilación o la compensación de temperatura  [5]
 H01L 31/0248
·  caracterizados por sus cuerpos semiconductores  [5]
 H01L 31/0256
·  ·  caracterizados por los materiales  [5]
 H01L 31/0264
·  ·  ·  Materiales inorgánicos  [5]
 H01L 31/0272
·  ·  ·  ·  Selenio o teluro  [5]
 H01L 31/028
·  ·  ·  ·  comprendiendo, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, únicamente elementos del grupo cuarto de la clasificación periódica  [5]
 H01L 31/0288
·  ·  ·  ·  ·  caracterizados por el material de dopado  [5]
 H01L 31/0296
·  ·  ·  ·  comprendiendo, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, únicamente compuestos A II B VI p.ej. CdS, ZnS, HgCdTe  [5]
 H01L 31/0304
·  ·  ·  ·  comprendiendo, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, únicamente compuestos A III B V  [5]
 H01L 31/0312
·  ·  ·  ·  comprendiendo, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, únicamente compuestos A IV B IV por ejemplo SiC  [5]
 H01L 31/032
·  ·  ·  ·  comprendiendo, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, únicamente compuestos no cubiertos por los grupos H01L 31/0272-H01L 31/0312  [5]
 H01L 31/0328
·  ·  ·  ·  comprendiendo, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, materiales semiconductores cubiertos por varios de los grupos H01L 31/0272-H01L 31/032  [5]
 H01L 31/0336
·  ·  ·  ·  ·  en regiones semiconductoras diferentes, p. ej. heterouniones Cu 2 X/CdX, siendo X un elemento del grupo sexto de la clasificación periódica  [5]
 H01L 31/0352
·  ·  caracterizados por su forma o por las formas, dimensiones relativas o disposición de las regiones semiconductoras  [5]
 H01L 31/036
·  ·  caracterizados por su estructura cristalina o por la orientación particular de los planos cristalinos  [5]
 H01L 31/0368
·  ·  ·  comprendiendo semiconductores policristalinos (H01L 31/0392 tiene prioridad)  [5]
 H01L 31/0376
·  ·  ·  comprendiendo semiconductores amorfos (H01L 31/0392 tiene prioridad)  [5]
 H01L 31/0384
·  ·  ·  comprendiendo otros materiales no cristalinos, p. ej. partículas semiconductoras incorporadas en un material aislante (H01L 31/0392 tiene prioridad)  [5]
 H01L 31/0392
·  ·  ·  comprendiendo películas delgadas depositadas sobre sustratos metálicos o aislantes  [5]
 H01L 31/04
·  adaptados como dispositivos de conversión  [2]
 H01L 31/042
·  ·  comprendiendo un panel o una matriz de células fotovoltaicas, p. ej. células solares  [5]
 H01L 31/045
·  ·  ·  escamoteables o plegables  [5]
 H01L 31/048
·  ·  ·  encapsulados o teniendo una caja  [5]
 H01L 31/05
·  ·  ·  caracterizados por medios de interconexión particulares  [5]
 H01L 31/052
·  ·  ·  con medios de refrigeración o medios reflectores o concentradores de luz  [5]
 H01L 31/055
·  ·  ·  ·  siendo absorbida la luz por el concentrador y reemitida con una longitud de onda diferente, p. ej. utilizando un material luminiscente  [5]
 H01L 31/058
·  ·  ·  comprendiendo medios para utilizar la energía térmica, p. ej. sistemas híbridos, o una fuente adicional de energía eléctrica (utilizando la energía solar en general F24J 2/00)  [5]
 H01L 31/06
·  ·  caracterizados por al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie  [2]
 H01L 31/062
·  ·  ·  siendo las barreras de potencial únicamente del tipo metal-aislante-semiconductor  [5]
 H01L 31/065
·  ·  ·  siendo las barreras de potencial únicamente del tipo de banda prohibida gradual  [5]
 H01L 31/068
·  ·  ·  siendo las barreras de potencial únicamente del tipo PN a homounión  [5]
 H01L 31/07
·  ·  ·  siendo las barreras de potencial únicamente de tipo Schottky  [5]
 H01L 31/072
·  ·  ·  siendo las barreras de potencial únicamente del tipo PN a heterounión  [5]
 H01L 31/075
·  ·  ·  siendo las barreras de potencial únicamente del tipo PIN  [5]
 H01L 31/078
·  ·  ·  comprendiendo barreras de potencial cubiertas por varios de los grupos H01L 31/062-H01L 31/075  [5]
 H01L 31/08
·  en los que la radiación controla el flujo de corriente a través del dispositivo, p. ej. fotorresistencias  [2]
 H01L 31/09
·  ·  Dispositivos sensibles a la radiación infrarroja, visible o ultravioleta (H01L 31/101 tiene prioridad)  [5]
 H01L 31/10
·  ·  caracterizados por al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. fototransistores  [2]
 H01L 31/101
·  ·  ·  Dispositivos sensibles a la radiación infrarroja, visible o ultravioleta  [5]
 H01L 31/102
·  ·  ·  ·  caracterizados por una sola barrera de potencial o de superficie  [5]
 H01L 31/103
·  ·  ·  ·  ·  siendo la barrera de potencial de tipo PN a homounión  [5]
 H01L 31/105
·  ·  ·  ·  ·  siendo la barrera de potencial de tipo PIN  [5]
 H01L 31/107
·  ·  ·  ·  ·  funcionando la barrera de potencial en régimen de avalancha, p. ej. fotodiodo de avalancha  [5]
 H01L 31/108
·  ·  ·  ·  ·  siendo la barrera de potencial del tipo Schottky  [5]
 H01L 31/109
·  ·  ·  ·  ·  siendo la barrera de potencial del tipo PN a heterounión  [5]
 H01L 31/11
·  ·  ·  ·  caracterizados por dos barreras de potencial o de superficie, p. ej. fototransistor bipolar  [5]
 H01L 31/111
·  ·  ·  ·  caracterizados por al menos tres barreras de potencial, p. ej. fototiristor  [5]
 H01L 31/112
·  ·  ·  ·  caracterizados por un funcionamiento por efecto de campo, p. ej. fototransistor de efecto de campo de unión  [5]
 H01L 31/113
·  ·  ·  ·  ·  del tipo conductor-aislante-semiconductor, p. ej. transistor de efecto de campo metal-aislante-semiconductor  [5]
 H01L 31/115
·  ·  ·  Dispositivos sensibles a la radiación de ondas muy cortas, p. ej. rayos X, rayos gamma o radiación corpuscular  [5]
 H01L 31/117
·  ·  ·  ·  del tipo detectores de radiación con efecto de volumen, p. ej. detectores PIN en Ge compensados al Li para rayos gamma  [5]
 H01L 31/118
·  ·  ·  ·  del tipo detectores de barrera de superficie o de unión PN superficial, p. ej. detectores de partículas alfa de barrera de superficie  [5]
 H01L 31/119
·  ·  ·  ·  caracterizados por un funcionamiento por efecto de campo, p. ej. detectores de tipo MIS  [5]
 H01L 31/12
·  estructuralmente asociados, p. ej. formados en o sobre un sustrato común con una o varias fuentes de luz eléctrica, p. ej. con fuentes de luz electroluminiscentes, y además eléctrica u ópticamente acoplados con dichas fuentes (dispositivos semiconductores con al menos una barrera de potencial o de superficie adaptados para la emisión de luz H01L 33/00; amplificadores que utilizan un elemento electroluminiscente o una célula fotoeléctrica H03F 17/00; fuentes de luz electroluminiscente "en sí H05B 33/00)  [2,5]
 H01L 31/14
·  ·  las fuentes de luz están controladas por el dispositivo semiconductor sensible a la radiación, p. ej. convertidores de imágenes, amplificadores de imágenes, dispositivos de almacenamiento de imagen  [2]
 H01L 31/147
·  ·  ·  siendo todas las fuentes de luz y todos los dispositivos sensibles a la radiación dispositivos semiconductores caracterizados por al menos una barrera de potencial o de superficie  [5]
 H01L 31/153
·  ·  ·  ·  formados en o sobre un sustrato común  [5]
 H01L 31/16
·  ·  el dispositivo semiconductor sensible a la radiación está controlado por la o las fuentes de luz  [2]
 H01L 31/167
·  ·  ·  siendo todas las fuentes de luz y todos los dispositivos sensibles a la radiación dispositivos semiconductores caracterizados por al menos una barrera de potencial o de superficie  [5]
 H01L 31/173
·  ·  ·  ·  formados en o sobre un sustrato común  [5]
 H01L 31/18
·  Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o al tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas (para la fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de estado sólido o de sus partes en general H01L 21/00)  [2]
 H01L 31/20
·  ·  comprendiendo los dispositivos o sus partes constitutivas un material semiconductor amorfo  [5]
P:100 H01L 33/00
Dispositivos semiconductores que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, adaptados para la emisión de luz, p. ej. de rayos infrarrojos; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Detalles (H01L 51/50 tiene prioridad; dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00; dispositivos de acoplamiento de guías de luz con elementos optoelectrónicos G02B 6/42; láseres de semiconductor H01S 5/00; fuentes de luz electroluminiscentes en sí H05B 33/00)  [2,8]
P:50 H01L 35/00
Dispositivos termoeléctricos que tienen una unión de materiales diferentes, es decir, que presentan el efecto Seebeck o el efecto Peltier, con o sin otros efectos termoeléctricos o termomagnéticos; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de estos dispositivos de sus partes constitutivas; Detalles (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00; máquinas frigoríficas que utilizan efectos eléctricos o magnéticos F25B 21/00; termómetros que utilizan elementos termoeléctricos o termomagnéticos G01K 7/00; obtención de energía a partir de fuentes radiactivas G21H)  [2]
 H01L 35/02
·  Detalles  [2]
 H01L 35/04
·  ·  Detalles estructurales de la unión; Conexión de hilos  [2]
 H01L 35/06
·  ·  ·  Uniones amovibles, p. ej. utilizando un resorte  [2]
 H01L 35/08
·  ·  ·  Uniones no amovibles, p. ej. obtenidas por cementación, sinterizacióm, soldadura  [2]
 H01L 35/10
·  ·  ·  Conexión de hilos  [2]
 H01L 35/12
·  Utilización de un material especificado para las patas de la unión  [2]
 H01L 35/14
·  ·  utilizando composiciones inorgánicas  [2]
 H01L 35/16
·  ·  ·  con teluro, selenio, o azufre  [2]
 H01L 35/18
·  ·  ·  con arsénico, antimonio o bismuto (H01L 35/16 tiene prioridad)  [2]
 H01L 35/20
·  ·  ·  con metales exclusivamente (H01L 35/16, H01L 35/18 tienen prioridad)  [2]
 H01L 35/22
·  ·  ·  con compuestos que contienen boro, carbono, oxígeno o nitrógeno  [2]
 H01L 35/24
·  ·  utilizando composiciones orgánicas  [2]
 H01L 35/26
·  ·  utilizando composiciones cambiantes de manera continua o discontinua en el interior del material  [2]
 H01L 35/28
·  funcionando exclusivamente por efecto Peltier o efecto Seebeck  [2]
 H01L 35/30
·  ·  caracterizados por los medios de cambio de calor de la unión  [2]
 H01L 35/32
·  ·  caracterizados por la estructura o la configuración de la célula o del termopar que constituye el dispositivo  [2]
 H01L 35/34
·  Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas (no especialmente adaptados para estos dispositivos H01L 21/00)  [2]
P:60 H01L 37/00
Dispositivos termoeléctricos sin unión de materiales diferentes; Dispositivos termomagnéticos, p. ej. que utilizan el efecto Nernst-Ettinghausen; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00; medida de la temperatura basada en la utilización de elementos termoeléctricos o termomagnéticos G01K 7/00; selección de materiales para la magnetografía, p. ej. para la escritura del punto de Curie, G03G 5/00)  [2]
 H01L 37/02
·  utilizando el cambio térmico de la constante dieléctrica, p. ej. trabajando por encima o por debajo del punto de Curie  [2]
 H01L 37/04
·  utilizando el cambio térmico de la permeabilidad magnética, p. ej. trabajando por encima o por debajo del punto de Curie  [2]
P:30 H01L 39/00
Dispositivos que utilizan la superconductividad o la hiperconductividad; Procedimientos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00; superconductores caracterizados por la técnica de formación o por la composición de las cerámicas C04B 35/00; conductores, cables o líneas de transmisión superconductores o hiperconductores H01B 12/00; bobinas o arrollamientos superconductores H01F; amplificadores que utilizan la superconductividad H03F 19/00)  [2,4]
 H01L 39/02
·  Detalles  [2]
 H01L 39/04
·  ·  Contenedores; Soportes  [2]
 H01L 39/06
·  ·  caracterizados por el recorrido de la corriente  [2]
 H01L 39/08
·  ·  caracterizados por la forma del elemento  [2]
 H01L 39/10
·  ·  caracterizados por los medios de conmutación  [2]
 H01L 39/12
·  ·  caracterizados por el material  [2]
 H01L 39/14
·  Dispositivos de superconductividad permanente  [2]
 H01L 39/16
·  Dispositivos conmutables entre los estados normal y superconductor  [2]
 H01L 39/18
·  ·  Criotrones  [2]
 H01L 39/20
·  ·  ·  Criotrones de potencia  [2]
 H01L 39/22
·  Dispositivos que tienen una unión de materiales diferentes, p. ej. dispositivos de efecto Josephson  [2]
 H01L 39/24
·  Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de los dispositivos cubiertos por H01L 39/00 o de sus partes constitutivas (no especiales para estos dispositivos H01L 21/00; separación magnética de materiales superconductores de otros materiales, p. ej. utilizando el efecto Meissuer, B03C 1/00)  [2]
P:70 H01L 41/00
Elementos piezoeléctricos en general; Elementos electroestrictivos en general; Elementos magnetoestrictivos en general; Procedimientos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o tratamiento de estos dispositivos, o de sus partes constitutivas; Detalles (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00)  [2]
 H01L 41/00

Nota(s)

  1. El presente grupo no cubre las adaptaciones para fines particulares, que son cubiertas por los lugares apropiados.  [6]
  2. Es importante tener en cuenta los siguientes lugares apropiados:  [6]
    B06Bpara las adaptaciones para producir o transmitir vibraciones mecánicas   [6] 
    G01para transductores que sirven como elementos sensores para la medida   [6] 
    G04C, G04Fpara transductores adaptados a la utilización en piezas de relojería   [6] 
    G10Kpara las adaptaciones para producir o transmitir el sonido   [6] 
    H02Npara la disposición de elementos en máquinas eléctricas   [6] 
    H03H 9/00para redes que comprenden elementos electromecánicos o electroacústicos, p.ej. circuitos resonantes   [6] 
    H04Rpara altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores análogos   [6] 
 H01L 41/02
·  Detalles  [2]
 H01L 41/04
·  ·  de elementos piezoeléctricos o electroestrictivos  [2]
 H01L 41/047
·  ·  ·  Electrodos  [6]
 H01L 41/053
·  ·  ·  Monturas, soportes, recintos, envolturas o carcasas  [6]
 H01L 41/06
·  ·  de elementos magnetoestrictivos  [2]
 H01L 41/08
·  Elementos piezoeléctricos o electroestrictivos  [2]
 H01L 41/083
·  ·  que tienen estructura apilada o multicapa  [6]
 H01L 41/087
·  ·  con forma de cables coaxiales  [6]
 H01L 41/09 - 
H01L 41/113

Nota(s)

Los grupos H01L 41/083 y H01L 41/087 tienen prioridad sobre los grupos H01L 41/09-H01L 41/113.  [6]

 H01L 41/09
·  ·  de entrada eléctrica y salida mecánica  [5]
 H01L 41/107
·  ·  de entrada eléctrica y salida eléctrica  [5]
 H01L 41/113
·  ·  de entrada mecánica y salida eléctrica  [5]
 H01L 41/12
·  Elementos magnetoestrictivos  [2]
 H01L 41/16
·  Selección de materiales  [2]
 H01L 41/18
·  ·  para los elementos piezoeléctricos o electroestrictivos  [2]
 H01L 41/187
·  ·  ·  Composiciones cerámicas  [5]
 H01L 41/193
·  ·  ·  Composiciones macromoleculares  [5]
 H01L 41/20
·  ·  para los elementos magnetoestrictivos  [2]
 H01L 41/22
·  Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o tratamiento de estos elementos o de sus partes constitutivas (no especialmente adaptados para estos dispositivos H01L 21/00)  [2]
 H01L 41/24
·  ·  de elementos de composición cerámica  [5]
 H01L 41/26
·  ·  de elementos de composición macromolecular  [5]
P:80 H01L 43/00
Dispositivos que utilizan efectos galvanomagnéticos o efectos magnéticos análogos; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formado en o sobre un sustrato común H01L 27/00; dispositivos con barrera de potencial o barrera de superficie controlados por variación de un campo magnético H01L 29/82)  [2]
 H01L 43/02
·  Detalles  [2]
 H01L 43/04
·  ·  de dispositivos con efecto Hall  [2]
 H01L 43/06
·  Dispositivos con efecto Hall  [2]
 H01L 43/08
·  Resistencias controladas por un campo magnético  [2]
 H01L 43/10
·  Selección de materiales  [2]
 H01L 43/12
·  Procesos o aparatos específicos para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus elementos (no especialmente adaptados para estos dispositivos H01L 21/00)  [2]
 H01L 43/14
·  ·  para dispositivos con efecto Hall  [2]
P:90 H01L 45/00
Dispositivos de estado sólido adaptados para la rectificación, amplificación, producción de oscilaciones o la conmutación, sin barrera de potencial ni de superficie, p. ej. triodos dieléctricos; Dispositivos con efecto Ovshinsky; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00; dispositivos que utilizan la superconductividad o la hiperconductividad H01L 39/00; dispositivos piezoeléctricos H01L 41/00; dispositivos de resistencia negativa con efecto de volumen H01L 47/00)  [2]
 H01L 45/02
·  Dispositivos de estado sólido utilizados como dispositivos de ondas progresivas  [2]
P:40 H01L 47/00
Dispositivos de resistencia negativa con efecto de volumen, p. ej. dispositivos de efecto Gunn; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00)  [2]
 H01L 47/02
·  Dispositivos de efecto Gunn  [2]
P:130 H01L 49/00
Dispositivos de estado sólido no cubiertos por los grupos H01L 27/00-H01L 47/00 y H01L 51/00 y no cubiertos por otra subclase; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas (dispositivos consistentes en una pluralidad de componente de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00)  [2,8]
 H01L 49/02
·  Dispositivos de película delgada o de película gruesa  [2]
P:20 H01L 51/00
Dispositivos de estado sólido que utilizan materiales orgánicos como parte activa, o que utilizan como parte activa una combinación de materiales orgánicos con otros materiales; Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dichos dispositivos o de sus partes constitutivas (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes formados en o sobre un sustrato común H01L 27/28; dispositivos termoeléctricos que utilizan material orgánico H01L 35/00, H01L 37/00; elementos piezoeléctricos, magnetoestrictivos o electroestrictivos que utilizan material orgánico H01L 41/00)  [6,8]
 H01L 51/05
·  especialmente adaptados a la rectificación, a la amplificación, a la generación de oscilaciones o a la conmutación y que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias con al menos una barrera de potencial o de superficie  [8]
 H01L 51/10
·  ·  Detalles de los dispositivos  [6]
 H01L 51/20
( transferido a H01L 51/05, H01L 51/42, H01L 51/50 )
 H01L 51/30
·  ·  Selección de materiales  [6]
 H01L 51/40
·  ·  Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos o de sus partes constitutivas  [6,8]
 H01L 51/42
·  especialmente adaptados para detectar radiación infrarroja, luz, radiación electromagnética de menor longitud de onda o radiación corpuscular; especialmente adaptados bien para la conversión en energía eléctrica de la energía de dicha radiación o bien para el control de energía eléctrica mediante dicha radiación  [8]
 H01L 51/44
·  ·  Detalles de los dispositivos  [8]
 H01L 51/46
·  ·  Selección de materiales  [8]
 H01L 51/48
·  ·  Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dichos dispositivos o de sus partes  [8]
 H01L 51/50
·  especialmente adaptados para la emisión de luz, p. ej. diodos emisores de luz orgánicos (OLED) o dispositivos emisores de luz poliméricos (PLED) (láseres de semiconductores orgánicos H01S 5/36)  [8]
 H01L 51/52
·  ·  Detalles de los dispositivos  [8]
 H01L 51/54
·  ·  Selección de materiales (materiales luminiscentes orgánicos C09K 11/06)  [8]
 H01L 51/56
·  ·  Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dichos dispositivos o de sus partes  [8]